低杂波驱动的加速效应

将描述低杂波驱动电流的福克-普朗克方程推广到包含径向运动时,方程中将出现一个加速项。本文着重考察这个加速效应对波驱动的速度扩散和径向输运的影响。 关键词：     

电子-离子碰撞对超热电子影响的PIC模拟计算

超热电子-离子的产生和输运在传统的ICF方案和“快点火”方案中都是很重要的问题.讨论了电子-离子碰撞对参量不稳定性产生超热电子的过程和超热电子输运过程的影响.指出电子-离子弱碰撞项的加入增强了碰撞吸收,提高了热电子温度,降低了静电波破裂时的场能.这些改变了超热电子的总能量和分布,使之更集中于静电波的相速;电子-离子碰撞的存在还增强了自洽电场,阻碍了超热电子的输运,同样也是超热电子能量下降的原因之一.同时,为确保计算结果的可靠,讨论了初条件对PIC模拟计算的影响,指出空间位置随机热启动容易引入非物理因素,对 关键词：     

导带电子的光吸收及其对材料破坏过程的影响

计算了可见光和紫外光激光照射下声子和电子-空穴散射参与的导带电子的单光子吸收和双 光子吸收速率,讨论了非线性吸收和空穴散射参与的吸收对材料损伤过程的影响.结果表明 ,这两种过程使导带电子吸收光子的速率提高一倍以上,材料发生非热致损伤的临界强度降低约1/3.雪崩速率不仅含激光强度的线性项,还包含了激光强度的二次项和激光强度与空穴 浓度的乘积项.理论给出的损伤阈值也有一定程度的减小. 关键词： 石英玻璃 双光子吸收 单光子吸收 损伤机理     

随机磁场对静电波驱动的速度扩散的影响

随机磁场改变了波与粒子之间的耦合关系。因而使波驱动的速度扩散受到影响。其结果是:波电场的横向分量可以对纵向速度扩散有贡献;∈<<1情形,扩散系数的共振峰被展宽;∈>>1情形,扩散系数的振荡效应被削弱。当随机磁场的关联时间与波的特征时间之间相对大小不同时,随机磁场产生影响的具体机制不完全相同,所造成的后果也有差别。对于接近于在垂直方向传播的波,随机磁场对速度扩散的影响一般是重要的。     

一维自旋1/2电子系统的单杂质散射研究

应用高斯波泛函方法，研究了单个局域杂质对一维自旋1/2传导电子的散射问题．研究结果表明，双粒子散射与单粒子散射具有同样的重要性．由于这两种散射机制相互竞争，形成了拉亭格液体中电荷密度波和自旋密度波的各自的重整化质量．随着这些质量的消失，在参量空间中出现了相界，在不同相区中系统呈现不同的动力学行为 关键词：     

高空核爆炸产生的电子数密度的近似估计

在高空核爆炸的条件下,由γ-康普顿散射产生的高能电子离化空气产生次级电子。本文推导了描述次级电子的速率方程组的解析解。并把解析解的结果与数值计算的结果作了比较,离地面的高度越高,两种方法的计算结果越接近。     

电子回旋激射不稳定性与磁化中子星的线发射

结合典型的磁化中子星HerX-1的硬X谱线,对相对论情形的电子回旋激射不稳定性作了进一步研究。计算了FX模的频率随传播方向的变化,FX模的增长率随波矢k的变化,中子星的引力和非热电子的平均动能对不稳定性增长率的影响,并对所得结果作了分析讨论。     

ELECTRON TRANSPORT BEHAVIOURS IN THE NITROGEN DIRECT CURRENT GLOW DISCHARGE

A Monte Carlo simulation is presented to describe the electron transport behaviours in the nitrogen direct current glow discharge. The energy and angular distributions of the electrons at different positions of the cathode dark space are calculated; their energy and density distribution features throughout the entire discharge are discussed. The influence of molecular vibrational excitation, typical for electron－molecule collisions, has been studied and the elementary process of active species generation has been illustrated. The simulated results reveal that, in the cathode dark space, the high-energy electrons are mainly forward scattering and behave as a high-energy ‘electron beam'. The sharp increase of the number of secondary electrons plays an important role in producing active species at the interface between the cathode dark space and the negative glow region. The vibrational excitation enhances the energy loss of electrons in the negative glow region.     

