使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究

利用强度标定的发射光谱法，研究了感应耦合CF4₄/CH4₄等离 子体中空间基团的 相对密度随宏观条件（射频输入功率、气压和流量比）的变化情况. 研究表明：在所研究的 碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF，CF2₂，CH，H和F等活 性基团外 ，还同时存在着C2₂基团，其相对密度随着放电功率的提高而增加；随着气压 的上升呈 现倒“U”型的变化. C2₂随流量比R（R=［CH4 _{关键词： 发射光谱 感应耦合等离子体 2}基团')" href="#">C2₂基团     

使用发射光谱对H2稀释情况下的感应耦合H2/C4F8等离子体中碳氟基团的研究

在射频输入功率为400W，气压为0.8Pa的条件下，使用光强标定的发射光谱方法研究了感应耦合H₂/C₄F₈等离子体中CF, CF₂, H和F基团的相对密度随流量比R=H₂/(H₂+C₄F₈)的变化情况，而HF基团相对密度的变化由四级质谱仪探测得到。结果表明等离子体活性先随着R的增加而升高，然后随着R的进一步增加而下降。在流量比从0逐渐上升到0.625的过程中，CF和CF₂基团的相对密度不断降低。实验中测得的CF基团的相对密度[CF]与理论计算得到的[CF]有很好的一致性说明了电子与CF2基团的碰撞反应是CF基团产生的主要原因。文中还讨论了HF基团。     

CH4/H2和CH4/He体系等离子体发射光谱分析

 在CH₄/H₂和CH₄/He和CH₄/He两种系统中,利用光学发射谱技术对螺旋波放电产生低压甲烷等离子体内活性粒子的光学发射特征进行了原位诊断。在实验中,两种体系下同时都测得的主要荷电粒子为CH,Ha,Hb,Hg以及H2等。研究了各实验参数对这些活性粒子CH, Ha,Hb以及Hg的发射光谱强度的影响。结果表明：在CH₄/H₂体系下,随着射频功率的增大,Ha,Hb,Hg以及CH基团的相对强度都随着增加,而当放电气压变化时它们都呈现先增大而后减小的趋势。在CH₄/He体系下,随射频功率的增加,Ha,Hb,Hg以及CH相对强度变化的总体趋势也都是先增加而后减小,当工作气压增加时,Ha,Hb以及Hg的相对强度变化也是呈现先增大而后减小,但CH基团的相对强度却是逐渐减小的;这些结果为等离子体沉积各种薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了参考。     

不同CHF_3/CH_4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析

通过微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法使用CH4 CHF3源气体制备a C∶F∶H薄膜 .红外结果表明 ,a C∶F∶H薄膜随着流量比R =[CHF3] [CHF3] [CH4])的变化存在结构上的演变 ,R <6 4%时 ,薄膜主要是以类金刚石 (DLC)特征的结构为主 ;当R >6 4%时 ,薄膜表现为一个类聚四氟乙烯 (PTFE)的结构 ,结构单体主要为 CF2 .同时这种结构上的变化影响着薄膜的光学带隙 .在类DLC特征结构区 ,Eg 随着流量比的增加而下降 ,而在类PTFE区 ,Eg 则随着流量比的上升而上升 .a C∶F∶H薄膜在R >92 %时透射率接近 10 0 %     

等离子体增强化学气相沉积中对尘埃颗粒诊断

采用SiH4,C2H4和Ar在射频容性耦合柱状放电室中产生了尘埃颗粒,利用发射光谱测得射频尘埃等离子体放电室中的一些基本碎片的发射光谱,并给出了这些碎片的光发射强度随着实验条件变化的曲线。随着功率和气压的增加,碎片的光发射强度逐步增加,尤其是随功率增加得更快,这说明功率对硅烷和乙烯的离解作用明显。随着硅烷和乙烯流量的增加,碎片的光发射强度随之下降。利用朗缪尔探针的实验结果得出尘埃密度的变化趋势,给出了尘埃密度随射频功率变化的曲线,其结果与硅烷和乙烯的离解变化趋势基本吻合。     

