含ZnS∶Mn~(2+)纳米晶玻璃中Mn~(2+)三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋ 不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量， 发现Ｍｎ 离子可能占据替位（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ 和间隙（Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ两种格位． 进一步的电子顺磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍ ａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ， ＥＰＲ）实验证实了这一判断， 并从ＥＰＲ谱确认（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ， （Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ和Ｍｎ 团三种格位态的存在． 观测到ｇ 因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增大． 这可能是由于量子限域效应下ＺｎＳ的ｓｐ３ 和Ｍｎ 的３ｄ５ 电子态杂化和表面态所引起的．     

含ZnS：Mn^2＋纳米晶玻璃中Mn^2＋三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量,发现Ｍｎ离子可能占扭替位（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ和间隙（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ两种格位。进一步的电子 磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ,ＥＰＲ）实验证实了这一判断,并从ＥＰＲ谱人（Ｍｎ＾２＋）Ｓｕｂ,（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团三种格位态的存在。观测到ｇ因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增     

含R2dtc配体和V=O基的金属簇红外光谱研究

本文报道两类含Ｒ２ｄｔｃ配体的金属簇的红外光谱特点及某些规律,含Ｒ２ｄｔｃ的立方簇合物在４００－５００ｃｍ＾－１有较宽而弱的吸收,可归结于Ｍ－μ３Ｓ振动。Ｍ－Ｓｄｔｃ在３３０－３８０ｃｍ＾－１,Ｃ－Ｎ振动在１４７０－１５１０ｃｍ＾－１。二甲基ｄｔｃ配体立方的ｖ（Ｃ－Ｎ）与ｖ（Ｃ＝Ｓ）比值他二烷基ｄｔｃ立方烷的相应振动分别蓝移和红移,可归结于甲基超共轭效应所致。「Ｖ２Ｃｕ２Ｓ４（Ｒ２ｄｔｃ）２（ＰｈＳ）２」＾２－和「ＶＣｕ４Ｓ４（Ｒ２ｄｔｃ）ｎ（ＰｈＳ）４－ｎ」＾３－（ｎ＝０,１,２）的Ｍ－μ３Ｓ振动分别出现在４８０和４６５ｃｍ＾－１,可作为区别两类化合物的一个指标。另一类含（Ｒ２ｄｔｃ）２Ｖ２Ｏ２（μ－Ｓ）２单元的金属簇中,Ｖ－Ｏ伸缩频率在８４４－９７０ｃｍ＾－１范围内,（Ｅｔ４Ｎ）「Ｖ２Ｓ２Ｏ３（Ｅｔ２ｄｔｃ     

棱镜产生最小偏向角的充要条件

光学教程分析了棱镜产生最小偏向角的必要条件,但其讨论过程不易被初学者所理解,且没有涉及产生最小偏向角的充分条件．本文将对其做适当改进,使之更简明、更完善． 如图１所示,ＳＢ为入射光线,经棱镜折射后成为ＣＳ′,两光线夹角θ称为偏向角．由图１知： 按折射定律有： ｉ１＝ａｒｃ ｓｉｎ（ｎｓｉｎ ｉ１）, ｉ′１＝ａｒｃ ｓｉｎ［ ｎｓｉｎ（ａ－ ｉ２）］,θ＝ａｒｃ　ｓｉｎ（ｎｓｉｎ　ｉ２）＋ａｒｃ　ｓｉｎ［ｎｓｉｎ（ａ－ｉ２）］－ａ（２）（２）式表明,θ随ｉ１的改变而改变,而偏向角有一最小值的必要条件是： …     

Generation of 2－10ns Excimer Laser Pulse by Optical Synchronizing Wave－clipping

Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆ２－１０ｎｓＥｘｃｉｍｅｒＬａｓｅｒＰｕｌｓｅｂｙＯｐｔｉｃａｌＳｙｎｃｈｒｏｎｉｚｉｎｇＷａｖｅ－ｃｌｉｐｐｉｎｇＸＩＡＮＧＳｈｉｑｉｎｇ；ＬＯＵＱｉｈｏｎｇ；ＤＯＮＧＪｉｎｇｘｉｎｇ；ＭＡＮＧＹａｎｐｉｎｇ；ＷＥＩＹｕｎｒ...     

背散射及在线分析

背散射及在线分析盛京，周家敏（天津大学材料工程与科学系天津３０００７２）ＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇａｎｄＯｎ－ｌｉｎｅＡｎａｌｙｓｉｓ￥ＪｉｎｇＳｈｅｎｇａｎｄＪｉａｍｉｎＺｈｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｎａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇ...     

Investigation on Self-Q-Switched Er~(3 )-Doped Fiber Lasers

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎＳｅｌｆ－Ｑ－ＳｗｉｔｃｈｅｄＥｒ￣（３＋）－ＤｏｐｅｄＦｉｂｅｒＬａｓｅｒｓ￥ＳＵＮＪｕｎｑｉａｎｇ；ＨＵＡＮＧＤｅｘｉｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＨｕａｚｈｏｎｇＵｎ...     

