高温高应变率下纯锆的本构模型研究

 研究了常温至1 073 K、不同应变率下（4.1×10^－4 s^－1～2.8×10³ s^-1）锆的压缩力学性能。结果表明,锆的流动应力对温度和应变率的变化比较敏感,随应变率的提高而增大,随温度的升高而降低。基于位错动力学理论,建立了锆的本构模型,并考虑塑性变形过程中孪晶演化的影响,对模型进行了修正。修正后的本构模型预测结果与实验结果吻合较好,可描述很宽应变率和温度范围内锆的塑性变形行为。     

低密度聚氨酯泡沫压缩行为实验研究

 在室温下，对一种低密度硬质聚氨酯泡沫进行了准静态压缩及应变率在1×10³～5×10³ s^-1范围内的冲击压缩实验。结果表明，所测试的聚氨酯泡沫材料在准静态实验与动态实验之间存在明显的应变率效应，但在纯动态实验中应变率效应不明显。最后，给出了以屈服应力、密度、应变等为参量的动态压缩本构关系，且能较好地与材料的动态压缩曲线吻合。     

电子束辐照圆环靶产生动态应变的实验研究

 动态应变是电子束辐照靶结构产生结构响应中的一个重要力学参数。本文叙述了近年来我们在“闪光二号”装置上进行电子束辐照圆环靶产生动态应变的实验研究。靶材为LY-12铝,靶厚为2.5~3 mm,靶上能通量为50~60 J/cm²。实验结果表明,在圆环受照部分内表面中心处应变值可达1.6×10⁴ με,而在圆环两侧内表面处应变值为(0.45~0.65)×10⁴ με。     

温度与应变率对钽流动应力的影响

 研究了温度在-100～400 ℃、应变率在10^-5～10³ s^-1范围内温度和应变率的变化对钽的流动应力的影响。结果表明,钽的流动应力对温度和应变率的变化相当敏感。同时还就两种本构模型对钽的温度效应与应变率效应的不同处理方法作了比较,指出Zerilli-Armstrong模型能更好地描述温度与应变率对钽流动应力的影响。     

水中放电等离子体状态方程的理论研究

 水中放电等离子体通道内温度达2×10⁴～5×10⁴ K、而压力达1～10 GPa。在这样的参数下,等离子体的状态方程已不能用理想气体状态方程来描述。首次考虑了粒子间的相互作用对水中放电等离子体参数下粒子电离能的影响,计算了电子的简并性、带电粒子间的库仑相互作用、原子内部能级扰动所产生的压力。计算结果表明：当H、O原子和离子的总密度n=10²⁹ m^-3时,若考虑电离能漂移,则电子密度提高的最大幅度达70%;电子的简并性对压力的影响很小;粒子间的库仑相互作用在高温区使总压减小较显著,但在所计算的参数范围内,其幅值也不大于10%;当n=10²⁹ m^-3、T≈2×10⁴ K时,原子内部能级的扰动使总压增大约30%。     

Influence of thermal and resonance neutron on fast neutron flux measurement by 239Pu fission chamber

The ²³⁹Pu fission chambers are widely used to measure fission spectrum neutron flux due to a flat response to fast neutrons. However, in the meantime the resonance and thermal neutrons can cause a significant influence on the measurement if they are moderated, which could be eliminated by using ¹⁰B and Cd covers. At a column enriched uranium fast neutron critical assembly, the fission reaction rates of ²³⁹Pu are measured as 1.791× 10^-16, 2.350×10^-16 and 1.385× 10^-15 per second for 15 mm thick ¹⁰B cover, 0.5 mm thick Cd cover, and no cover respectively, while the fission reaction rate of ²³⁹Pu is rapidly increased to 2.569× 10^-14 for a 20 mm thick polythene covering fission chamber. The average ²³⁹Pu fission cross-section of thermal and resonance neutrons is calculated to be 500 b and 24.95 b with the assumption of 1/v and 1/E spectra respectively, then thermal, resonance and fast neutron flux are achieved to be 2.30× 10⁶, 2.24× 10⁶ and 1.04× 10⁸ cm^-2·^-1.     

