| Y,Zr,Nb掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 伏春平,孙凌涛.Y,Zr,Nb掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2018,35(5):867-870. |
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| 作者姓名： | 伏春平 孙凌涛 |
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| 作者单位： | 重庆文理学院物理系 |
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| 摘 要： | 本文基于第一性原理方法研究了Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2的键长变化、稳定性、能带结构以及态密度.结果表明:Y,Zr,Nb在Sn位掺杂SnO_2使附近的键长发生改变,改变量最大是Y掺杂SnO_2体系;掺杂体系的杂质替换能都为负值,表明体系为稳定结构;掺杂使SnO_2能级增多,能较好的调节带隙值;而Y掺杂SnO_2体系价带顶端有一条能级越过了费米线表明该体系呈现出半导体的特征;同时,Y,Zr,Nb掺杂SnO_2使导带底端的能级出现分离;在低能区的态密度仍主要由Sn、O的s轨道贡献;在高能区态密度的掺杂体系出现sp杂化的现象; Zr掺杂SnO_2的态密度能量向低能区移动.
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| 关 键 词： | SnO2 第一性原理 能带结构 态密度 |
| 收稿时间： | 2018/2/1 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/4/4 0:00:00 |
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