铁基超导体Minimum模型中的d波和扩展s波

对比研究了Minimum模型中d-波配对和扩展s-波配对的基本性质.结果表明,超导序参量按类BCS关系随温度变化,重整化参数t对超导有抑制作用,当t足够大时,超导消失,系统进入正常金属相.此外,讨论了超导序参量随不同参量的变化关系.对于d波,系统有稳定态;而对于扩展s波,系统则没有稳定态.     

N-S多层薄膜结构的超导临界温度讨论

本文推广了McMillan隧道模型,并应用于厚度小于超导相干长度的超导和正常膜组成的N-S多层薄膜结构。计算了它的序参量和超导临界温度。由于界面区域电声子作用的修正以及不同原子的掺杂所引起的T_c增强的可能性也作了讨论。 关键词：     

手性ABM态p波超导体上临界磁场的角依赖关系

利用格林函数方法,通过Klemm-Clem变换,计算具有正交晶格结构椭球形费米面的手性ABM态p波超导体上临界磁场的角依赖关系.超导序参量选取具有手性ABM对称性的等自旋配对单分量形式.当椭球形费米面满足一定条件时,上临界磁场随角度呈现非单调变化,表明除配对电子有效质量的各向异性外,手性ABM态p波超导体也具有超导序参量的各向异性.计算结果可用于判断重费米子超导体Sr2RuO4的配对电子空间结构.     

用射频超导量子干涉器件测量高温超导体序参量的位相

利用射频超导量子干涉器件理论,提出了在一般的非回滞模式(β≤1,不限于β1)下测量高温超导体序参量对称性中相位信息的工作原理.以β=0.7为例对系统作了详细的讨论,给出在这个条件下用以测量序参量相位的射频偏置参量范围. 关键词：     

非中心对称超导序参量研究

非中心对称超导体是近年发现的一类新型超导材料. 在这类材料中, 非中心对称的晶体势场产生一个有效的反对称自旋-轨道耦合(ASOC)并导致自旋简并的能级发生分裂, 从而在超导配对态中允许自旋单态和自旋三重态混合. 这一性质有别于先前研究的大部分超导体, 需要从概念上突破BCS理论框架. 此外, 理论研究还表明非中心对称超导可能还是一类潜在的拓扑超导材料. 这些独特的物理性质已激发了广泛的研究兴趣, 并且越来越受到关注.#br#超导序参量的对称性是认识和理解超导形成机理的一个重要物理量. 本文将介绍基于隧道二极管的伦敦穿透深度测量技术, 并简要综述非中心对称超导的研究现状以及穿透深度测量在非中心对称超导序参量研究中的应用. 通过对比研究具有不同反对称自旋-轨道耦合强度的非中心对称超导材料, 我们发现其混合超导配对态与反对称自旋-轨道耦合强度缺乏简单的对应关系, 但与能带劈裂(E_ASOC)相对于超导转变温度(T_c)的比值(E_r=E_ASOC/T_c)紧密相关.     

电流激励下两带单结超导环的电磁性质研究

在两带Ginzburg-Landau理论基础上,我们研究了在电流激励情形下两带单结超导环的电磁性质.两带超导环中可引入的两个超导序参量的相位差满足sine-Gordon方程,由该方程的孤立子解我们得到了单个超导结(微桥结构)两端相位差与总磁通之间的线性关系.通过微桥中电流与超导结两端相位差满足的非线性Josephson方程,建立了在电流激励下环内磁通与外加电流之间的依赖关系.我们的分析表明两带超导环中可能产生的孤立子解及分数磁通量子化现象可以通过测量单结超导环中的电磁性质加以验证.     

液晶近晶C相双轴特性的统计理论

采用格胞模型,定义了分子取向序参量、双轴序参量、质心位置序参量以及取向与质心位置耦合序参量.由自由能极小求得指向矢倾斜角与双轴序参量间的关系.对典型Sc相液晶物质TBBA,TBSA和NOBA的双轴序参量随温度的变化以及取向序参量和倾斜角对双轴序参量的影响作了数值计算,并与实验结果进行比较.表明这种双轴特性主要产生于Sc相的指向矢倾斜结构和分子取向的有序性. 关键词：     

重费米子材料与物理

作为典型的强关联电子体系,重费米子材料表现出丰富的量子基态,如反铁磁序、铁磁序、非常规超导、非费米液体、自旋液体、轨道序和拓扑态等.相比其他强关联电子体系,重费米子体系的特征能量尺度低,可以通过压力、磁场或掺杂等参量对不同量子态进行连续调控,因而是研究量子相变、超导及其相互作用的理想体系.本文简要介绍重费米子研究的发展历史和国内外研究现状,概述几类典型的重费米子材料,并简单阐述重费米子超导、量子相变和强关联拓扑态等前沿科学问题.     

正常金属-铁磁绝缘层-dx2-y2+idxy混合波超导结中的磁散射对隧道谱的影响

在正常金属铁磁绝缘层dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和界面的粗糙散射效应,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论,计算了隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰.     

La1-xSrxCuO4中的条纹结构

我们研究了被BCS理论和京茨堡-朗道(GL)理论所忽略的晶格周期势对超导特性的影响.根据有效质量近似,晶格周期势能包含在电子的有效质量里,这样的有效质量有个非同寻常的特点,它可以取负值.从而导致完全不同的超导序参量在空间分布.这样的一种分布能很好的解释铜氧化物超导体的诸多反常现象,如条纹相、正常态中的赝能隙等现象.跟主流的观点正好相反,我们的结果显示铜氧化物的许多反常特性依然能在费米液体理论框架下解释.常规超导体和铜氧化物超导体能有机的统一起来.     

