入射角对Al0.5Ga0.5As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响

采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究,计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化,在49.8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大,其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小,由0°入射的反射率88.13%降至45°的84.94%,反射峰值波长蓝移仅10 nm;但入射角对(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大,仅从0°到45°入射,反射率降幅就超过45%,反射峰值波长蓝移超过127 nm。为了减缓这种影响,提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0ο~45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。     

近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究

为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性, 在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验, 并在线测试样品光谱响应. 利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25—0.35 μ之间的 阴极响应量子效率实验数据进行拟合, 分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率, 并使用量子效率公式对入射光波长为0.35 μ时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真. 结果表明, 后界面复合速率和直线v的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能, 当GaN阴极后界面复合速率小于10⁵ cm/s, 发射层的厚度取0.174—0.212 μ时, 阴极光谱响应性能最好. 关键词： 反射式GaN 势垒 最小二乘法 后界面缺陷     

Modified-DBR-based semi-omnidirectional multilayer anti-reflection coating for tandem solar cells

In this paper, multilayer antireflection coatings are designed by modifying the thickness of two and three paired layer distributed Bragg reflector （DBR） structure. Our proposed DBR-based structures show antireflection behaviors, in spite of the reflection treatment in traditional DBR structures. Firstly, the proposed structures are designed to be equivalent to the theoretical ideal triple-layer （TL） antireflection coating （ARC）. Therefore, the problem of finding a suitable material for the middle layer of triple structure is solved. Simulation results show the significant equivalency for the reflectance of proposed structures to the ideal TL ARC at the same wavelengths and incident angles. Also, the design of the structure is changed in order to present the constant reflectance coefficient over a wide range of wavelengths. This structure enhances the omni-directionality of the multilayer ARC.     

顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究

本文在Ga N基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR,对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异,详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理.研究结果表明,顶部反射镜是RCLED的重要组成部分,其反射率曲线特征决定器件的光输出性能.常规高反膜结构DBR顶部反射镜的反射率曲线具有较宽的高反射带,将其作为顶部反射镜可有效压窄RCLED发光纵模线宽,但是发光光谱仍呈现多纵模光输出特征.滤波器结构DBR顶部反射镜的反射率曲线在中心波长处具有较窄的透光凹带,利用透光凹带对输出光的调制作用,器件可实现单纵模光输出,在光通信、光纤传感等领域展示了广阔的应用前景.通过进一步设计RCLED顶部反射镜结构,可以改变其反射率曲线特性,进而优化RCLED器件的输出光谱特性,以满足器件在多个领域的应用需求.     

非对称DBR-金属-DBR结构的光学Tamm态理论研究

作为一种特殊的金属表面态, 光学Tamm态 (OTS) 对光的控制和操作具有独到优势, 在新一代光子器件设计中备受青睐. 本文基于分布式Bragg反射镜(DBR)-金属-DBR(DMD)结构, 通过金属两侧 DBR中心频率的失配引入不对称机制, 设计和控制可见光区域OTS的产生; 通过分析反射谱及电场分布特性, 揭示了金属两侧OTS的相互作用及变化规律. 结果表明: DMD结构可支持两个不同本征波长OTS 存在, 失配量δ将影响两个OTS的强度及本征波长, 即随着δ变化OTS 出现上下两个分支; 同时, 入射光的偏振态、入射角等也对OTS的强度及本征波长具有明显影响. 关键词： 金属表面态 光学Tamm态 分布式Bragg反射镜     

Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector

A resonant cavity-enhanced （RCE） quantum dot （QD） field-effect transistor （RCEQDFET） is designed for single- photon detection in this paper. Adding distributed Bragg reflection （DBR） mirrors to the single-photon detector （SPD）, we improve the light absorption efficiency of the SPD. The effects of the reflectivity of the mirrors, the thickness and light absorption coefficient of the absorbing layer on the detector＇s light absorption efficiency are investigated, and the resonant cavity is determined by using the air/semiconductor interface as the mirror on the top. Through analyzing the relationship between the refractive index of AlxGal_xAs and A1 component, we choose A1As/Alo.15Gao.85As as the material of the mirror on the bottom. The pairs of A1As/Alo.15Gao.85As film are further determined to be 21 by calculating the reflectivity of the mirror. The detector is fabricated from semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy. The reflection spectrum, photoluminescence （PL） spectrum, photocurrent response, and channel current of the detector are tested and the results show that the RCEQDFET-SPD designed in this paper has better performances in photonic response and wavelength selection.     

分布布喇格反射镜的反射特性

采用等效法布里珀罗(FP)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化.设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构.随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加.上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定.实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出.非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致.     

