核壳结构硒化镉/硫化镉/巯基乙酸量子点载流子输运特性

采用水溶液法合成了巯基乙酸(TGA) 包覆的CdSe 量子点. 通过X 射线粉末衍射和高分辨透射显微镜检测结果证实, 合成得到闪锌矿结构CdSe 量子点. 能谱图和傅里叶变换红外光谱图结果说明, 在核CdSe 纳米粒子表面与配体TGA 之间有CdS 壳层结构形成. 利用样品表面光电压(SPV) 谱, 指认CdSe 量子点精细能带结构以及各自对应的激发态特征: 475 nm (2.61 eV) 和400 nm (3.1 eV) 两个波长处的SPV 响应峰分别与CdSe 核和CdS 壳层带-带隙跃迁相对应; 370 nm (3.35 eV) 附近SPV 响应峰可能与TGA 中羰基与巯基或羧基之间发生的n →π^* 跃迁有关. 场诱导表面光电压谱结果证实, 合成的CdSe 量子点具有明显的N 型表面光伏特性, 而上述n→π^* 跃迁则具有P 型表面光伏特性. 荧光光谱谱线均匀增宽以及SPV 响应峰位蓝移, 说明样品具有明显的量子尺寸效应. 结合不同pH 值下合成的CdSe 量子点的SPV 谱和表面光声谱发现, SPV 响应强度与表面光声光谱信号强度变化趋势恰好相反. 上述样品表面光伏效应表明, CdSe 量子点表面和相界面处的精细电子结构以及光生载流子的输运特性均与量子点的尺寸大小存在某种内在联系. 关键词： 硒化镉量子点 光生载流子 表面光电压谱 表面光声光谱     

用巯基乙酸作稳定剂制备CdSe纳米晶的光学性质

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶，通过尺寸选择沉淀得到2nm到3nm之间不同尺寸的纳米晶，利用室温光吸收，光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质。紫外－可见吸收谱给了具有清晰激光特征的尖锐吸收边，这表明样品的尺寸分布很窄。光致发光研究表明，样品有两个发射带，一个具有较高能量位于吸收边，来自电子－空穴对从最低激发态能级弛豫后的辐射复合，另一个低能发射带归属于基质与纳米晶界面存在的俘获中心。PLE谱中有2个吸收带，分别是S－S和P－P跃迁。最后还给出了不同激发能量下的发光特性。     

Eu3+摩尔浓度对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料光谱的影响

用高温固相法制备了Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 红色长余辉材料。测量了该材料的余辉曲线,余辉时间为1h以上;由X射线衍射得到晶体结构为Y2O2S.测量了不同Eu^3 摩尔浓度下的激发光谱和发射光谱,得到从^5DJ(J=0,1,2,3)^-7FJ(J=0,1,2,3,4,5)的发射谱线,并得到位于260,345,468和540nm激发峰。由于激活剂饱和效应,Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 发射光谱中513．6,540．1,556．4,587．3和589．3nm属于从^5D2,^5D1到^7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁的发射峰随Eu^3 摩尔浓度的增加相对削弱;激发谱包括位于350nm左右属于电荷转移态吸收(Eu^3 -O^2-,Eu^3 -S^2 )的激发主峰和在可见光区位于468,520和540nm属于Eu^3 离子4f-4厂吸收的激发峰。随着Eu^3 摩尔浓度的增加,位于468,520和540nm的激发峰相对增强。     

CdSe量子点凝胶快速制备及其光谱特性

以水为反应溶剂,采用NaBH₄还原SeO₂并与过量CdSO₄反应,制备CdSe量子点凝胶。所得CdSe量子点凝胶直接干燥即得到固态粉体,若用聚乙二醇或谷胱甘肽等作为分散修饰剂可方便的转化成相应的溶胶,制备方法快速简单、成本低。CdSe量子点凝胶、粉体、溶胶均具有良好的光致发光特性,且性质稳定。结果表明反应物CdSO₄与SeO₂用量的摩尔比（Cd/Se值）和反应温度影响CdSe量子点的荧光特性。当制备凝胶的Cd/Se值由2.4:1增加12:1时,CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光强度增加,荧光发射峰由560nm红移到610nm;当制备凝胶的反应温度由40℃增加到90℃时,CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光发射峰由560nm红移到600nm。CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光量子产率20%左右。     

