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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。  相似文献   

2.
有机薄膜的光致发光和电致发光   总被引:6,自引:3,他引:3  
制备了以Alq3为发光物质的有机薄膜电致发光器件,得到了30V直流电压下100cd/m2的绿色发光.探讨了Alq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理.  相似文献   

3.
研究了有机薄膜晶体管(OTFT)与聚合物发光二极管(PLED)集成制备技术和相关物理问题.OTFT结构为栅极钽(Ta)/绝缘层五氧化二钽(Ta2O5)/有源层并五苯(Pentacene)/源漏极金(Au);PLED器件结构为ITO/PEDOT:PEO(polyethylene oxide)/P-PPV或MEH-PPV/Ba/Al.PEDOT:PEO,P-PPV和MEH-PPV薄膜层均采用丝网印刷技术,实现了OTFT与PLED器件集成发光.其中OTFT器件的阈值电压为-7V,迁移率为0.91cm2/(V.s),并通过OTFT驱动得到以P-PPV和MEH-PPV为发光层的PLED器件的发光亮度分别达到124和26cd/m2,电流效率分别为12.4和1.1cd/A.利用丝网印刷技术可以有效控制高分子薄膜的沉积区域,实现功能器件的集成.  相似文献   

4.
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3 Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力|在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层,降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒,改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能,完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.  相似文献   

5.
采用真空蒸镀的方法以星形六苯芴类新材料1,2,3,4,5,6-hexakis(9,9-diethyl-9H-fluoren-2-yl)benzene(HKEthFLYPh)作为能量传输层制备了indium-tin-oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/HKEthFLYPh/5,6,11,12-tetraphenylnaphtacene(rubrene)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/Mg:Ag的白色有机电致发光器件. NPB和Alq3分别作为蓝色发光层和电子传输层,NPB和Alq3之间的超薄Rubrene层 作为黄色发光层. 结果表明,超薄rubrene层改善了白光器件的色纯度与稳定性,器件的光谱及色坐标几乎不随驱动电压的变化而改变.当rubrene层厚度为0.3 nm时,器件的Commissions Internationale De L′Eclairage (CIE)色坐标为(0.32,0.33). 驱动电压为18 V时,器件的最大亮度为4816 cd/m2.  相似文献   

6.
利用LiF/Al作为电极的有机电致发光器件   总被引:6,自引:2,他引:4  
本文报道了利用LiF/Al作为负电极的有机电致发光器件,器件结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al,LiF层的加入增强了电子注入,当其厚度为0.4nm时,器件的性能最好,与单层Al和Mg/Al电极的同类器件相比,此时器件的开启电压由Al电极时的4.3V和Mg/Al电极时的3.0V降低到了2.0V,器件的最大亮度分别由4000cd/m2、14000cd/m2提高到19600cd/m2,器件的发光效率也分别增加了5倍和2倍,达到2.66lm/W.  相似文献   

7.
稀土有机电致发光器件   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
孙刚  李文连 《发光学报》1996,17(4):362-367
我们研制了用有机材料Tb(AcA)3·phen作为发射层的绿色发光二极管,两层结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPD/Tb(AcA)3·phen/A1。各功能层均用真空热蒸发的方法制备。在正向直流偏压驱动下获得了Tb3+的特征发光,同时还发现一个峰位425um的蓝光发射,它来源于空穴输运层TPD。在室温条件下器件的阈值电压为4V,当驱动电压提高到16V时,器件的最高发光亮度达到200cd/m2,同时在相同条件下制备了结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPB/Tb(AcA)3·phen/A1的器件,通过对两种器件光谱及电学特性的测量、比较与分析,探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等问题。  相似文献   