电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CF_x薄膜的化学键结构

使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳 氟、碳 氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析 ,证实等离子体中的CF2 ,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳 /氟成分比和化学键结构的主要前驱物     

螺旋波激发甲烷等离子体光谱诊断

利用螺旋波激发等离子体化学气相沉积(LPP-CVD)技术,以甲烷和氦气为反应气体产生等离子体.通过采集到甲烷的可见光到紫外发射光谱,对甲烷等离子体进行原位诊断,发现存在CH、Ha及Hβ等碎片粒子的光辐射,同时,分析了不同入射功率、气压下CH粒子以及Hβ、Hγ的相对强度变化情况.结果表明:CH粒子的相对强度随着射频功率是先增大而后减小,随工作气压的增大而逐渐减小;随气压及功率的增加,Hβ、Hγ相对强度变化的总体趋势都是先增加而后减小的.     

Ar/CH4等离子体射流发射光谱诊断研究

为了更加深入的研究大气压条件下Ar/CH₄等离子体射流的放电机理和其内部电子的状态,通过自主设计的针-环式介质阻挡放电结构,在放电频率10 kHz、一个大气压条件下产生了稳定的Ar/CH₄等离子体射流,并利用发射光谱法对其进行了诊断研究。对大气条件下Ar/CH₄等离子体射流的放电现象及内部活性粒子种类进行诊断分析,重点研究了不同氩气甲烷体积流量比、不同峰值电压对大气压Ar/CH₄等离子体射流电子激发温度、电子密度以及CH基团活性粒子浓度的影响规律。结果表明,大气压条件下Ar/CH₄等离子体射流呈淡蓝色,在射流边缘可观察到丝状毛刺并伴有刺耳的电离声同时发现射流尖端的形态波动较大;通过发射光谱可以发现Ar/CH₄等离子体射流中的主要活性粒子为CH基团,C,CⅡ,CⅢ,CⅣ,ArⅠ和ArⅡ,其中含碳粒子的谱线主要集中在400~600 nm之间,ArⅠ和ArⅡ的谱线分布在680~800 nm之间;可以发现CH基团的浓度随峰值电压的增大而增大,但CH基团浓度随Ar/CH₄体积流量比的增大而减小,同时Ar/CH₄等离子体射流中C原子的浓度随之增加,这表明氩气甲烷体积流量比的增大加速了Ar/CH₄等离子体射流中C-H的断裂,因此可以发现增大峰值电压与氩气甲烷体积流量比均可明显的加快甲烷分子的脱氢效率,但增大氩气甲烷体积流量比的脱氢效果更加明显。通过多谱线斜率法选取4条ArⅠ谱线计算了不同工况下的电子激发温度,求得大气压Ar/CH₄等离子体射流的电子激发温度在6 000~12 000 K之间,且随峰值电压与氩气甲烷体积流量比的增大均呈现上升的趋势;依据Stark展宽机理对Ar/CH₄等离子体射流的电子密度进行了计算,电子密度的数量级可达1017 cm-3,且增大峰值电压与氩气甲烷体积流量比均可有效的提高射流中的电子密度。这些参数的探索对大气压等离子体射流的研讨具有重大意义。     

CF4气体ICP等离子体中的双温电子特性

使用朗谬尔探针方法研究了低压CF4气体感应耦合等离子体（ICP）的放电特性.结果表明 ，CF4等离子体的电子呈现双温分布：一类是密度低、能量高的快电子，另一类是密度高 、能量低的慢电子.快电子温度The、慢电子温度Tce以及它们的平均 电子温度Te随射频输入功率的增加而下降；而它们的密度nhe，nce和ne随功率的增加而上升.从电子与气体粒子碰撞能量平衡的角度解释了双温电子特性与射频输入功率之间的关系. 关键词： 感应耦合等离子体 CF4气体 朗谬尔探针 电子温度     

