掺Sb和PbWO4晶体发光性能的改善

首次报道了ＰｂＷＯ４：Ｓｂ的光谱特性,包括透射谱和Ｘｅ灯光源激发的发射与激发谱,掺Ｓｂ具有增强绿光带、抑制红光带并大幅度提高光产额的效果,通过与空气退火ＰＷＯ发光的比较,对绿光带的起因、Ｓｂ掺杂的作用也进行了简要的讨论。     

Sb2O3掺杂对提高PbWO4晶体光学及闪烁性能的作用

采用改进的布里奇曼（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法生长了掺杂Ｓｂ２Ｏ３的ＰｂＷＯ４晶体。基于透射光谱、紫外激发及其发射谱、Ｘ射线激发的发射谱、光输出和辐照损伤待方面的测试,讨论了Ｓｂ２Ｏ３掺杂对提高ＰｂＷＯ４晶体光学及闪烁性能的作用。     

Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了 Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相,空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ３＋含量的增加,在１９２ｕｍ附近,出现了Ｇｄ＋的激发峰,且此峰的强度随着Ｇｄ３＋含量的增加而增大;同时位于１５０～１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大;而位于２００～３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电行迁移带的强度却随着Ｇｄ３＋含量的增加而降低。     

气相吡啶分子S1态的(2+3)偏振共振多光子电离谱研究

利用气相吡啶分子分别在圆偏振光激发和线偏振光激发下的（２＋３）偏振共振多光子电离（ＰＲＭＰＩ）谱,对其第一激发态（Ｓ１）上的振转结构进行了研究。在谱中观察到了呈双峰结构的电子振转跃迁谱带。分析表明,所有振动谱带均为Ｓ１态上Ｖ６ａ、Ｖ１０ａ、Ｖ１２、Ｖ１６ｂ和Ｖ１７ａ以及基态上Ｖ９ａ的混合频率谱带。旨认吡啶Ｖ１７ａ的Ｓ１态频率为６７０ｃｍ＾－１,并认为在Ｓ１态上Ｖ７ａ频率降低的原因与Ｖ１０ａ类似。     

Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相,空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ＾３＋含的增加,在１９２ｎｍ附近,出现了Ｇｄ＾３＋的激发峰,且此峰的强度随着Ｇｄ＾３＋含量的增加而增在;同时位于１５０￣１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大;而位于２００￣３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电荷迁移     

低温下ZnSe－ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱．用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别．     

SHOCK COMPRESSION BEHAVIOR OF BROMOFORM

ＳＨＯＣＫＣＯＭＰＲＥＳＳＩＯＮＢＥＨＡＶＩＯＲＯＦＢＲＯＭＯＦＯＲＭＰｅｎｇＳｈａｎｇｑｉａｎｇａ，ｂ，ｃＪｉｎｇＦｕｑｉａｎａ，ｂＨｕＪｉｎｂｉａｏａ，ｂＧｏｕＱｉｎｇｑｕａｎｂａ．ＬａｂｆｏｒＳｈｏｃｋＷａｖｅａｎｄＤｅｔｏｎａｔｉｏｎＰｈｙ...     

超声冷却SO_2(A~1A_2-X~1A_1)激光诱导荧光激发谱的转动分析

通过改变ＳＯ２／Ａｒ配比，研究了超声膨胀冷却ＳＯ２（Ａ１Ａ２—Ｘ１Ａ１）系统３１５—３３０ｎｍ波段振动分辨的激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱．获得了属于两个完整带系（１，ｍ，１），（０，ｎ，１）—（０，０，０）的高分辨转动结构谱．其中（ν′１，ν′２，ν′３）＝（０，９，１），（０，１０，１），（１，７，１），（１，５，１）带的转动结构，据我们所知是新观测到的．基于非对称陀螺模拟，对８４７条转动谱线进行了归属，得到Ａ态各振动能级的分子常量和离心畸变常量．获得Ａ１Ａ２态近似分子构型参数：ｒ（Ｓ—Ｏ）＝０１６０ｎｍ，∠ＯＳＯ＝１０１６４°．并对各振动态的惯量亏损进行了讨论．     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

不同气氛退火对PbWO4单晶发光的影响

通过对不同气氛条件下退火的PbWO4(PWO)单晶样品的激发谱与发射谱的对双研究，发现真空退火从整体上抑制PbWO4的发光强度，氧空位（Vo）缺陷是420nm吸收和红光发射的原因，而空气退火可以有效抑制Vo缺陷，全面改善PWO的发光性能。另外，首次报道了310nm附近的激子激发峰发生劈裂的现象，其中波长较长的320nm激发对应于与Vo缺陷相关的激子激发态。     

Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究

通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试，研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段，对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明，铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带，提高钨酸铅晶体的发光快成分比例，并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升，低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-，由此可改善钨酸铅的发光性能。     

+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射光谱、x射线激发发射光谱（XSL）的测试，研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱（PAT）和x光电子能谱（XPS）的实验手段，对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明，不同的+3价离子掺杂，对钨酸铅晶体发光性能的改善不同，并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升，而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降，掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词： 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱     