基于分布式布拉格反射器结构的空间三结砷化镓太阳能电池抗辐照研究

根据电子辐照条件下的常规三结砷化镓太阳能电池光谱响应以及电池电流的损伤特征, 确定电池衰减的物理机理: 中电池在电子辐照后形成的辐照损伤缺陷, 使得基区少子扩散长度被大幅缩短, 影响了光生载流子的收集. 针对中电池衰减的物理机理, 设计不同的基区厚度, 验证辐照后扩散长度缩短至1.5 μm左右. 为提升中电池抗辐照性能, 消除辐照后扩散长度缩减带来的影响, 对中电池外延结构进行设计, 将中电池基区减薄至1.5 μm, 并在其下方嵌入分布式布拉格反射器, 对特定波段光反射进行二次吸收, 弥补中电池减薄的影响. 通过TFCalc光学模系设计软件模拟出的中心波长为850 nm, 15对Al_0.9Ga_0.1As/Al_0.1Ga_0.9As的分布式布拉格反射器, 实际测试最高反射率大于97%, 高反带宽94 nm, 能够满足设计要求. 此基础上进行了新结构电池的外延生长与辐照测试对比. 实验结果表明: 新结构太阳能电池辐照后短路电流衰减比原结构降低了50%, 效率的剩余因子提升2.3%.     

Spatial and spectral filtering of tapered lasers by using tapered distributed Bragg reflector grating

A 1040 nm tapered laser with tapered distributed Bragg reflector (DBR) grating is designed and fabricated. By designing the grating with tapered layout, the tapered DBR grating exhibits the scattering effect on side backward-traveling waves, thus achieving additional suppression of parasitic oscillation. Under the suppression of parasitic oscillation, the spatial and spectral characteristics of the tapered laser are improved. The experimental results show that a near-Gaussian far-field distribution and a kink-free P-I characteristics are achieved, and a single peak emission with a wavelength of 1046.84 nm and a linewidth of 56 pm is obtained.     

窄带有机光电探测器的优化设计

针对基于无机材料的光电探测器需要借助滤光器或棱镜耦合实现窄带响应,提出了一种通过有机材料制备窄带光电探测器并提高吸收峰值和降低半高全宽的方法和结构。该器件由分布布拉格反射器和有机光电二极管构成。有机光电二极管的顶电极和底电极之间构成光学微腔。采用传输矩阵法,详细分析了分布布拉格反射器的中心波长、有机光电二极管透明顶电极和光敏感层的厚度对有机光电探测器吸收性能的影响。研究结果表明,Tamm等离激元共振波长接近光敏感层的光学带隙时,可获得半高全宽小于20 nm的窄带响应,并且吸收峰值在70%以上。基于PTB7∶PC~(71)BM和PTB7-Th∶IEICO-4F的有机光电探测器分别可用于探测红光和近红外光。该研究从基本物理机制出发,结合材料和器件结构可将有机光电探测器的响应窗口从可见光拓展至近红外光。     

A digital-alloy AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector for application to 1.3μm surface emitting laser diodes

A distributed Bragg reflector (DBR) utilizing the digital alloy Al_0.9Ga_0.1As was grown by using the molecular beam epitaxy (MBE) method for application in 1.3 μm optical communications and compared to the analog-alloy AlGaAs/GaAs DBR. The transmission electron microscopic (TEM) image showed a highly abrupt boundary of AlAs and GaAs, which supports the formation of a digital-alloy Al_0.9Ga_0.1As layer. The measurement showed that the digital-alloy AlGaAs/GaAs DBR had similar reflection spectra with enhanced uniform distribution over the whole substrate surface compared to the analog-alloy one. In the digital-alloy Al_0.9Ga_0.1As/GaAs DBR cavity, the reflection dip position was measured at around 1273 nm and the standard deviation of the distribution of the reflection dip was 1.31 nm in wavelength over 1/4 of a three-inch wafer.     

新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管

提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺，在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn，重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInP LED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED)，去掉外延片GaAs衬底，把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规AlGaInP 吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有DBR的AlGaInP 吸收衬底LEDs(AS-LED(DBR))电、光特性的比较，证明新型全方位反射AlGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20mA时，RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍，是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20mA下峰值波长627nm)的轴向光强达到194.3mcd，是AS-LED(20mA下峰值波长624nm)轴向光强的2.8倍，是AS-LED(DBR)(20mA下峰值波长623nm)轴向光强的1.6倍. 关键词： 铝镓铟磷 薄膜发光管 全方位反射镜 发光强度     

Dual‐wavelength monolithic Y‐branch distributed Bragg reflection diode laser at 671 nm suitable for shifted excitation Raman difference spectroscopy

A dual‐wavelength monolithic Y‐branch distributed Bragg reflection (DBR) diode laser at 671 nm is presented. The device is realized with deeply etched surface DBR gratings by one‐step epitaxy. A maximum optical output power of 110 mW is obtained in cw‐operation for each laser cavity. The emission wavelengths of the device are 670.5 nm and 671.0 nm with a spectral width of 13 pm (0.3 cm⁻¹) and a mean spectral distance of 0.46 nm (10.2 cm⁻¹) over the whole operating range. Together with a free running power stability of ± 1.1% this most compact diode laser is ideally suited as an excitation light source for portable shifted excitation Raman difference spectroscopy (SERDS).     