多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

以SiCl4H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出“气相结晶”过程是晶粒长大的一个重要因素. 关键词： 气相结晶 多晶硅薄膜 晶粒生长 SiCl4     

RbⅧ—NbⅪ离子n=4complex跃迁谱线、波长和振子强度

用HXR方法计算了类锌等电子序列RbⅧ-NbⅫ离子n=4complex组态能级，通过对各能级值沿等电子序列的变化规律分析，找出了ⅦE随Zc变化的一种新的拟合公式，运用此公式和我们自己设计的FOR-TRAN程序对上述组态各能级值进行了系统的拟合计算，给出了4s^2-4s4p,4s4p-4s4d跃迁谱线波长和相应的振子强度。     

RbⅧ-NbⅫ离子n＝4 complex跃迁谱线、波长和振子强度

用HXR方法计算了类锌等电子序列RbⅧ-NbⅫ离子n＝4 complex组态能级.通过对各能级值沿等电子序列的变化规律分析,找出了ΔE随Zc变化的一种新的拟合公式,运用此公式和我们自己设计的FORTRAN程序对上述组态各能级值进行了系统的拟合计算.给出了4s2-4s4p,4s4p-4s4d跃迁谱线波长和相应的振子强度.     

CsLiSO4/NH4LiSO4 system investigated by EPR

The single crystals of CsLiSO₄ and the solid solutions Cs _x (NH₄)_{(1? x )}LiSO₄ have been investigated using the EPR technique. Two kinds of vanadyl doped samples were considered – as-grown from the aqueous solutions of appropriate compounds and after a thermal treatment. It has been established that in as-grown crystals the EPR spectra of vanadyl ions were very complex due to the presence of more than one paramagnetic site in the lattice. At least two such sites were identified and spin Hamiltonian parameters were calculated for all the sites. After annealing the crystals at about 400?K, a significant decrease in the intensities of the EPR lines of VO²⁺ complexes was observed. In well-annealed samples the complexity of the EPR spectra has been found to disappear. Additionally, the third kind of vanadyl complexes were created during this treatment. It has also been shown that the EPR spectra of Cr³⁺ ions in CsLiSO₄ could be observed without any additional sample treatment reported in literature like an irradiation or thermal decomposition. It was established that the VO²⁺ and Cr³⁺, being sensitive to structural phase transition in the CsLiSO₄, can be used as a probe for the structural changes in the CsLiSO₄/NH₄LiSO₄ system.     

TcⅪ离子的4s~24p~3—4s4p~4跃迁

通过对KrⅣ—MoⅩ离子4s4p~4组态能级结构的组态相互作用理论分析,找出了其沿等电子系列变化的规律性。在此基础上预言了TcⅪ离子的4s4p~4组态能级。结合前人对4s~24p~3组态的研究结果,进一步计算了4s~24p~3—4s4p~4跃迁的谱线波长和振子强度。     

Rotationsstruktur von4 Σ→4 II-Banden

Zeitschrift für Physik A Hadrons and nuclei - Zwecks Aufstellung von Richtlinien für die Rotationsanalyse der O 2 + - Quartettbanden werden unter Mitberücksichtigung der...     

Coxeter groups A4, B4 and D4 for two-qubit systems

The Coxeter–Weyl groups W(A₄), W(B₄), and W(D₄) have proven very useful for two-qubit systems in quantum information theory. A simple technique is employed to construct the unitary matrix representations of the groups, based on quaternionic transformation of the usual reflection matrices. The von Neumann entropy of each reduced density matrix is calculated. It is shown that these unitary matrix representations are naturally related to various universal quantum gates and they lead to entangled states. Canonical decomposition of generators in terms of fundamental gate representations is given to construct the quantum circuits.