Luminescent Properties of Eu^3＋—Doped Yttrium Oxide Chloride Embedded in Nanoporous Glass

The photoluminescence of Eu^3 -doped yttrium oxide chloride embedded in nanoporous glass has been observed.In comparison with those in the powder phosphor,the emission lines of Eu^3 ions becom much broader and lueshift was observed in the lines due to ^5D0→^7F2 transitions and the Eu-O charge transfer excitation band.The ratio intensities of the ^5D0→^7F1 transitions to the ^5D0→^7F2 transitions of Eu^3 ion become higher and change at different excitation excitation wavelengths,such as 393nm and 254nm.The two excitation wavelengths belong to the 4f→4f transition of the Eu^3 ion and the Eu-O charge transfer,respectively,This material may be developed into a new luminescent glass.     

Zn2SiO4∶Mn的VUV和UV光谱特性

采用高温固相反应法以硅酸为原料合成了等离子显示用荧光体Zn2 SiO4 ∶Mn ,研究了Zn2 SiO4 ∶Mn的VUV和UV光谱特性 ,表明波长小于 2 0 0nm的部分的基质吸收带主要是氧的 2 p轨道到锌的 3d轨道跃迁产生的 ,波长大于 2 0 0nm的部分的基质吸收带是氧的 2 p轨道到硅的 3p轨道跃迁吸收。在VUV和UV激发下 ,Mn2 +的浓度与发射强度的相关性研究表明 ,在不同区域激发时荧光体的发射强度随着Mn2 +的浓度的变化存在明显不同     

共沉淀法合成稀土正磷酸盐(La,Gd)PO4∶RE3+(RE=Eu,Tb)及其真空紫外光谱特性

采用共沉淀法制备了稀土正磷酸盐荧光粉(La,Gd)PO4∶RE3+(RE=Eu,Tb).红外光谱分析发现GdPO4的红外光谱吸收峰与LaPO4一致,只是峰位向高波数方向移动.(La,Gd)PO4∶RE3+的真空紫外光谱特性研究表明,Gd3+在能量传递过程中起中间体作用.XPS研究揭示,LaPO4的价带由O2-的2p能级构成,而GdPO4的价带则是由O2-的2p能级和Gd3+的4f能级共同构成.     

(Y,Gd)BO_3∶Eu的真空紫外光谱特性

近年来由于等离子体平板显示 (PDP)技术的需要 ,对真空紫外 (VUV)光激发的荧光粉的研究成为发光材料领域中的一个新方向 [1～ 3] .由于技术和实验仪器等方面的原因 [4 ] ,以往人们对稀土发光材料VUV区的研究很少 ,缺乏对其光谱和能级的完整认识 .另外 ,稀土离子 Gd3+在荧光粉的能量传递中具有特殊作用 ,一些含 Gd3+的发光材料在 VUV区发光效率很高 ,例如 ,(Y,Gd) BO3∶ Eu在 VUV区的发光效率比 YBO3∶ Eu提高了 2 0 % ,比 Y2 O3∶ Eu提高了 1 .8倍 ,与其它红粉相比更具有实际应用价值 [4 ,5] .但目前对于 (Y,Gd) BO3∶ Eu的研…     

Eu~(3 )在CaYBO_4中的取代和发光

用固相法制备化合物CaY1 -xBO4∶xEu ,研究Eu3 在CaYBO4中的取代格位和发光特性。当Eu3 掺杂浓度不大时 ,存在两个发光中心 ,认为是取代基质中有两个Y格位的结果 ;通过对Eu O的电荷迁移激发带位置的分析 ,表明Eu3 所处八面体中心格位的对称性越低 ,Eu O的电荷迁移带越偏向于短波 ;当Eu3 的掺杂浓度较大 (x >0 1 0 )时 ,Eu3 离子也可占据Ca2 格位 ,同时Eu3 还原成Eu2 。     

Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相,空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ＾３＋含的增加,在１９２ｎｍ附近,出现了Ｇｄ＾３＋的激发峰,且此峰的强度随着Ｇｄ＾３＋含量的增加而增在;同时位于１５０￣１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大;而位于２００￣３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电荷迁移     

YP1xVxO4∶Eu3+在真空紫外区发光的优化

系统地考查了Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体中的发光。当V5+ 的浓度低于 0 3 ,出现VO4 3 -离子团的蓝色发射 ;直到V5+ 的浓度等于或大于 0 3时 ,VO4 3 -离子团的蓝色发射才被Eu3 + 离子的红色发射所猝灭 ,发射主波长在 61 9nm。在真空紫外线的激发下 ,Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体有较强发光 ,并随着P5+ 浓度的增加 ,Eu3 + 离子的发光增强。经过优化的组成为YP0 7V0 3 O4 ∶Eu3 + 的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光 ,又具有优良的色纯度 ,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。     

YP1—xVxO4：Eu^3＋在真空紫外区发光的优化

系统地考查了Eu^3 在YPO4－YVO4固溶体中的发光。当V^5 的浓度低于0．3,出现VO4^3-离子团的蓝色发射。直到V^5 的浓度等于或大于0．3时,VO4^3-离子团的蓝色发射才被Eu^3 离子的红色发射所猝灭,发射主波长在619nm,在真空紫外线的激发下,Eu3 在YPO4－YVO4固溶体强发光,并随着P5＋浓度的增加,Eu^3 离子的发光增强。经过优化的组成为YP0．7V0．3O4：Eu^3＋的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光,又具有优良的色纯度,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。     

(Y,Gd)BO3:Eu的真空紫外光谱特性

近年来由于等离子体平板显示(PDP)技术的需要,对真空紫外(VUV)光激发的荧光粉的研究成为发光材料领域中的一个新方向[1～3]. 由于技术和实验仪器等方面的原因[4], 以往人们对稀土发光材料VUV区的研究很少, 缺乏对其光谱和能级的完整认识. 另外, 稀土离子Gd3+在荧光粉的能量传递中具有特殊作用, 一些含Gd3+的发光材料在VUV区发光效率很高, 例如, (Y,Gd)BO3:Eu在VUV区的发光效率比YBO3:Eu提高了20%, 比Y2O3:Eu提高了1.8倍, 与其它红粉相比更具有实际应用价值[4,5]. 但目前对于(Y,Gd)BO3:Eu的研究主要集中在紫外可见区[6], 因此, 深入研究(Y,Gd)BO3:Eu的真空紫外光谱特性, 对于发展PDP技术具有重要意义.     

Eu^3＋在CaYBO4中的取代和发光

用固相法制备化合物ＣａＹ１－ｘＢＯ４：ｘＥ７ｕ,研究Ｅｕ＾３＋在ＣａＹＢＯ４中的取代格位和发光特性。当Ｅｕ＾３＋掺杂浓度不大时,存在两具发光中心,认为是取代基质中有两个Ｙ格位的结果：通过对Ｅｕ－Ｏ的电荷迁移激发带位置的分析,表明Ｅｕ＾３＋所处八面体中心格位的对称性越低,Ｅｕ－Ｏ的电荷迁移带越偏向于短波;当Ｅｕ＾３＋的掺杂浓度较大（Ｘ〉０．１０）时,Ｅｕ＾３＋离子也可占据Ｃａ＾２＋格位,同时Ｅｕ＾２