铁磁性的量子理论

本文用双时格林函数方法计算了铁磁性金属在整个温度范围内的自发磁化强度和磁各向异性常数K₁。计算中考虑了平均每个原子的d电子数非整数的事实和同一原子内d电子之间的交换作用。所得结果较普通Heisenberg模型的有所改进。K₁随温度的变化性质可以得到定性的解释。     

合金元素韧化或脆化FeAl金属间化合物的微观机制

通过测量二元FeAl以及含B，Zr或Si的FeAl合金的正电子寿命谱参数，计算合金基体和缺陷处的价电子密度.结果表明，当Al原子和Fe原子结合形成FeAl合金时，Al原子提供价电子与Fe原子的3d电子形成局域的共价键.FeAl合金基体的价电子密度很低，FeAl合金中金属键和共价键共存.FeAl合金晶界缺陷的开空间大于Fe空位或Al空位的开空间，FeAl合金晶界处的金属键合力很弱.在FeAl合金中加入少量的B，一部分B原子以间隙方式固溶到FeAl基体中，增加基体的价电子密度；另一部分B原子偏聚到FeAl合金的晶界上，也增加了晶界处的价电子密度.在FeAl合金中加入Zr，增加了合金中的金属键成分，使基体中的价电子密度增加，增强了基体中金属键合力.Zr原子的加入还降低了FeAl合金的有序度，使合金晶界容易弛豫，晶界缺陷的开空间变小.Zr原子在晶界附近出现，还增加了晶界处的价电子密度.在FeAl中加入B或Zr有利于提高合金的韧性.在FeAl合金中加入Si，晶界处的Si原子与邻近的原子形成强的共价键，使得在晶界处参与形成金属键的价电子密度降低.在FeAl中加入Si使合金更脆. 关键词：     

薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO₂对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO₂层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO₂中得到了明显的加速.     

同科电子L－S耦合原子态的确定

给出一种确定同科电子Ｌ－Ｓ耦合原子态的简便方法，同时指出如果两个同科电子组态的电子数之和等于该支壳层上的电子数，那么这两个同科电子组态具有相同的原子态．     

电子经过介质由于介质被极化影响能量损失的研究

电子经过介质时,将介质极化,本工作的目的是研究较低能量的电子经过不同介质时,由于这种极化效应对于电子能量损耗的影响。利用灌氢气的膨胀式云雾室测量了能量为0.3—1.0Mev的电子经过铍、炭及铝片的平均能耗及最大可几能耗。实验指出:在此能量范围内的电子,经过某些介质,它们的传导电子数与全部电子数的比值f₀以及电阻系数ρ都大,如铍及炭,其能量损耗由于介质被极化而显著减少。电子经过铍的能耗实验结果显著比考虑了介质极化影响的Helpern及Hall与电子能量损耗有显著减少Sterneimer的理论为小;电子经过炭的能耗实验结果是介于此二理论之间。     

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 关键词：     

超导材料的各向异性特征与超导转变温度T_c

在本文中,以电声子机制超导电性理论为基础,用电负性均衡原理研究了由于超导材料的各向异性引起的电子态密度分布的不均匀性,晶格稳定性的差异性及超导材料中元素成键特征对超导转变温度影响的特征,提出了在各向异性的超导材料中电声子机制可以产生高的超导转变温度Tc.     

布里渊区角顶附近的费米面的计算

本文提出在布里渊区角顶近旁费米面的计算,考虑晶格周期场作用和电子间交换能作用费米面电子能级随费米面增加存在一个极小值。以铝金属为具体对象作了数值计算。     

磁化等离子体中逃逸电子的临界速度

根据等离子体动力论,分析了在磁化等离子体中逃逸电子的临界速度,并在托卡马克参数下作了数值计算。计算表明,有磁场时,逃逸电子所受到的摩擦力,在纵向速度较大时比无磁场时的为大,这相应于逃逸电子临界速度的提高,因而高能的逃逸电子也较难产生。当磁场增大时,摩擦力略有减小。在纵向速度较高时,逃逸电子的横向速度分量对临界速度的影响较明显,横向速度越大,临界速度也越大。 关键词：     

重费密子合金的Slave Boson平均场理论

本文从Yoshimori-Kasai模型出发,在Slave Boson平均场范围内采用相干势近似方法,给出一个描述重费密子合金正常态的理论。自洽计算了重费密子合金中传导电子和强关联f电子的态密度随合金浓度的变化。所得结果不仅明确揭示了态密度中赝隙形成的过程,还对重费密子合金中比热和热电功率的低温相干效应作出了合理的解释。     

HL-1装置逃逸电流的数值模拟

本文对HL-1装置放电中的逃逸电流进行了零维数值模拟。考虑了逃逸电子的产生和损失,电子及离子的能量平衡与粒子数平衡。数值结果与实验较为符合。     

THE PROTOTYPE OF THE TIME EXPANSION CHAMBER

The prototype of the time expansion chamber, one kind of drift chambers, inwhich the drift region and amplification region is well separated, is described. Its prin-ciple, characteristic, construction and some experimental results are given in detail, Theseresulte are: signals of ionization process along a single charged particle track; the driftvelocities of the electrons in several gases; and the counts distribution of the ionizationclusters in the unit track of a beta particle. And some possible improvements of theseexperiments and the possible applications of this chamber are discussed.