硅烯/d_(x~2-y~2)+id_(xy)混合波超导隧道结隧道输运性质研究

运用Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理论研究了硅烯/d_(x~2-y~2)+id_(xy)混合波超导隧道结的隧穿性质.研究发现:垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ_1/Δ_0强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值;当两种混合波的序参量比值较大时,隧道谱线在外加偏压E=Δ_1处出现谐振峰;系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期性变化,变化周期为π/2;由于d_(xy)-波的存在,通过改变外加电场可以对隧穿电流加以调控.     

液晶聚合物/柔性链聚合物共混体系相分离形态

利用元胞动力学方法在二维情况下对浓度、取向序参量的含时Ginzberg Landau方程进行数值求解 ,研究了液晶聚合物 /柔性链聚合物共混体系的相分离动力学 ,考察了浓度、取向有序过程的耦合对相分离形态的影响 .结果表明 ,此耦合作用对相分离的时间进程以及相分离图样的空间排布都有影响 .液晶聚合物的取向有序相当于增加了两组分间的不相容性而促进两相分离 ;两个序参量在热力学方面的耦合使液晶聚合物趋向于沿着界面方向取向 ,而动力学方面的耦合使液晶聚合物分子沿着其取向方向扩散 ,相分离图样的空间排布由这两种效应共同决定 .通过极化率张量的定义用数值方法模拟得到了相分离体系的小角光散射图样 ,结果表明 ,散射强度分布具有方位角依赖性 ,它是由浓度、取向序参量的空间变化共同决定的 .     

硅烯/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结隧道输运性质研究

运用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论研究了硅烯/dx2-y2 +idxy 混合波超导隧道结的隧穿性质.研究发现:垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0 强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值;当两种混合波的序参量比值较大时,隧道谱线在外加偏压E =Δ1 处出现谐振峰;系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期性变化,变化周期为π/2;由于dxy-波的存在,通过改变外加电场可以对隧穿电流加以调控。     

N(O)的分布与原子核外电子的分布、V与电离势的关联

BCS超导电性微观理论中提出超导材料的超导转变温度Tc由θ(临近费米界面电子之间的相互吸引),λeff=N(O)V(N(O)在费米界面每单位能量的一种自旋Bloch态密度;V=平均,电子对在-ω<ε<ω在区域中跃迁的矩阵元Vkk′能为衡量的平均矩阵元)决定,并给出计算公式.基于高Tc超导材料的特征,用电负性均衡原理分析了由于在高Tc超导材料中的元素有化学键的形成,N(O)和V具有特殊的变化,电声子机制可以产生高Tc超导电性。     

多层共轴空心超导圆柱体(NSC)系统的GL泛函和磁通量子化

本文将N层共轴空心超导圆柱体系统作为一个整体而建立了Ginzburg-Landau(GL)泛函。在薄壁近似或弱磁场情况下求解GL电流方程。引入与含超导序参量的穿透深度和等效面积有关的类电感系数,给出了NSC系统类磁通量子化的具体表示式,它由N个磁通量子数n_1,n_2,…,n_N来表征,并在N=1,2时分别过渡到与单层和双层空心超导圆柱体(SSC和DSC)系统的类磁通量子化情形相一致的结果。     

CeCu_2Si_2和UBe_(13)的超导理论(Ⅰ) 模型,T_c及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu_2Si_2和UBe_(13)的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可以自然地得出f电子参加超导的结论。     

重费米子超导

重费米子材料作为典型的强关联电子体系,具有丰富的物理内涵。重费米子超导也因复杂的电子间相互作用而具有多种不同的超导配对机理。文章以几个典型的重费米子超导体(CeCu_2Si_2、CeMIn_5、UTe_2)为例,介绍其基本物理性质,其中重点讨论超导与反铁磁、铁磁之间密不可分的竞争/共存关系。另外,文章还讨论空间反演中心/时间反演对称性破缺对重费米子超导体序参量的影响。最后,简单介绍了几种比较特殊的竞争序诱导的重费米子超导态。     

层状铜氧化物超导体的有限温Landau理论

采用有限温的Landau理论来描述层状铜氧化物超导体中的竞争序和层间Josephson隧道效应 .通过讨论单层和双层铜氧面结构的超导体中序参量的相图，并与实验相比较来确定理论中 唯象参数的合理范围，同时也解释了在最佳掺杂区附近赝能隙的转变温度远高于与之对应的 能量尺度这个颇具疑惑的实验事实.再将理论应用到多层的超导体系，计算了超导转变温度 T_c随体系层数N的变化，在合理的参数空间里，最佳掺杂区附近的计算结果与现 有的实验相一致，而在极度欠掺杂区和极度过掺杂区的单调性上升可作为理论预言 关键词： 竞争序 层间Josephson隧道效应 电荷不平衡 赝能隙     

序参量守恒系统中空间相关的界面生长

用重整化群方法分析了序参量守恒系统在空间关联下的界面生长行为。得到了标度指数x和z作为空间维数d和相关指数ρ的函数。结果表明,序参量守恒条件使生长弛豫时间增长,空间相关使生长表面粗化。并与E.Medina等人和T.Sun等人的结果作了比较。 关键词：     

三维动态Ising模型中的非平衡相变:三临界点的存在

用Monte Carlo方法模拟了三维动态Ising模型中的非平衡相变,用统计的观点研究了序参量的大小和分布以描述该相变过程.保持温度和外场频率不变,改变外场大小使之由小到大变化,序参量由非零值变成零值.在低温阶段,序参量呈非连续变化,为典型的非连续相变,在高温阶段,序参量呈连续变化,为典型的连续相变.本文确定了界定非平衡转变的相界,并进一步确定了相界上区分非连续连续相变的三临界点.外场频率ω减小时,三临界点温度T_TCP向高温部分移动,并满足T_TCP=1.33× 关键词： 动态相变 Ising模型 三临界点