对带电轻子质量公式的一些猜测

本文建议轻子电磁自能通过（（δm）/m）=（1/（2π））n^-b 与量子数 n 联系起来,其中 b 为待定常数.并建议动量截断值 M 与引力常数 k 和精细结构常数α的联系为 M=（?）.得到了带电轻子质量公式（?）.利用 e^-和μ^-质量的实验值和α值作输入,给出计算值 k=（6.67231±0.00026）×10^-8 cm³g^-lsec^-2和m_τ=（1782.306±0.078）MeV,与观察值 k=（6.6720±0.0041）×10^-8cm³ g^-1sec^-2和 m_τ=(1782_-4⁺³)MeV 很好符合.公式预言第四个带电轻子质量应为 m=（11725.47±0.51）MeV 可以在最近的实验中检验。本文还对所建议的质量公式和结果进行了讨论.     

Measurement of J/ψ decays into ΛΛ π+π-

Based on 58 million J/ψ events collected by the BESⅡ detector at the BEPC, J/ψ→ΛΛ π⁺π^- is observed for the first time. The branching fraction is measured to be Br(J/ψ→ΛΛ π⁺π^-)=(4.30±0.13±0.99)×10^-3, excluding the decays to intermediate states, namely J/ψ→Ξ^-Ξ⁺, J/ψ→Σ(1385)^-Σ(1385)⁺, and J/ψ→Σ(1385)⁺Σ(1385)^-. The branching fractions for these intermediate resonance channels are measured to be:Br(J/ψ→Ξ^-Ξ⁺)=（0.90±0.03±0.18）×10^-3, Br(J/ψ→Σ(1385)^-Σ(1385)⁺)=(1.23±0.07±0.30)×10^-3,and Br(J/ψ→Σ(1385)⁺Σ(1385)^-)=(1.50±0.08±0.38)×10^-3, respectively. The angular distribution is of the form dN/d(cosθ)α(1+αcos²θ) with α=(0.35±0.29±0.06) for J/ψ→Ξ^-Ξ⁺, α=(-0.54±0.22±0.10) for J/ψ→Σ(1385)^-Σ(1385)⁺, and α=(-0.35±0.29±0.06) for J/ψ→Σ(1385)⁺Σ(1385)^-.     

新型应变式高膛压测试系统研制

 根据电子测压器的特点,以测压器的端盖作为弹性敏感元件,研制出了一种新型的集测压器壳体与传感器于一体的应变式高膛压测试系统。利用厚板变形理论,对电子测压器壳体的力学特性进行了理论分析,并利用ANSYS对壳体的应力、应变分布及弹性敏感元件的模态进行了仿真模拟。50～550 MPa静压标定实验结果表明,该测试系统的线性误差为0.62%,基本误差为4.6%,灵敏度为2.231 3×10^-12 Pa^-1,压力测量范围可涵盖0～600 MPa;动态实验结果表明利用该应变式测试系统测量高膛压是准确可行的。     

α-β石英相变的应变参数计算及其地质意义

 利用已有的α和β石英压缩性、热膨胀性、弹性及相变温度压力资料，计算了α-β石英相转变时，α和β石英的晶胞参数。依据虎克定律以及高压下β石英的弹性参数，估算了α-β石英相转变时的应变、应力和应变能。结果表明，在0~1.1 GPa条件下，随压力升高，α-β石英相变的线应变介于-0.006~0.005之间，体应变介于-0.016~0.012之间，应力介于-0.46~0.14 GPa之间；应变能介于965~2 760 kJ/m³之间。压力为0.5 GPa左右时，α-β石英相变的应变、应力和应变能均达到最小值。在此基础上，讨论了壳内大规模酸性岩浆活动引起的α-β石英相变对壳内岩石的作用。     

