A Quasi-Symmetric Coupled Quantum Well and Its Electric-Optical Properties

We propose a novel coupled quantum well structure, i.e. a quasi-symmetric coupled quantum well (QSCQW). Based on the demands of optical switching devices for quantum well materials, the QSCQW configuration is further optimized. Consequently, in the case of low applied electric field 25kV/cm and low absorption loss 100cm^-1, a large field-induced refractive index change (for TE mode, n = 0.0106; for TM mode, n = 0.0115) is obtained in the QSCQW structure at the operation wavelength 1550hm. The value is in one or two order of magnitude larger than that in a rectangular quantum well and about 50% larger than that of five-step asymmetric coupled quantum well structure under the same working conditions. The refractive index change obtained with the optimized QSCQW under so low absorption loss and applied electric field is very attractive for semiconductor optical switching devices. This manifests that the QSCQW structure has a great potential for applications in ultra-fast and low-voltage optical switches and in travelling wave modulators.     

Design and fabrication of the star coupler based on SOI material

A 1×25 star coupler is designed through calculation and beam propagation method (BPM) simulation. Improvement methods are focused on the design of the tapered waveguides in the device, improving the uniformity of the output light power of the star coupler. Utilizing the conventional Si process technology, the device is fabricated based on silicon-on-insulator (SOI) material. The test result shows that the star coupler has a perfect function of power splitting.     

实验课系统改革及新实验研讨会

根据去年5月普化课程小组的决定,在全国广泛征集普化教师教学、科研论文的基础上,于1988年8月16日至21日、在北京高教社举行的扩大工作会议上进行了教学、科研论文报告和学术交流。会议共收到80多所高校的论文191篇,其中教学论文121篇、科研论文70篇。其中40篇在大会报告,94篇作书面交流。教学论文的重点是教学中有关问题的学术性研究,同时也涉及如何试行普化课程教学基本要求、转变教学思想、改革教学内容和     

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。     

YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz体系的Co,Zn共同掺杂效应

本文报道通过对YBa₂Cu_1-xCo_x(Cu_1-yZn_y)₂O_z(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度T_c和载流子浓度n_h均迅速下降,Co 关键词：     

对“配平复杂氧化还原反应的系数问题”一文的商讨

阅读本刊1982年第5期问题解答栏“配平复杂氧化还原反应的系数问题”一文后,觉得有欠妥之处,现提出来和作者、编者商讨。     

串联双环光微谐振器的滤波特性

详细研究了串联双环光微谐振器的光带通滤波特性，给出了其通带带宽的公式，分析了出／入环光耦合系数和环间光耦合系数对通带特性的影响，计算并特别强调了滤波通带的结构特点，也分析了微环中存在的光损耗对串联双环光微谐振器的滤波特性的影响。     

一类Riemann-Hilbert边值逆问题

给出解析函数的一类R iem ann-H ilbert边值逆问题的数学提法,依据解析函数R iem ann-H ilbert边值问题的经典理论,讨论了此边值问题的可解性,给出了该边值问题的可解条件和解的表示式.     

氯化亚锡吸附与配位作用下L-肌肽的表面增强拉曼光谱

利用在电极表面强化学吸附的氯化亚锡与被测有机/生物分子之间的相互作用,不仅可以有效消除被测分子的碳化和氧化现象,还可以获得特别的增强信号,可应用于反应活性强的有机/生物分子的表面增强拉曼光谱分析。还报道了肌肽的电化学表面增强拉曼散射(SERS)光谱的研究结果,重点考察了加入氯化亚锡前后和改变电极电势对肌肽吸附SERS光谱的影响。无氯化亚锡时,肌肽的SERS光谱存在严重的碳化信号的干扰;氯化亚锡存在下,调控电极电势可引起吸附的氯化亚锡与肌肽在电极表面发生配位作用,借助这种表面相互作用,可将肌肽固载于基底表面,从而获得L-肌肽的高质量表面增强拉曼光谱,完全消除碳化现象的干扰。     

Conficker蠕虫传播模型

"飞客"(conficker)蠕虫病毒是近期在全球爆发的以微软的windows操作系统为攻击目标的计算机蠕虫病毒,从爆发至今,感染数量巨大,形成了巨大规模的僵尸网络,对互联网安全形成了巨大的威胁.采用域名重定向技术监测conficker蠕虫的扩散传播,针对其查杀率低,传播周期长的特点,考虑地域、连通性等因素所导致的感染主机传播能力的差异,建立conficker蠕虫传播模型,最后通过真实的conficker蠕虫监测数据验证了模型的有效性.