热处理对T1—1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的ＴｌＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度Ｔ５０但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制。     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

Hg—Ba—Ca—Cu—O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ－磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究。由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相，用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状。我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理     

有机超导体κ-(BEDT-TTF)_2Cu(SCN)_2单晶的SHUBNIKOV-DE HAAS效应

测量了有机超导体κ（ＢＥＤＴＴＴＦ）２Ｃｕ（ＳＣＮ）２单晶的Ｘ射线衍射和强磁场下磁阻．样品沿垂直于传导面的晶格常数为１．４９ｎｍ．在１．２Ｋ温度，磁场垂直于传导面的位形下，在６Ｔ以上观测到磁阻振荡，即ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ效应．由ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）谱图，我们发现了对应于κ（ＢＥＤＴＴＴＦ）２Ｃｕ（ＳＣＮ）２单晶Ｆｅｒｍｉ面闭合轨道Ｆα频率和开放轨道磁突破频率Ｆβ的存在，Ｆα＝６２０±３０Ｔ，Ｆβ＝４１００±２００Ｔ．     

高Tc超导体YBaCuO（F）：磁性和ESR测量

本研究高Ｔｃ大块超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｂ（Ｆｘ）（其中ｘ＝０．０，０．５，０．７５，１．０，１．５，２．０，２．５）的磁性。Ｘ射线衍射实验表明相当多的Ｆ进入了ＹＢａＣｕＯ（１２３）晶格并被Ｏ空位俘获。用振动样品磁强计（ＶＳＷ）测试这些样品的质量比磁矩σ与温度Ｔ的关系，以及抗磁性磁滞回线。未掺氟样品的Ｔｃ为８９Ｋ，掺Ｆ（ｘ＝０．７５）的样品具有最高的Ｔｃ０＝９３Ｋ和最强的抗磁性。在１５０Ｋ样品     

不同Ba含量的Y－Ba－Cu－O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析．结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响．在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于标准化学剂量配比时有利于Ｙ（１２３）相的生成２）样品的相组成对超导转变温度Ｔｃ值影响不大，但与超导转变温度宽度△Ｔｃ密切相关．当ｘ＝１．６时，其△Ｔｃ最小，说明样品中适量的Ｙ（２１１）相杂质的存在对超导转变特性的改善是有利的．     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

Hg－Ba－Ca－Cu－O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ、磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究．由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相．用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状．我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理研究，在氧气中退火可使该样品的Ｔｃ略有增高，这些结果表明Ｈｇ－１２２３样品的超导相可能处在微弱的“ｕｎｄｅｒ－ｄｏｐｅｄ”态．     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

SCF—Xα—SW程序和LMTO程序的改进及其在固体体系中的应用

在ＹＨ－１／ＹＨ－２计算机上将多重散射Ｘα自洽场方法（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）程序和线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道方法（ＬＭＴＯ）程序做了改进，实现了向量化和并行化。研究了Ｃ６０的能级；计算了苯分子从１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ和１ａ２ｕ开始激发的１０８个Ｒｙｄｂｅｒｇ态单电子轨道激发能，即１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ，１ａ２ｕ→ｋａ１ｇ（ｋ＝３－１１），ｋｅ２ｇ（ｋ＝２－７），ｋｅ１ｕ（ｋ＝３－８），ｋｅ１ｇ（ｋ＝３－５     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

Bi2Sr2CaCu2O8中输运特性研究新发现

Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８中输运特性研究新发现高温超导（ＨＴＳ）的研究热潮，从１９８６年ＩＢＭ苏黎世实验室发现Ｔｃ＝３５Ｋ的镧钡铜氧化物超导体起，至今已持续１２年．世界各国数以千计的科学家参与了这一科学竞赛，目的是：（１）寻找更高Ｔｃ的新材料；（２）...     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。