高压下FexN化合物的相分解

 本文研究了室温下压力对Fe_xN化合物相分解的影响。X射线衍射分析表明，高压促使氮原子从Fe_xN化合物的晶格中脱溶出来，引起相分解，形成母相与α-Fe。这种相分解现象随压力增大而加强。通过分析不同压力下母相Fe_xN与α-Fe的相对含量，研究了氮从Fe_xN中脱溶的动力学过程，并计算出激活体积。对于Fe₃N和Fe₄N化合物，其激活体积分别为2.24×10^-5 m³/mol和1.62×10^-5 m³/mol。本实验还指出，通过对Fe_xN化合物的高压处理以及适当条件下退火，可以获得Fe₁₆N₂化合物。     

光纤Bragg光栅热敏力敏效应研究及应用探讨

本文报道了光纤Bragg光栅热敏力敏效应的实验研究结果,测量所得的光纤Bragg光栅温度系数和应力系数分别为6.84×10^-6/℃和7.27×10^-6/gf,与理论值6.85×10^-6/℃和7.32×10^-6/gf符合得很好.在20～180℃和0～50gf的温度应力测量范围内,光纤Bragg光栅透射谱中心波长移动量同温度应力具有良好的线性关系.基于光纤Bragg光栅的热敏力敏效应,本文还讨论了光纤Bragg光栅温度应变传感器实用化时必须首先考虑的一些关键问题.     

ZrN-ZrB2纳米复合材料的高压制备及性能表征

 以金属锆粉（Zr）和六方氮化硼粉（h-BN）为原料,结合高能球磨和高温高压合成技术,制备出了ZrN-ZrB₂纳米复合材料。利用X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱等测试手段,对材料的结构和合成规律进行了研究。结果表明,高能球磨过程中只合成出了ZrN_x,没有出现ZrB₂,从N、B原子与Zr进行固态反应的热力学和动力学方面分析了原因。利用Zr与BN粉球磨10 h后的混料,在压力为5 GPa、温度为1 300 ℃的条件下,制备出了具有高致密度的ZrN-ZrB₂纳米复合材料。其维氏显微硬度（17 GPa）、热膨胀系数（7.57×10^-6 ℃^-1）和电阻率-温度系数（8.846×10^-4 ℃^-1）等材料参数的测量结果表明,ZrN-ZrB₂复合材料是一种集优良的力学、热学和电学性能于一体的纳米复合材料。     

D介子与∑c+重子寿命的宇宙线数据

本文提出一个证认宇宙线中新X粒子的分析原则:筛比较法。对目前全部已知乳胶室事例进行了判定。其中结果有D介子和∑_c⁺重子的平均寿命和质量,τ（D^&;#177;）=5.8×10^-13秒,τ（D⁰）=2.0×10^-13秒,τ（∑_c⁺）（?）2.4×10^-14秒。支持△I=1的选择规则。     

Cu100-xZrx金属玻璃压缩率及压力感生晶化现象

 本文采用金刚石对顶压砧高压装置和高压X射线技术测定了两种金属玻璃线压缩率曲线；得到Cu₃₀Zr₇₀和Cu₂₅Zr₇₅的线压缩率分别为2.7×10^-3 GPa^-1和2.3×10^-3 GPa^-1，实验最高压力超过30 GPa。实验过程中首次观察到Cu-Zr金属玻璃在室温下加压发生晶化的现象。     

Raman scattering investigation of C-doped a-SiO_2 after high energy heavy ion irradiations

Thermally grown amorphous SiO₂ films were implanted at room temperature with 100 keV C-ions to 5.0×10¹⁷ or 1.2×10¹⁸ ions/cm². These samples were irradiated at room temperature with 853 MeV Pb-ions to 5.0×10¹¹, 1.0×10¹², 5.0×10¹² ions/cm², or with 308 MeV Xe-ions to 1.0×10¹², 1.0×10¹³, 1.0×10¹⁴ ions/cm², respectively. Then the samples were investigated using micro-Raman spectroscopy. From the obtained Raman spectra, we deduced that Si--C bonds and sp² carbon sites were created and nano-inclusions may also be produced in the heavy ion irradiated C-doped SiO₂. Furthermore, some results show that Pb ion irradiations could produce larger size inclusions than Xe ions and the inclusion size decreased with increasing the irradiation fluence. The possible modification process of C-doped a-SiO₂ under swift heavy ion irradiations was briefly discussed.     