波长可调谐取样光纤光栅激光器的输出特性研究

建立了具有两个取样周期略有不同的取样光纤光栅反射镜的Vernier波长调谐机制的光纤分布布拉格反射式激光器的数值仿真模型,对激光器的输出特性进行了分析. 研究了激光器输出特性随着激光器前后光栅反射镜波长以及前后光栅反射镜反射率的变化关系. 提出了对两取样光栅反射率的优化配置方案,可以使输出激光的边模抑制比有所提高;同时对波长调节方式也进行了探讨;进行了实验研究. 关键词： 取样光纤光栅 光纤激光器 波长可调谐激光器     

超二代微光像增强器多碱光电阴极膜厚测量研究

介绍了多碱光电阴极的光学性能和光谱反射率特性,测量了多碱阴极的光谱反射率曲线.该曲线与普通光学膜层光谱反射率曲线相比,形状较不规则,原因是多碱阴极膜层存在光吸收.光谱反射率曲线上的干涉峰是入射光在玻璃与阴极膜层界面反射和在阴极膜层与真空的界面反射的两束光发生干涉的结果.根据干涉的原理,如果阴极膜层所反射的两束光的光程差为二分之一波长的偶倍数时,光谱反射将出现干涉加强峰;如果阴极膜层所反射的两束光的光程差为二分之一波长的奇倍数时,光谱反射将出现干涉减弱峰.根据超二代像增强器光谱反射干涉峰对应的波长,可以计算出其阴极膜层的厚度约为191 nm,比二代像增强器阴极膜层的厚度增加了38％.多碱阴极膜层厚度是影响多碱阴极灵敏度的一个关键参量,仅仅靠人眼观察阴极膜层颜色的方法不准确.实践证明,利用光谱反射的方法来计算阴极膜层厚度的方法简单有效.如果在多碱阴极的制作过程中进行光谱反射率的监控,那么将可以精确控制阴极膜层的厚度,对多碱阴极的研究将会更加深入,多碱阴极的灵敏度也将会得到进一步的提升.     

GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究

GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3,分析结果显示理论曲线与实验曲线存在偏差,而在激活台内阴极灵敏度下降后的光谱响应曲线拟合结果偏差更大。这种偏差是由于表面电子逸出概率对入射光子波长的依赖关系造成的,并非通常认为的与波长无关。经过光谱响应曲线的拟合分析得出,反射式阴极表面电子逸出概率与入射光子波长之间近似满足指数关系,两者通过表面势垒因子相联系。高、低温激活后阴极表面势垒因子分别为3.53和1.36。     

利用梯度掺杂获得高量子效率的GaAs光电阴极

获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向。对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1μm分子束外延生长的反射式GaAs发射层,设计了一种从体内到表面掺杂浓度由高到低分布的新型梯度掺杂结构。掺杂浓度的范围从1×1019cm-3到1×1018cm-3,并利用(Cs,O)激活技术制备了GaAs光电阴极。光谱响应测试曲线显示,与传统均匀掺杂的GaAs光电阴极相比,梯度掺杂的GaAs光电阴极的量子效率在整个波段都有提高,积分灵敏度可达1580μA/lm,且具有更好的稳定性。讨论了这种新型GaAs光电阴极获得更高量子效率的内在机理。该设计结构是现实可行的,且具有很大发展潜力,它为国内发展高性能GaAs光电阴极提供了一条重要途径。     

电流调谐光纤光栅外腔分布布拉格反射激光器

报道一种新颖的波长可调谐光纤光栅外腔分布拉格反射激光器。把经过金属管封装的光纤面布拉格光栅作为激光二极管的外腔反射镜,得到的单模激光输出不仅线宽窄,边模抑制比高,而且,调节流过金属管的电流,可在5nm范围内的6个不同波长间转换。     

单频窄线宽分布布拉格反射光纤激光器研究

分析了单频窄线宽分布布拉格反射（DBR）光纤激光器的单模工作条件,在此基础上算出单模工作区域,制作了一个单频窄线宽分布布拉格反射光纤激光器。该激光器在波长为975.5nm的半导体激光器抽动下,在1556.91nm波长处。当抽运功率为55.35mW时输出功率可达1.43mW,频宽小于1.2MHz(受测量仪器分辨率限制）。经测量,该输出激光是稳定的单纵模输出。     

Frequency Doubling of a Laser Diode Using a Domain-Inverted LiTaO3Waveguide with a Monolithic Bragg Reflector

We report wavelength stabilization of a laser diode using a highly efficient distributed Bragg reflector (DBR) grating formed on a LiTaO₃ quasi-phase-matched second harmonic generation (QPM-SHG) device. Fabricating the second-order DBR on the LiTaO₃ waveguide, the reflectivity of 90% and FWHM wavelength bandwidth of 0.2 nm were obtained. By stabilizing the oscillation wavelength of the laser diode, 3.1 mW of blue light was generated in the QPM-SHG device with the monolithic grating.