8.
基于量子点和MEH-PPV的白光发光二极管的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用无机纳米材料与有机聚合物材料相结合的方法制备白光发光二极管器件, 研究了蓝光量子点QDs(B)掺杂聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基-1, 4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV) 复合体系的发光特性及量子点QDs(B) 掺杂浓度(质量分数)不同对器件发光特性的影响. 制备了ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:QDs(B)/LiF/Al 结构的电致发光器件, 测试了器件的电致发光光谱和电学、光学特性. 当QDs掺杂浓度为40%, 驱动电压为8 V时器件能得到较为理想的白光发射. 同时, 对比研究了非掺杂体系的发光特性, 制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/QDs(B)/LiF/Al的器件, 掺杂体系相较于非掺杂体系, 器件的最大亮度增大, 启亮电压降低, 并分析了掺杂体系器件性能改善的原因.  相似文献   

9.
通过引入(NPB/MoO3)x/NPB作为空穴传输层,获得了低驱动电压的有机电致发光器件(OLEDs),(NPB/MoO3)x为多层结构(x为0,1和2).通过对比发现,在相同亮度下,x=1对应的器件具有最低的工作电压.这是由于在NPB和MoO3之间产生了电荷转移复合物(charge transfer,CT),这将会降低器件的空穴注入势垒,从而降低其工作电压,文中所研究器件为基于8-羟基喹啉铝(tris(8-hydroxyquino-line)aluminum,Alq3)的绿光器件.与x=0时的普通器件相比,在亮度为1 000 cd·m-2时,x=1时的工作电压降低了 0.8 V.  相似文献   

10.
孔超  徐征  赵谡玲  张福俊  黄金英  闫光  厉军明 《物理学报》2008,57(12):7891-7895
用Si3N4作为电子加速层制备了固态阴极射线发光器件,其中发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV).在交流电压的驱动下,实现了MEH-PPV的固态阴极射线发光.与SiO2做电子加速层的器件进行了对比研究,两种器件在交流电场的驱动下都得到了波峰位于417nm的短波长发光峰,它来自有机物中电子从最低未占分子轨道到最高占据分子轨道的直接复合发光,这进一步证明了固态阴极射线理论的正确性.在交流高场下比 关键词: 固态阴极射线发光 3N4')" href="#">Si3N4 电子加速层 电致发光  相似文献   

11.
将金属氧化物Fe3O4在空穴传输材料中进行P型掺杂并制作有机电致发光器件,使器件的开启电压由5 V降至2.5 V;20 mA/cm2电流密度下的功率效率由1.2 lm/W提高到2.0 lm/W;10 V下的亮度由1 680cd/m2提高到30 590 cd/m2.紫外-可见-红外吸收光谱及紫外光电子能谱的测试分析结果表...  相似文献   

12.
聚苯胺在聚合物发光二极管中的空穴传输作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
滕枫  郑敏  白凤莲  万梅香 《发光学报》2003,24(6):588-591
报道了聚苯胺中间氧化态(emeraldine base form PANI-EB)空穴传输层对以PPV衍生物(PTA-PPV,PTA-DMPPV和MEH-PPV)为发光层和Alq3为电子传输层构成的多层结构的发光二极管的影响。实验结果表明,在器件中PANI-EB空穴层的引入能有效地降低器件的启亮电压和提高器件的发光亮度,其影响程度依赖于PPV衍生物的结构。  相似文献   

13.
ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS 纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS 纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly ) 共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和 ITO/PEDOT∶PSS(70 nm)/ MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq3(12 nm) /LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。  相似文献   