A study of radiation effects of 9 and 12 MeV protons on Chinese CMOS image sensor degradation

The 9 and 12MeV proton irradiations of the Chinese CMOS Image Sensor in the fluence range from 1×10⁹ to 4×10×10cm^－2 and 1×10⁹ to 2×1012cm^－2 have been carried out respectively. The color pictures and dark output images are captured, and the average brightness of dark output images is calculated. The anti-irradiation fluence thresholds for 9 and 12~MeV protons are about 4×10¹⁰ and 2×10¹² cm^－2, respectively. These can be explained by the change of the concentrations of irradiation-induced electron-hole pairs and vacancies in the various layers of CMOS image sensor calculated by the TRIM simulation program.     

Investigation of PL properties of C-doped SiO2/Si samples after high energy Pb ion irradiation

Amorphous SiO₂ thin films with about 400—500 nm in thickness were thermally grown on single crystalline silicon. These SiO₂/Si samples were firstly implanted at room temperature (RT) with 100 keV carbon ions to 2.0×10¹⁷, 5.0×10¹⁷ or 1.2×10¹⁸ ions/cm², then irradiated at RT by 853 MeV Pb ions to 5.0×10¹¹, 1.0×10¹², 2.0×10¹² or 5.0×10¹² ions/cm², respectively. The variation of photoluminescence (PL) properties of these samples was analyzed at RT using a fluorescent spectroscopy. The obtained results showed that Pb-ion irradiations led to significant changes of the PL properties of the carbon ion implanted SiO₂ films. For examples, 5.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation produced huge blue and green light-emitters in 2.0×10¹⁷ C-ions/cm² implanted samples, which resulted in the appearance of two intense PL peaks at about 2.64 and 2.19 eV. For 5.0×10¹⁷ carbon-ions/cm² implanted samples, 2.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation could induce the formation of a strong and wide violet band at about 2.90 eV, whereas 5.0×10¹² Pb-ions/cm² irradiation could create double peaks of light emissions at about 2.23 and 2.83 eV. There is no observable PL peak in the 1.2×10¹⁸ carbon-ions/cm² implanted samples whether it was irradiated with Pb ions or not. All these results implied that special light emitters could be achieved by using proper ion implantation and irradiation conditions, and it will be very useful for the synthesis of new type of SiO₂-based light-emission materials.     

对薄层柱壳爆炸膨胀断裂过程的研究

 本文提出了一个用于描述动态破坏发展过程的损伤度函数。从这个损伤度函数出发,把材料特征性方程取为强化粘塑性本构方程形式,导出了薄层柱壳爆炸膨胀运动在两种近似下（恒定膨胀速度近似合恒定应变速率近似）断裂判据的解析表达式。结果分析表明,在上述条件下,存在着一个动态断裂“塑性峰”,在这个峰值条件的应变率下,柱壳出现贯穿断裂时刻的应变最大。以软钢为算例,本断裂判据可以比较好地解释Иванов和陈大年等给出的实验结果。这时,动态断裂“塑性峰”对应的应变率为4×10⁴ s^-1,相应的应变约为60%~80%。     

铜的高压声速和冲击熔化

 用光分析技术，测量了在一维应变冲击条件下，无氧铜的高压下声速，压力范围为125~170 GPa。将上述结果与Broberg、Morris等和Aльгшуер等过去发表的数据结合在一起，对0~170 GPa整个压力区间的声速数据做了综合分析，给出了声速随压力的变化规律。实验结果发现，无氧铜在156~159 GPa之间开始发生冲击熔化，到170 GPa左右，完全进入液相区；对于处于0~156 GPa固体无氧铜的弹性声速c_l可用ln c_l=1.565 888-2.645 488×10^-2ln p+2.710 681×10^-2ln²p拟合公式描述（p的单位为GPa，c_l的单位为km/s），拟合值与实验值的相对误差小于1.3%。