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1.
运用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论研究了硅烯/dx2-y2 +idxy 混合波超导隧道结的隧穿性质.研究发现:垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0 强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值;当两种混合波的序参量比值较大时,隧道谱线在外加偏压E =Δ1 处出现谐振峰;系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期性变化,变化周期为π/2;由于dxy-波的存在,通过改变外加电场可以对隧穿电流加以调控。  相似文献   
2.
运用拓展的BTK理论研究了拓扑绝缘层上铁磁/铁磁超导隧道结的磁效应和塞曼效应,同时考虑了铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应.研究发现:在该系统中塞曼效应和邻近效应可以共存;铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应能够增强系统中发生在eV=Δ处的Andreev谐振散射过程和邻近效应.  相似文献   
3.
在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态p波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值.  相似文献   
4.
非退化扩散过程的极性与相交性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文讨论非退化扩散过程的极性,得到了几个较好的充分条件,它可看作[1]的进一步深化,此外,我们将这些结果用来研究两个独立的非退化扩散过程的相交性,得到了一些有意思的结果。  相似文献   
5.
6.
一、填空题(共5个小题,每小题7分,共35分) 1.等差数列{a_n)与等比数列{b_n}的首项是一个相等的正数,且a_(2n 1)=b_(2n 1),则a_(n 1)与b_(n 1)的大小关系是a_(n 1)≥b_(n 1)。  相似文献   
7.
本文讨论一类跳过程的分布的密度的存在性.用 Malliavin 分析技巧和鞅方法证明了一类跳过程的分布有 L~P 可积的密度.所得结果是新的,并指出了[1]中的错误.  相似文献   
8.
本文介绍了中国石油大学(华东)物理实验教学中心开展物理实验大平台建设与实践情况。物理实验大平台建设以"整体规划、统一建设、集中管理、资源共享、促进创新"为指导思想,构建"一个中心,两个平台、多个模块"实验室运行体系,提高了实验室建设和运行水平,促进了教学、科研和人才培养。  相似文献   
9.
设B(t)=(B(t))=(B1(t),B2(t),…,BN(t))为N维Brown运动,设α(x)=(αij(x),1(≤)I(≤)d,1(≤)j(≤)N),β(x)=(βi(x),1(≤)I(≤)d),x∈Rd,1(≤)d(≤)N,α(x)和β(x)有界连续和满足Lipchitz条件,且存在常数c0>0,使得对每个x∈Rd,a(x)=α(x)α(x)*的每个特征根都不小于c0.设dX(t)=α(X(t))dB(t) β(X(t))dt,设d(≥)3.可以证明P(ωDimX(E,ω)=DimGRX(E,ω)=2DimE,(A)E∈B[0,∞))=1.这里X(E,ω)={X(t,ω)t∈E},GRX(E,ω)={(t,X(t,ω))t∈E},DimF表示F的Packing维数.  相似文献   
10.
1 初赛试题(1992年11月15日上午9:00~11:00) 一、选择题(满分36分,每小题6分) 1若|a|=-a,则|2a-(a~2)~(1/2)|等于( ) (A)a (B)-a (C)3a (D)-3a 2 在△ABC中,AC:AB=1:2,∠A的内、外角平分线分别为AE和AF,则面积S_(△ABC):S_(△ABE):S_(△ABF)等于( )  相似文献   
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