Scintillation properties of PbWO4 crystals doped with the rare-earth ions

In PbWO₄(PWO) crystals grown by Czochralski method the influence of atmosphere of the growth (O₂, air) and doping with the rare-earth ions of different types (A³⁺=Lu³⁺, Gd³⁺,Tb³⁺,Eu³⁺ as well as doubly doped A³⁺–Li⁺) on light yield and luminescence decay were analyzed. PWO scintillator with the ultra-fast (τ=0.5 ns) main component of luminescence decay (87% of total light yield) was obtained using the O₂-growth atmosphere and doping by Eu₂O₃ at a concentration of 5000 ppm. It is concluded that the decrease of decay constant of the main scintillation component is the result of the resonant energy transfer between the centers of “blue” PWO luminescence (λ_max=420 nm) and the 4f–4f-transitions of Eu³⁺ ions in this spectral region.     

Influence of Zn Ions Codoping on Luminescence Properties of PbWO4:RE(RE=La, Yb, Y)

Zn and RE (RE=La, Yb, Y) ions co-doped PbWO₄ (PWO) single crystal grown by the Czochralski technique are characterized by x-ray diffraction (XRD), opticaltransmission spectra, and photoluminescence (PL). The doping of Zn ions shows distinct effects on the properties of PWO:RE crystals. At low concentration of Zn ions (200ppm), the luminescence intensity is quite weak for (Zn,La)-doped PWO, but is substantially strong for (Zn,Yb)-doped PWO. The blue luminescence intensity is significantly enhanced with the increasing Zn ions doping for PWO:Y. The trivalent ions codoping can increase the ratio of the blue luminescence contributing to the fast components of light yield. Ybions can enhance efficiency of luminescence in PWO:Yb:Zn because they may act as a luminous sensitization agent which can be involved in the efficient energy transfer and storage of the radiative process.     

掺杂钨酸铅晶体闪烁发光光谱研究

利用改进的晶体生长设备和工艺提高了PbWO₄闪烁晶体的光产额。通过对生长获得的PbWO₄、退火PbWO₄和BaF₂∶PbWO₄晶体的透过光谱,衰减时间和光产额等闪烁性质的研究,发现晶体退火和掺杂技术特别是阴离子掺杂技术能够显著提高晶体的闪烁发光性能。其中晶体掺杂全面提高了晶体的透过光谱强度,但是退火的影响较复杂。高温退火改善了PbWO₄晶体在360 nm以上波段的透过光谱的透过率,但是在320～360 nm波段其透过率反而降低。这些现象与晶体中缺陷在可见光波段产生的特征吸收有关。晶体的良好退火和掺杂提高了晶体的光产额,其中BaF₂∶PbWO₄掺杂晶体室温闪烁发光强度达到65 p.e.·(MeV)-1,接近PET的使用要求。这种提高与晶体F-离子掺杂引发晶体[WO₄]2-四面体基团畸变有关,F-离子进入该四面体产生了新的发光中心。     

La在La:PWO闪烁晶体中的作用机制探讨

根据掺La的PWO晶体(LaPWO晶体)的透射光谱和发射光谱随La浓度的变化特性及其电子顺磁共振(EPR)谱,作者认为,掺La使晶体产生了新的以(LaPb)2/3(VPb)1/3WO4为主的缺陷,LaPWO晶体的透光性能的改善主要是由于Pb空位(VPb)"的增加.而发光性能的降低则主要是(LaPb)和(VPb)"的共同作用.     

F,Y双掺钨酸铅晶体的发光性能和微观缺陷

通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试，研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO₄ ，简称PWO)晶体的发光性能，并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶 体中的缺陷种类和变化进行了分析. 结果表明：与未掺杂晶体相比，双掺样品在350nm附近 的透过率大大提高，吸收边向短波方向移动约30nm，光致发光谱中出现位于350nm的发光峰 ，双掺样品的LY(100ns内)为未掺杂PWO的2.7倍左右.晶体中主要存在的缺陷为(WO_{3)^{-关键词： F Y双掺钨酸铅闪烁晶体 高光产额 热释光 正电子湮没寿命谱}}     

钨酸铅晶体的本征色心和辐照诱导色心

根据钨酸铅晶体(PbWO4,简称PWO)的缺陷化学和晶体结构特点,用光吸收谱、广延X射线吸收精细结构(EXAFS)和精密X射线衍射(XRD)方法对高温退火后PWO晶体进行微结构研究,获得了其退火前后缺陷变化的情况,据此提出生成态(asgrown)晶体中350nm本征色心吸收带起源于V-F空穴心,并指出PWO中紫外区色心吸收带的强度取决于晶体中铅空位和氧空位浓度之差:[VPb]-[VO];然后,结合晶体在紫外光(UV)辐照过程中色心的转化规律和偏振吸收谱的实验结果,提高420nm辐照诱导色心吸收带起源于V0F双空穴心.并对所提出的PWO晶体色心模型的合理性进行了讨论. 关键词： 钨酸铅 本征色心 辐照诱导色心 色心模型