一维半导体量子能量输运模型稳态解的唯一性

本文研究了一维半导体稳态量子能量输运模型的古典解.利用一些不等式技巧证明了当晶格温度充分大且电流密度较小时其解是唯一的,这在文献[3]中没有得到.     

InGaAs/InP异质结界面层的应变研究

采用液态的叔丁基砷（tertiarybularsine,TBAs）和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine,TBP）为源材料,用有机金属气相外延（metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE）生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InGaAs与InP单异质结界面处,存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变,它先把Ⅲ族源转入反应室,以此来降低TBAs对InP表面的影响,由此得到的超晶格的平均应变减小,光致发光的峰值能量出现蓝移.     

超晶格界面的电子反射与干涉

从电子波动的观点出发，考虑电子波在超晶格阱层／势垒层界面的反射与干涉，讨论超晶格的电子态. 提出一种计算超晶格电子态的新方法. 理论计算出的电子能态与实验结果一致.     

数学进展总目录2003年第32卷

第1期半导体与超晶格的数学模型及其分析L模型(英).…,.........……Gor即stein代数上的HoPf代数作用..............……‘.....……肖玲,邱又春,张凯军(l).......……杨存洁(20)多维正态分布均值在序约束下的假设检验...................……,……,................……董普(27)关于Teichm沮ler空间中一个问题的注记(英)....……,……,.....................……,.……漆毅(35)一个Duffing方程的调和解和次调和解.............……,……,.......................……魏兰阁(3例关于初等算子艺(X)二AX+XB+CDX的值域(英)..............…     

BaTiO3/SrTiO3超晶格的激光分子束外延生长与二阶光学非线性研究

使用激光分子束外延,在SrTiO3 (100)单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的,具有原子量级控制精度的BaTiO3/SrTiO3超晶格. 利用晶格失配导致的薄膜表面台阶密度的周期性变化,讨论了反射式高能电子衍射(RHEED)强度在BaTiO3层和SrTiO3层中的周期性调制. 系统研究了二阶非线性光学极化率同超晶格结构的关系. 实验测量和理论拟合结果表明,BaTiO3/SrTiO3超晶格的二阶非线性光学极化率显著增强,其最大值比BaTiO3体单晶提高一个数量级以上. 从应力导致的晶格畸变和极化增强出发,讨论了二阶光学非线性增强的物理机制.     

高TcYBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7超晶格的微结构分析

利用高分辨透射电子显微镜对高T_c YBa₂Cu₃O₇/PrBa₂Cu₃O₇(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO₂面的二维超导电性时,临界温度T_c和临界电流密度J_c的变化不仅与二维CuO₂面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。     

BaTiO3 /SrTiO3超晶格的激光分子束外延生长与二阶光学非线性研究

使用激光分子束外延 ,在SrTiO₃ ( 1 0 0 )单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的 ,具有原子量级控制精度的BaTiO₃/SrTiO₃超晶格 .利用晶格失配导致的薄膜表面台阶密度的周期性变化 ,讨论了反射式高能电子衍射 (RHEED)强度在BaTiO₃ 层和SrTiO₃ 层中的周期性调制 .系统研究了二阶非线性光学极化率同超晶格结构的关系 .实验测量和理论拟合结果表明 ,BaTiO₃ /SrTiO₃ 超晶格的二阶非线性光学极化率显著增强 ,其最大值比BaTi₃体单晶提高一个数量级以上 .从应力导致的晶格畸变和极化增强出发 ,讨论了二阶光学非线性增强的物理机制     

半导体宏观数学模型及其数学理论

本文介绍半导体宏观数学模型的一些发展近况以及有关模型的数学分析结果 .     

