KIO4-四硼酸钠系统阻抑亮绿褪色动力学光度法测定痕量Ir（Ⅳ）

基于H2SO4介质及四硼酸钠缓冲溶液中,80℃水浴中,Ir(Ⅳ)对KIO4氧化亮绿褪色反应具有阻抑作用,据此建立了阻抑动力学光度法测定痕量Ir(Ⅳ)的新方法。阻抑反应(吸光度A)与非阻抑反应(吸光度A0)吸光度差值△A与Ir(Ⅳ)的质量浓度ρ在0.0002～0.08μg/mL范围内呈良好的线性关系,检出限为2.969×10-10g/mL。对1μg/25 mL Ir(Ⅳ)标准溶液测定的相对标准偏差为1.7%(n=11)。测定了动力学参数,反应对Ir(Ⅳ)为一级反应,试验条件下,总反应为准一级反应,表观速率系数为2.883×10-4/s,表观活化能为52.2 kJ/mol。方法用于分子筛和活性炭样品中痕量Ir(Ⅳ)测定,加标回收率在98.1%～104.9%范围,符合痕量分析要求。     

Ar/CH4等离子体射流发射光谱诊断研究

为了更加深入的研究大气压条件下Ar/CH₄等离子体射流的放电机理和其内部电子的状态,通过自主设计的针-环式介质阻挡放电结构,在放电频率10 kHz、一个大气压条件下产生了稳定的Ar/CH₄等离子体射流,并利用发射光谱法对其进行了诊断研究。对大气条件下Ar/CH₄等离子体射流的放电现象及内部活性粒子种类进行诊断分析,重点研究了不同氩气甲烷体积流量比、不同峰值电压对大气压Ar/CH₄等离子体射流电子激发温度、电子密度以及CH基团活性粒子浓度的影响规律。结果表明,大气压条件下Ar/CH₄等离子体射流呈淡蓝色,在射流边缘可观察到丝状毛刺并伴有刺耳的电离声同时发现射流尖端的形态波动较大;通过发射光谱可以发现Ar/CH₄等离子体射流中的主要活性粒子为CH基团,C,CⅡ,CⅢ,CⅣ,ArⅠ和ArⅡ,其中含碳粒子的谱线主要集中在400~600 nm之间,ArⅠ和ArⅡ的谱线分布在680~800 nm之间;可以发现CH基团的浓度随峰值电压的增大而增大,但CH基团浓度随Ar/CH₄体积流量比的增大而减小,同时Ar/CH₄等离子体射流中C原子的浓度随之增加,这表明氩气甲烷体积流量比的增大加速了Ar/CH₄等离子体射流中C-H的断裂,因此可以发现增大峰值电压与氩气甲烷体积流量比均可明显的加快甲烷分子的脱氢效率,但增大氩气甲烷体积流量比的脱氢效果更加明显。通过多谱线斜率法选取4条ArⅠ谱线计算了不同工况下的电子激发温度,求得大气压Ar/CH₄等离子体射流的电子激发温度在6 000~12 000 K之间,且随峰值电压与氩气甲烷体积流量比的增大均呈现上升的趋势;依据Stark展宽机理对Ar/CH₄等离子体射流的电子密度进行了计算,电子密度的数量级可达1017 cm-3,且增大峰值电压与氩气甲烷体积流量比均可有效的提高射流中的电子密度。这些参数的探索对大气压等离子体射流的研讨具有重大意义。     

变时延移动Ad-Hoc网络容量非合作规划博弈模型的渐近稳定性

移动Ad-Hoc网络容量的稳定性是保证其服务质量的关键性质之一.本文提出一种新颖的考虑时变传播时延的非合作规划博弈移动Ad-Hoc网络容量分析模型稳定性控制技术.首先求得加入时变传播时延项的非合作规划博弈移动Ad-Hoc网络容量分析模型的源节点发送流量速率演化方程组—–一类非线性时变时滞微分方程组,在此基础上采用描述器技术结合线性矩阵不等式技术得到该模型的渐进稳定性准则,并设计了模型稳定性控制的迭代算法.由于是基于等价模型变换,所提出的渐近稳定性判别准则具有较小的保守性.仿真实验验证了本算法的有效性.本建模与分析方法虽以具体的非合作规划博弈移动Ad-Hoc网络容量分析模型为例,但其可以应用于一般的移动Ad-Hoc网络容量稳定性控制问题.     

无电镀镍复合镀层耐蚀性质研究

研究无电镀镍镀层加入钻石微粒或PTFE微粒的均匀分散相 ,所得之复合镀层在 3.5%NaCl水溶液中的电化学分析 ,浸渍试验与临雾试验 ,皆显示复合镀层之耐蚀性低于不含微粒之无电镀镍镀层 .由SEM ,AES ,XRD ,EPMA分析镀层微观组成 ,复合镀层之磷含量分布呈差异性变化 ,磷量较多区域为微阴极 ,磷量较少区域为微阳极 ,复合镀层存在众多微电池组合 ,容易引起电化学伽凡尼腐蚀 ,造成复合镀层耐蚀性降低 ,当镀层微粒含量增加时 ,微粒的惰性保护效果超过微电池效应 ,复合镀层的耐蚀性质才能提高     

激光冲击690高强钢位错组态与晶粒细化的实验研究

为研究激光冲击材料内部位错组态和晶粒细化的关系,用脉冲激光对690高强钢试样进行了冲击强化处理,采用扫描电镜和透射电镜分别获得了冲击后试样的扫描电子显微像和透射电子显微像、高分辨电子显微像,并对高分辨电子显微像进行快速傅里叶逆变换,从位错组态角度建立了激光冲击690高强钢晶粒细化模型.结果表明,690高强钢试样经功率密度为5.09 GW/cm^2的激光冲击加载后,其材料内部位错增殖、表层晶粒细化,截面晶粒尺寸大小分布在80~200 nm;析出相与基体保持半共格关系,基体中分布着众多刃型位错、位错偶以及扩展位错等缺陷,其中位错偶是由带割阶的螺型位错运动形成;通过由位错、扩展位错、空位等构成的几何位错界面扩展交汇把原始大晶粒分割成细小晶粒;激光冲击690高强钢晶粒细化模型可以描述激光冲击690高强钢位错运动主导的晶粒细化过程.