RE1—xTxMnO3氧化物的结构，电磁特性和巨磁电阻

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

Ga掺杂对La0.67Ca0.33MnO3磁电阻的提高

本文研究了Ｇａ部分替代Ｍｎ位对巨磁阻材料Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３的磁性和输运性质的影响。实验结果表明Ｇａ掺杂破坏了双交换作用,使电阻率上升而磁有序转变推移到低温。但是,Ｇａ掺杂使磁电阻效应显著提高,证明Ｍｎ位元素替代可能是提高ＣＭＲ的一种有效途径。     

La_(1-x)Ca_xMnO_3的巨磁电阻效应

通过测量Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３，Ｌａ０．６Ｃａ０．４ＭｎＯ３单相多晶样品的磁电阻、电阻与温度的依赖关系，发现在Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中随ｘ的变化，其磁电阻峰和电阻峰都发生了位移．作者认为体系中Ｍｎ４＋含量是受Ｃａ含量调制的，正是Ｍｎ４＋含量的变化，导致磁性结构发生转变．基于Ｚｅｎｅｒ的双交换机制，对实验结果给出了满意的解释     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

自旋玻璃锰氧化物La0.67Ca0.33(Mn，Fe)O3中的分步磁化和超大磁电阻

在Ｍｎ位替代钙钛石氧化物Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３（Ｍｎ,Ｆｅ）Ｏ３中观察到分步磁化现象,并在临界场附近获得大于１０４％的超大磁电阻效应．指出自旋玻璃相中反铁磁团簇在外磁场下的熔化是分步磁化的物理起因．     

高温超导／铁磁多层膜样品制备与输运性质的初步研究

本介绍我们对高温超导／铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜与铁磁巨磁电阻材料Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

H^—5的正四面体中心和正方形中心构型能量的理论计算

文中用ＭＡＣＱＭ（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎｉｃｓ）方法计算了负离子团簇Ｈ－５的正四面体中心和正方形中心构型的能量随中心原子核到顶角原子核间距离Ｒ变化的曲线。计算得知，两种构型均在Ｒ＝１．５５ａ０时有能量极小值Ｅ正四面体中心＝－２．７８９９ａ．ｕ．，Ｅ正方形中心＝－２．７５３９ａ．ｕ．。说明Ｈ－５的这两种结构都可能存在，但正四面体中心结构较为稳定。     

钼（钨）─铜─硫─二烷基二硫代甲酸根原子簇化合物的核磁共振研究

用１Ｈ、１３Ｃ、９５ＭｏＮＭＲ技术研究了一系列Ｍｏ（Ｗ）—ＣＯ—Ｓ一ｄｔｃ原子簇化合物，并用动态９５ＭｏＮＭＲ技术跟踪了ＭｏＯｎＳ４（ｎ＝０，２），ＣｕＣｌ，Ｒ２ｄｔｃ（Ｒ２＝Ｍｅ２，Ｅｔ２）几个反应，在此基础上推导了该系列化合物的形成机理．     

La2／3Ca1／3Mn1—xCuxOy系统磁阻同磁历史关系的实验研究

实验上研究了Ｃｕ掺杂的Ｌａ１／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯｙ单相样品液氦温度时的磁阻对磁场历史的依赖关系。结果表明，相对于其它掺杂的样品，ｘ＝０．１５样品的磁阻强烈的依赖于磁历史，体现在两个方面，一是磁阻曲线存在着非常明显的滞后效应；二是固定场下测得的电阻随时间的变化呈对数型关系。     

Ba,Sr,Ca在Co／γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制（II）

用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在７５０℃和９００℃焙烧的系列催化剂Ｃｏ－Ｍ／γ－Ａｌ２Ｏ３（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｏ３Ｏ４／Ａｌ２Ｏ３＝８ｗｔ％，Ｍ／Ｃｏ＝１５ｍｏｌ％）测定了ＣＯ氧化转化率，用ＢＥＴ表面，ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＤＴＡ和ＴＰＲ等手段研究了助剂Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ的作用，结果表明，加入助剂后，ＣＯ完全转化温度下降了２０～６０℃左右，助剂的作用顺序为Ｃａ＞Ｓｒ＞Ｂａ，实验表明，７５０℃和９     

