| InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 |
| |
| 引用本文： | 徐现刚,崔得良,郝霄鹏.InGaAs/InP异质结界面层的应变研究[J].中国科学A辑,2001,31(9):817-822. |
| |
| 作者姓名： | 徐现刚 崔得良 郝霄鹏 |
| |
| 作者单位： | (1)山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100 ,中国;(2)Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen, Germany ,中国 |
| |
| 基金项目： | 科学基金资助项目(批准号: 60025409) |
| |
| 摘 要： | 采用液态的叔丁基砷（tertiarybularsine，TBAs）和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine，TBP）为源材料，用有机金属气相外延（metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE）生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明，在InGaAs与InP单异质结界面处，存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明，TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变，它先把Ⅲ族源转入反应室，以此来降低TBAs对InP表面的影响，由此得到的超晶格的平均应变减小，光致发光的峰值能量出现蓝移.
|
| 关 键 词： | InGaAs/InP 界面应变 TBAs TBP MOVPE |
| 收稿时间： | 2001-03-21 |
| 修稿时间： | 2001年3月15日 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 |
|