14.
Magnetic resonance microscopy of skin from hairless rats under the influence of electrical fields was conducted for two cases: 1) low voltage constant electrical fields and 2) high-voltage short pulse, electrical fields. Under conditions of the low voltage and low current iontophoresis, i.e., 0 to 20 V, and 0 to 0.5 mA/cm2, it was found that the skin structure, as observed by magnetic resonance microscopy, did not significantly change until 20 Volts were applied across the 0.1 cm thick skin. Under these conditions, the viable epidermis appeared to swell, and this result corresponded to observations from scanning electron microscopy and other research from the literature. High voltage electrical fields, i.e., 220 V 1 ms pulses repeated once per second, appeared to hydrate the stratum corneum as is consistent with published literature on electroporation. In the case of iontophoresis, water self-diffusion coefficients in the epidermis and hair follicle regions at all voltages were affected by the electrical field. Statistical analysis at the 95% confidence level for the comparison of the average differences between diffusion coefficients with the electrical field on and with the electrical field off for pair matched pixels for the viable epidermis show that for 5 V (p = 0.00377), 10 V (p = 0.0108), 20 V (p = 0.0219) regimes there are statistically significant (p < or = 0.05) changes due to the applied electric field. The same analysis for the hair follicle region at 5 V (p = 6.89 x 10(-7)), 10 V (p = 1.42 x 10(-5)), 20 V (p = 3.23 x 10(-3)) also show statistically significant changes (p < or = 0.05). When the electroporation pulse was applied, the water diffusion coefficients increased by about 30% to 6.6 x 10(-6) cm2/s +/- 2.4 x 10(-7) cm2/s and 8.3 x 10(-6) cm2/s +/- 3.7 x 10(-7) cm2/s, for the epidermis and hair follicle regions, respectively. Significant differences were noted between diffusion coefficients in the viable epidermis and the hair follicles for all cases.  相似文献   

15.
利用真空蒸镀方法以N2,N7-二(间甲苯胺基)-N2,N7-二苯基-2,7-二胺基-9,9-二甲基芴[2,7-bis(pmethoxyphenyl-m'-tolylamino)9,9-dimethylfluorene,TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum,Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件.与制作的典型双层结构N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺[N,N'-biphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'diamine,TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为(0.30,0.53),为Alq3材料发光.以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline,bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件.结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为(0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W.基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19℃的玻璃化转变温度(Tg).  相似文献   

16.
利用激基复合物发光的有机白光电致发光器件   总被引:14,自引:7,他引:7       下载免费PDF全文
冯晶  刘宇  王悦  刘式墉 《发光学报》2002,23(1):25-28
以NPB为空穴传输材料,(dppy)BF为发光层,Alq为电子传输层和色度调节层,制备了有机白光电致发光器件.该器件的白光发射是来自于(dppy)BF与NPB的固界表面形成的激基复合物发光,以及NPB与(dppy)BF发射的蓝光.该白光器件的色度稳定,在电压10~25V的变化范围内,色坐标变化由(0.29,0.33)到(0.31,0.35).器件在4V开启,12V电压下亮度和效率分别为200cd/m2和0.45lm/W.  相似文献   

17.
文雯  王博  李璐  于军胜  蒋亚东 《物理学报》2009,58(11):8014-8020
研究了基于红色荧光染料3-(dicyanomethylene)-5, 5-dimethyl-1-(4-dimethylamino-styryl) cyclohexene(DCDDC)的白色有机电致发光器件的性能,分别制备了基于DCDDC超薄层和DCDDC掺杂主体材料的两种器件结构: 1)indium-tin oxide(ITO)/N, N′-diphenyl-N, N′-bis(1-naphthyl-pheny1)-1, 1′-biphenyl-4, 关键词: 有机电致发光器件 白色发光 红色荧光染料 掺杂  相似文献   

18.
双空穴注入的绿色磷光有机电致发光器件   总被引:4,自引:0,他引:4  
张静  张方辉 《发光学报》2012,33(10):1107-1111
制作了一种新型绿色磷光有机电致发光二极管。器件结构为ITO/HAT-CN(x nm)/MoO3(30 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CPB∶GIr1(30 nm,14%)/BCP(10 nm)/Alq3(25 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm),其中X=0,8,10,12,14,15 nm。电流密度-电压-亮度特性表明该结构有利于降低驱动电压和增加器件亮度。当HAT-CN厚度为12 nm时,器件的最高亮度可以达到32 480 cd/m2,起亮电压为3.5 V左右,发光效率为24.2cd/A。所设计的空穴型器件证明该器件结构具有很好的空穴注入和传输特性。  相似文献   

19.
利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面.在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮...  相似文献   

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