钼（钨）─铜─硫─二烷基二硫代甲酸根原子簇化合物的核磁共振研究

用１Ｈ、１３Ｃ、９５ＭｏＮＭＲ技术研究了一系列Ｍｏ（Ｗ）—ＣＯ—Ｓ一ｄｔｃ原子簇化合物，并用动态９５ＭｏＮＭＲ技术跟踪了ＭｏＯｎＳ４（ｎ＝０，２），ＣｕＣｌ，Ｒ２ｄｔｃ（Ｒ２＝Ｍｅ２，Ｅｔ２）几个反应，在此基础上推导了该系列化合物的形成机理．     

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因     

用无约束最优化方法拟合布里渊散射数据中存在的问题的讨论

用无约束最优化方法拟合布里渊散射数据中存在的问题的讨论王越１）刘玉龙２）蒋毅坚１）曾令祉１）（１北京工业大学应用物理系１０００２２）（２中科院物理所１０００８０）ＤｉｓｃｕｓｉｏｎｏｎＤａｔａＦｉｔｏｆＢｒｉｌｏｕｉｎＳｃａｔｅｒｉｎｇｂｙＵｎｃｏｎ...     

金刚石压腔结合拉曼光谱技术进行Pb掺杂对二氧化锡高压结构性能的影响研究

因稳定的分子结构和物理化学性质,近年来SnO2在光、电、磁等方面应用日益广泛。为拓宽SnO2应用范围,对高压条件下纯SnO2和Pb掺杂SnO2结构的相变行为和拉曼光谱活性振动模的变化进行了探究。实验采用水热法制备了纯SnO2和Pb掺杂量为10%的SnO2样品。扫描电子显微镜(SEM)图表明,上述制备样品由多个纳米棒从中心发散排列而成,整体成类花状。X射线衍射图谱表明,样品在常温常压下晶体结构为四方金红石型SnO2(空间群P 42)。采用Mao-Bell型金刚石压腔结合原位拉曼光谱探究了金红石型SnO2和Pb掺杂SnO2两种材料的高压相变过程。研究结果显示,两种材料加压至26 GPa过程中,纯SnO2和Pb掺杂的SnO2的活性拉曼振动模(B 1g,E g,A2g,B2g)均向高频移动。在14 GPa时,纯SnO2的E g峰分裂,563 cm-1处出现新峰,表明SnO2从常压四方金红石型结构向CaCl2型结构相变。Pb掺杂SnO2在常压拉曼谱图中出现了577 cm-1的拉曼峰。当加压至13 GPa时,B1g振动模向A g模转变,材料发生一级相变。上述对比表明Pb掺杂的SnO2具有更低的一级相变压力点13 GPa,结果归因于SnO2晶胞中Pb离子代替Sn离子,原子之间间距变小,离子大小不同造成掺杂后价态差异表面缺陷,导致SnO2结构稳定性降低,进而降低了相变压力。此外Pb掺杂SnO2在压力12 GPa时,晶体的对称性降低,577cm-1和639cm-1处特征峰宽化开始合并成包状峰,表明有部分晶体表面原子无序性程度增加,出现晶体向非晶的转变过程。继续加压至26 GPa,两种材料特征峰渐渐消失,并未观测到其他特征峰的出现。非静水压对相变压力也存在一定程度影响。非静水压条件下部分晶体更易趋向于非晶,晶界处存在较大的应力使纳米晶体在晶界处极易形成高压相成核点,导致相变发生,进而降低相变压力。本文研究不同条件下SnO2的相变行为,丰富了极端条件下SnO2的物理化学性质的多样性研究。     

Y,Zr,Nb掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究

本文基于第一性原理方法研究了Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2的键长变化、稳定性、能带结构以及态密度.结果表明:Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2使附近的键长发生改变,改变量最大是Y掺杂SnO_2体系;掺杂体系的杂质替换能都为负值,表明体系为稳定结构;掺杂使SnO_2能级增多,能较好的调节带隙值;而Y掺杂SnO_2体系价带顶端有一条能级越过了费米线表明该体系呈现出半导体的特征;同时,Y,Zr,Nb掺杂SnO_2使导带底端的能级出现分离;在低能区的态密度仍主要由Sn、O的s轨道贡献;在高能区态密度的掺杂体系出现sp杂化的现象; Zr掺杂SnO_2的态密度能量向低能区移动.     

Ab initio study of Fe-doped SnO: Local structure and hyperfine interactions at the Fe nucleus

In this work we perform an ab initio study of the electric field gradient (EFG) at the nucleus of Fe impurities in crystalline SnO. The Augmented Plane Waves plus Local Orbitals method is used to obtain the electronic structure of the doped system and the atomic relaxations introduced by the impurities in the SnO host in a fully self-consistent way. Most calculations are performed assuming that Fe ions replace the Sn atoms of the structure, in some cases including oxygen vacancies in order to discuss their role in the hyperfine interactions and in determining the local structure around Fe impurities. The case of interstitial Fe sites is also considered. Our predictions are compared with available Müssbauer spectroscopy results and also with theoretical and experimental results obtained for rutile SnO₂ and TiO₂.     