非均匀无序系统的Goldstone模

本文采用场论方法研究了具有空间调制结构的非均匀无序系统的Anderson局域化问题,给出了在超晶格中Goldstone定理和非线性σ模型的推广形式,并借助于重整化群分析得出这种系统在迁移率边附近的临界性质。这种途径亦可用于研究其它非均匀系的连续相变问题。     

BaTiO3/SrTiO3超晶格的二次谐波产生研究

用激光分子束外延技术生长了BaTiO3 /SrTiO3 超晶格并首次对之采用二次谐波产生的方法进行了研究 .实验表明其结构为类似BaTiO3 的四方相结构 .实验得到的材料的有效倍频系数远大于BaTiO3 薄膜 ,也大于BaTiO3 体材料的值 .这表明这种人为控制的BaTiO3 /SrTiO3 超晶格结构具有较大的非线性光学的应用前景 .     

一类Fermi气体光晶格非线性机制的轨线研究

研究了一类Fermi气体光晶格轨线的非线性扰动模型.首先求得了Fermi气体光晶格在无扰动情形下模型轨线的精确解.然后引入一组广义泛函分析同伦映射,构造一组迭代系统,得到了Fermi气体光晶格非线性扰动模型轨线的任意次渐近解.最后讨论了一个微扰系统.该文在方法上可较方便地得到轨线的渐近表示式.     

原子位形几率波理论的应用——复合钙钛矿材料的有序结构类型

本文应用原子位形几率波理论,研究了复合钙钛矿结构形成最稳定超晶格的原子排列,首次从理论上得到七种基本有序结构,并同已知的实验结果作了比较。     

黄昆因子的计算和非Condon近似下光谱带形、积分强度的理论分析

本文发展了由于晶格弛豫导致的多声子伴随的光跃迁理论,使一些描述晶格弛豫的重要物理量,如黄昆因子、晶格弛豫能、Stokes位移等成为可以具体计算的量,并计算了金绿宝石的上述物理量,结果与实验符合很好。另外,还在非Condon近似下分析了多声子伴随光跃迁的谱形和积分强度,对金绿宝石光谱积分强度的计算明显改进了前文强度拟合的结果,并从中可以看出Condon近似产生的误差。     

非平衡状态下半导体方程解在H1中的收敛

本文研究具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型，在净复合率R≠0时，对N维半导体方程，论证了奇异摄动问题的解在H^1中弱收敛于退化问题的解；对一维半导体模型，进一步证明了解在H^1中强收敛。     

数学年刊第28卷A辑(2007)总目次

一类单极等嫡流体动力学半导体模型的松弛极限...................……黎野平(1)有限群的s一条件置换子群..…，...........................……黄建红郭文彬(17)极大三角代数的交换子和上同调................……‘.............……董浙(27)双曲空间上超布朗运动的范围....     

晶格匹配型GaAs/AlxGa1-xAs量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1-xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。     

半导体技术中数学模型的渐近分析

本文在非平衡状态下，研究了具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型的解的渐近性态。首先，对N维半导体模型，结合解在L^∞和H^1空间一致有界性，论证了奇异摄动问题的解的极限满足相应的退化问题且在H^1中弱收敛。然后，对一维半导体模型，进一步证明了解在H^1中强收敛。     

有限图上的量子游荡的相关性质（英文）

基于Fourier变换,我们得到了有限图上的量子游荡的解析解相关性质.主要包括环上的量子游荡一般态解析解的性质、二维晶格上的特殊量子游荡的无偏性及其超立方体上的量子游荡初始条件与不变子空间的一组基之间的关系.     

半导体与超晶格的数学模型及其分析II：分析

本文先介绍等熵可压缩Euler方程的相关补偿列紧框架。然后，我们综述基于补偿列紧方法的关于半导体流体动力模型的诸如整体弱解，松弛极限和拟中性－松弛极限的一些新近数学结果。     

一维半导体流体动力学模型的局部有界解

本文讨论了能量方程是压力一密度关系的一维半导体流体动力学模型方程,通过把欧拉－泊松方程变成拟线性波动方程,利用拟线性波动方程的局部解存在性,得到一维半导体流体动力学模型的局部解,并且解是有界的。