A面(11-20)ZnO薄膜中杂质的偏振PL谱研究

本文通过分析A面(11-20)ZnO薄膜的低温PL(光致发光)光谱偏振特性来研究ZnO光致发光谱中杂质峰的来源。低温(4 K)下观察到476、479 nm两处新的杂质峰以及390 nm处激子峰,根据两个杂质峰的偏振特性,初步判定476nm峰来源于氧空位能级到价带轻空穴的跃迁,479 nm峰来源于氧空位价带重空穴的跃迁。     

室温下正己烷本底中PbSe量子点的荧光寿命

利用透射电镜、近红外吸收谱、荧光光谱和时间分辨光谱等技术,在室温下测量离散在正己烷有机溶剂中,不同粒径的Pb Se量子点的吸收谱和荧光谱,给出了第一吸收峰和荧光峰随粒径变化的经验公式。通过对瞬态荧光衰减曲线的测量和分析,得到了Pb Se量子点的荧光寿命,其寿命与量子点的表面缺陷有关。在研究的粒径范围内,由于荧光跃迁仅为带间直接跃迁和仅为缺陷态跃迁两种极端情况,可得荧光寿命最宽分布区间位于1.44~11.96μs。荧光寿命弱关联于粒径,并随粒径的增大而呈线性减小。当Pb Se量子点的粒径为2.7~5.7 nm时,其实测的平均荧光寿命为7.17~6.72μs。     

Er~(3+):Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3纳米粉体光谱性质

用溶胶-凝胶法制备了Er3+:Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)纳米粉体,测试了纳米粉体在室温下的吸收光谱与光致发光谱。利用Judd-Ofelt理论拟合得到晶体场强度参数Ω2,Ω4和Ω6分别为0.993×10-20,1.665×10-20和0.540×10-20cm2,系统计算了Er3+能级跃迁的谱线强度、自发辐射跃迁概率、荧光分支比等光谱参数。发光谱表明,样品出现了中心波长位于522,545,654和851nm的发光带,分别对应Er3+的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2,4F9/2→4I15/2和4S3/2→4I13/2的跃迁。讨论了样品的发光特性。结果表明Er3+:BST纳米材料在新型光电子器件中有广泛的应用前景。     

Dy3+掺杂Sr1-xCaxMoO4的制备及发光性能研究

采用高温固栩法制备了Dy<'3+>掺杂的Sr1-xCaxMoO<,4>荧光粉.利用XRD、SEM、激发发射光谱以及色参数等研究了所制备荧光粉的结构和发光性能以及x值埘荧光粉性能的影响.XRD图像农明当x=1和x=0时样品为CaMoO<,4>和SrMoO<,4>单一相.SEM 图像表明在750℃下煅烧3 h制备的样品粒径为0.2～1.0μm,适合同态发光器件的要求.监测576 nm得到的样品的激发光谱由250～340 nm之间的一个宽带和340～460 nm之间的一系列尖峰组成.改变Sr/Ca的值,电荷迁移带激发峰位置发生变化,而窄带跃迁的激发峰强度发生变化.用350 nm波长激发样品得到的发射谱由峰值位于480和576 nm的两个窄带组成,它们是由和跃迁引起的.黄色发射峰和监色发射峰的强度比Y/B随着Sr/Ca比值的变化而变化.     

GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质

采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析 .实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀 ,且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的 .同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征     

退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响

利用高能离子研究了110 keV的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试结果可以清楚地看到在375 nm,390 nm,413 nm和450 nm出现了强烈的发光峰.经过600 K退火2 h后测试结果显示,390 nm发光峰增强剧烈,而别的发光峰显示不明显.在900 K退火条件下,390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰,到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失,而510 nm的发光峰相对增强.从辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460-510 cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏.1000-1300cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动.退火后的FTIR谱变化不大.     

PLE spectra analysis of the sub-structure in the absorption spectra of CdSeS quantum dots

The semiconductor CdSeS quantum dots (QDs) embedded in glass are analysed by means of absorption spectra, photoluminescence (PL) spectra and photoluminescence excitation (PLE) spectra. The peaks of absorption spectra shift to lower energies with the size of QD increasing, which obviously shows a quantum-size effect. Using the PLE spectra, the physical origin of the lowest absorption peak is analysed. In PLE spectra, the lowest absorption peak can be deconvoluted into two peaks that stem from the transitions of 1S_3/2--1S_e and 2S_3/2--1S_e respectively. The measured energy difference between the two peaks is found to decrease with the size of QD increasing, which agrees well with the theoretical calculation for the two transitions. The luminescence peak of defect states is also analysed by PLE spectra. Two transitions are present in the PLE, which indicates that the transitions of 1S_3/2--1S_e and 2S_3/2--1S_e are responsible for the defect states luminescence.     

InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构 发光特性的测量与分析

利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30 K变化到300 K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是In_xGa_1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。     

玻璃中CdSSe纳米晶体的光谱性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在650—800℃退火4?h，生长了不同尺寸的CdS0.13Se0.87纳米晶体，测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光（PL）谱和电调制光谱，确定了纳米晶体部分电子态的能量，讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系.随着纳米晶体尺寸的增大，对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移，表现出明显的量子尺寸效应.小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应，而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材料的相似；随着纳米晶体尺寸的增大，电吸收信号增强.所有尺寸的纳米晶体都表现 关键词： CdSSe纳米晶体 吸收光谱 光致发光谱 电光响应     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

四氨基钴酞菁紫外-可见光谱量子化学研究

四氨基钴酞菁是一种很有前途的可见光催化剂,为丰富和完整该物质结构性质及反应活性的理论体系,尤其是其光谱性质的量子化学研究,利用量子化学计算模拟和实验研究相结合的方式对四氨基钴酞菁的紫外-可见光谱进行了比对研究。通过实验证明,四氨基钴酞菁的二甲基甲酰胺(DMF)溶液在324.98和709.94 nm处出现两个明显的吸收峰。在密度泛函法的B3LYP/3-21G*水平上,采用含时密度泛函(time-dependent density functional theory,TD-DFT)方法模拟四氨基钴酞菁的紫外-可见吸收光谱显示,得到了两个吸收谱带分别在321.41和709.92 nm处,与实验值基本吻合,证明密度泛函理论在四氨基钴酞菁的量子化学理论研究是有效可靠的。通过量子计算还确定了每个吸收峰中各个电子跃迁的贡献率：在326.22 nm处的吸收主要是电子从轨道152到163 LUMO的跃迁;在314.42 nm处的吸收主要是电子从轨道149到164 LUMO+1的跃迁;在747.57 nm处的吸收主要是电子从轨道162 HOMO到163 LUMO的跃迁;在676.01 nm处的吸收主要是电子从轨道162 HOMO到164 LUMO+1的跃迁。这些模拟数据对实验研究提供了极大的理论补充,四氨基钴酞菁的紫外-可见光谱量子化学研究对后续实验指导及应用有十分重要的理论意义。     

调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.　观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.　PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中, 关键词： 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱     

InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱

通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN／GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaN／GaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。     

LiBaF3:Eu2+真空紫外光谱研究

在室温下，二价稀土离了 杂的LiBaF3:Eu^2 粉末样品中，Eu^2 的发射呈现双峰结构，有一峰值波长约为410nm的宽峰，对应于Eu^2 的5d-4f跃迁，以及另一峰值波长约为360nm的窄峰，对应于Eu^2 的4f-4f跃迁。在50－400nm波长范围，测量了样品的反射光谱，并利用Kramers-Kroenig关系，计算了吸收光谱。从吸收光谱中，可以看到在102nm处有明显的吸收边，得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV。在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰，它们对应于Ba^2 的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁，在低能量的183.4nm处，有很明显的吸收峰，推测这对应于本征缺陷的吸收。更低能量的吸收峰，则对应于禁带中的一些杂质能级，在未经紫外光或X射线辐照之前，用长波长（＞450nm）光激发LiBaF3:Eu^2 粉末样品，可以观测到Eu^2 离子的360nm和410m发光，亦表现出光激励发光特性。     

激发态质子转移分子2-(2''-羟基苯基)苯并噻唑在不同溶剂中的光谱特性

观测了2-(2’-羟基苯基)苯并噻唑(HBT)在不同极性溶剂中的吸收光谱和荧光光谱,详细研究了溶剂极性对HBT发生激发态分子内质子转移(ESIPT)影响的机制。吸收光谱表明在常态条件下,HBT在各种溶剂中都以烯醇式构型和酮式构型共同存在,但以烯醇式构型占绝大多数。荧光光谱表明在纯环己烷溶剂中,HBT被紫外光激发时,绝大多数烯醇式构型发生ESIPT转变为酮式构型,分子的ESIPT效率最大。在含有乙醇的极性溶剂中,HBT烯醇式会形成溶剂化的烯醇式构型,阻碍分子发生ESIPT反应。溶剂中乙醇含量愈多极性愈强,溶剂化烯醇式的成份就愈多,HBT的ESIPT效率就愈低。以400 nm光激发HBT溶液时,在510 nm处发现酮式构型荧光,从而确认了400 nm处的弱吸收是酮式构型的吸收;且在436和456nm处还有新的荧光峰,分析其可能来源于酮式构型去质子化阴离子的发射。