| Ga掺杂对La0.67Ca0.33MnO3磁电阻的提高 |
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| 引用本文： | 任清褒,孙勇.Ga掺杂对La0.67Ca0.33MnO3磁电阻的提高[J].低温物理学报,2000,15(1):8-12. |
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| 作者姓名： | 任清褒 孙勇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;浙江丽水师专物理系,丽水,323000
2. 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 本文研究了Ｇａ部分替代Ｍｎ位对巨磁阻材料Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３的磁性和输运性质的影响。实验结果表明Ｇａ掺杂破坏了双交换作用，使电阻率上升而磁有序转变推移到低温。但是，Ｇａ掺杂使磁电阻效应显著提高，证明Ｍｎ位元素替代可能是提高ＣＭＲ的一种有效途径。
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| 关 键 词： | 钙 掺杂 锰氧化物 磁电阻 巨磁阻材料 |
ENHANCEMENT OF MAGNETORESISTANCE BY Ga DOPPING IN La0.67Ca0.33MnO3 |
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| Ren Qing-bao,Sun Yong.ENHANCEMENT OF MAGNETORESISTANCE BY Ga DOPPING IN La0.67Ca0.33MnO3[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2000,15(1):8-12. |
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| Authors: | Ren Qing-bao Sun Yong |
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