La0.67Ca0.33MnO3多晶的本征和非本征磁电阻

研究了不同烧结温度的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３多晶块材的电磁输运特性．在ρ～Ｔ曲线上居里温度Ｔｃ以下的温区，观察到一个宽化的峰．讨论了Ｔｃ附近及其以下的本征和非本征磁电阻效应并将它们分解开来．     

异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜

影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核．直接外延生长时,衬底温度影响到薄膜的成相．衬底温度还影响薄膜的生长动力学,并因此影响薄膜的外延生长取向．由于薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长的,因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的．衬底材料（或异质外延材料）与薄膜的相互作用是影响外延生长的最直接因素,而晶格常数失配会造成薄膜样品中存在应力并影响样品性质．利用脉冲激光淀积法,我们成功地外延生长了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５ＴｉＯ３铁电介电薄膜、Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３铁磁巨磁电阻薄膜、Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３导电薄膜等多种具有钙钛矿结构的氧化物功能薄膜．以这些钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长为例,本文讨论影响氧化物薄膜异质外延生长的因素     

Nd_(1-x)Ba_xMnO_3和La_(0.67)Mg_(0.33)Mn_(0.85)M_(0.15)O_3(M=Mn,Ga,Fe)中Mn位自旋磁矩对电导性的影响

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态和大小对体系的导电性有强烈的影响．在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ３＋／Ｍｎ４＋的浓度比值为２∶１，１∶１，１∶２时，电阻率出现半导体－金属转变．推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ３＋和Ｍｎ４＋自旋磁矩形成的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掺杂浓度所决定的载流子浓度．在Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）中，Ｍｎ位自旋磁矩大小的改变对导电性有强烈的影响，另外发现该类体系均以变程跳跃模式进行导电．     

YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相

通过在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体中加入各种含Ｓｎ氧化物,如ＳｎＯ２和Ｙ２Ｓｎ２Ｏ７等,生长织构样品,并通过粉末Ｘ射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Ｓｎ氧化物的稳定相。发现φ相（Ｂａ２Ｓｎ［Ｓｎ１／３－ｘＣｕｘＹ２／３］Ｏ６）可能是其中的一个稳定相,这与参考文献［３］的报道相符。但我们仍不能排除ＢａＳｎＯ３和Ｂａ２ＳｎＯ４作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Ｓｎ氧化物在织     

铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究

研究了空气氧化Ｍ＾２＋（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）和Ｆｅ＾２＋的碱性悬浮液制备铁酸盐ＭＦｅ２Ｏ４的条件，考察了原料配比、ｐＨ值、氧化温度、氧化时间对生成ＭＦｅ２Ｏ４的影响。利用ＸＲＤ及ＳＥＭ检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明，在３４３￣３５８Ｋ和Ｒ＝２ＯＨ＾－／（Ｍ＾２＋Ｆｅ＾２＋）＝１．０、Ｍ＾２／Ｆｅ＾２＋＝０．５（摩尔比）下用３００ｍＬ／ｈ的空气氧化Ｍｘ／３Ｆｅ１－ｘ／３（ＯＨ）２悬浮液     

超声共沉淀法制备LaCoO3纳米微晶的研究

首次在共沉淀阶段使用超声波辐照的方法制备了ＬａＣｏＯ３复合氧化物纳米微晶，通过Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），透射电子显微镜（ＴＥＭ）和比表面（ＢＥＴ）等分析手段研究了不同频率的超声波对ＬａＣｏＯ３结构和性能的影响，实验证明，在实验范围内随着超声波频率的增加ＬａＣｏＯ３粒径减小，比表面增加，（１０４）晶面和（０２４）晶面的衍射强度减小。     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

Bi（Pb）SrCaCuO超导陶瓷材料的铂掺杂效应

利用氯铂酸铵对铋系超导陶瓷进行铂掺杂，既能改善Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ陶瓷的烧结性能，又可能提高其超导特性。通过ＸＲＤ和ＳＥＭ分析发现一定含量的铂掺杂能使铋系超导陶瓷晶粒定向排列。中讨论了铂掺杂对铋系超导陶瓷材料磁化率和磁滞回线的影响。