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电     

SO2薄膜气敏传感器光学特性的分析

采用光度法以及椭圆偏振法测量技术对掺有贵金属或过渡金属元素的SnO2薄膜以及在不同Po2/PAr比条件下制备的VOx系列的薄膜进行了系统的光学气敏特性测试。比较了各种薄膜对SO2气体的光学气敏特性,发现在一定条件下制备的SnO2/Pd、VOx薄膜对SO2气体在可见光区有很好的灵敏性,SnO2/Zr薄膜对SO2气体在近红外区有很好的的灵敏性。定性地用光学能隙的变化和自由载流子浓度的变化说明了薄膜在吸附气体后的光学性质的变化。     

Controlled aggregation of magnetic ions in a semiconductor: an experimental demonstration

The control on the distribution of magnetic ions into a semiconducting host is crucial for the functionality of magnetically doped semiconductors. Through a structural analysis at the nanoscale, we give experimental evidence that the aggregation of Fe ions in (Ga,Fe)N and consequently the magnetic response of the material are affected by the growth rate and doping with shallow impurities.     

Sc掺杂SnO2稀磁半导体的第一性原理研究

采用第一性原理方法,对Sc掺杂SnO2以及含有O空位的Sc掺杂SnO2的电子结构和磁学性质进行了计算。结果表明SnO2晶格中存在两种本征磁性来源,分别为Sc掺杂诱导的未配对O-2p态电子的自旋极化和O空位诱导的未配对Sn-5p态电子的自旋极化。由于两种未配对的弱束缚电子分别由电离施主和受主诱导产生,因此二者之间存在电荷补偿效应,在特定配比下能够使SnO2晶格出现磁性猝灭。     

TiO2及其掺Fe材料的制备和EPR谱的研究

以钛酸四丁酯、无水乙醇、冰醋酸为原料,在室温下用溶胶-凝胶法制备得到二氧化钛及其掺Fe样品的湿凝胶,室温放置2天后,100 ℃干燥得到干凝胶,在500 ℃下焙烧得到二氧化钛及其掺Fe的粉末状样品. 利用X射线衍射、电子顺磁共振等测试手段对样品进行分析,结果显示所得样品均为锐钛矿,Fe被引入了二氧化钛晶格中,Ti³⁺氧化中心信号强度随Fe掺杂量的增加而增强,峰值向磁场减小方向小幅偏移. 在不同测试温度下, 含Fe量为0.1%的Fe-TiO₂样品中Ti³⁺氧化中心信号强度随温度升高而增强,峰值也向磁场减小方向小幅偏移. 根据电子顺磁共振理论以及二氧化钛在空气中与O₂的反应解释了这些现象.     

臭氧在SnO2表面吸附的红外光谱研究

以SnO2催化臭氧化降解高浓度糖蜜酒精废水为探针反应,研究SnO2催化臭氧化降解糖蜜酒精废水的活性,并采用红外光谱研究臭氧在SnO2及金属氧化物改性的SnO2催化剂表面的吸附行为。结果表明:由纯氧源制得的O3在SnO2表面吸附的红外光谱上的1 027和1 055 cm-1及2 099和2 122 cm-1处存在两处明显的吸收双峰,而空气制备的O3在SnO2表面与CO及CO2等存在竞争吸附,使得O3的吸附减少,催化臭氧化降解糖蜜废水的降解率下降。催化剂助剂对SnO2催化臭氧化降解糖蜜酒精废水有较大的影响。采用Fe2O3,NiO,CuO,ZnO,MgO,SrO及BaO等金属氧化物为助剂改性的SnO2在2 236和2 213 cm-1,1628和1 599 cm-1出现强度相似的吸收峰,但是几种催化剂对CO2和CO的吸附差别较大,过渡金属改性的SnO2在1 580~1 070 cm-1处出现较宽的吸收峰,碱土金属氧化物改性的SnO2催化剂在1 580~1 070 cm-1之间,出现了1 298和1 274 cm-1两个新的峰,从而引起了不同助剂催化臭氧化的活性差别,碱土金属改性的SnO2对糖蜜酒精废水的催化臭氧化脱色效果明显优于过渡金属改性的SnO2,其中BaO改性的SnO2催化剂的活性最好。     

Mössbauer study of nano-TiO2 doped with Fe

A Mössbauer study of nano-TiO₂ doped with Fe is presented. The samples are prepared by sol-gel method, doping Fe by 5, 10 and 15 wt.%, respectively, which are measured with XRD, TEM and Raman spectra. Especially, Mössbauer spectra are emphasized in this study. The anatase phase is major in both doped and no-doped sample. The α-Fe₂O₃ phase is also in the doped samples. The grain size of doped sample is in 5–20 nm range, the major grains are about 13 nm. And the grain size of no-doped sample is about 8 nm. Studying Mössbauer spectra and Raman spectra, we concluded that in the doping process the Fe³⁺ ions entered anatase lattice and substituted Ti⁴⁺ ions. However, the amount of Fe ions in the site is limited to about 1.5 wt.%. It does not increase as the doping Fe increase. The more Fe doped, the more α-Fe₂O₃ formed. For comparing conveniently, it also can be described as (Ti_0.98Fe_0.02)O₂ by atomic percent.