X射线形貌法观察空间电荷缀饰的α—LiIO_3单晶的缺陷

实验观察到:α-LiIO_3单晶在c向静电场作用下,与c轴平行的观察面上X射线衍射形貌图有明显的变化。去掉电场,形貌图又复原。此种变化和复原都有个弛豫过程。形貌图形的变化与外电压的极性和大小有关,而基本上与辐射波长无关。 静电场下,形貌图上显现的是空间电荷缀饰的晶体的宏观缺陷。即加静电场后,空间电荷在缺陷周围富集,增大了缺陷处的晶格畸变,使原来观察不到的缺陷显示了出来。     

静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO₃单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO₃单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO₃单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO₃单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。 关键词：     

不同电极对α-LiIO3离子输运特征的影响的光学显微观测

介绍了用偏光显微镜对α-LiIO₃特性的观察.研究了五种不同电极界面状态的八块晶体样品在c向静电场作用下晶体的电导、空间电荷的沉积和分布.观察到由于α-LiIO₃的空间电荷的输运形成的彩色准直条纹.此彩色条纹与光折变型光栅的衍射带之间有对应关系.而不同的电极界面状态对α-LiIO₃晶体的电导和离子输运有明显的影响. 关键词：     

静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO_3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO_3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO_3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO_3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。     

α-LiIO3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO₃单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。 关键词：     

直拉硅单晶原生微缺陷的观察

对沿<100>方向生长的p型和沿<111>方向生长的n型宏观无位错直拉硅单晶,用铜缀饰X射线形貌术和腐蚀法观察到两种不同类型的微缺陷,对n型硅单晶还观察到一种特殊组态的微缺陷。对观察到的微缺陷的分布、组态进行了初步的分析。本文首次采用X射线透射投影和截面形貌术对硅单晶原生微缺陷进行直接观察,获得了相应的微缺陷图。所观察到的微缺陷的组态、尺度、分布等与铜缀饰X射线透射形貌图所示结果一致。 关键词：     

c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO₃单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO₃单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生o←→e光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。 关键词：     

氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究

本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。 关键词：     

涂层导体用金属基带表面对过渡层成核的机理研究

涂层导体用金属基带的表面状况对在其上制备的过渡层的形貌和取向有很大影响.在Ni单晶、轧制辅助双轴织构基带(RABiTS)Ni和经过硫化处理的Ni基带三种不同衬底上采用磁控溅射法制备了CeO₂过渡层.结果表明,在Ni单晶和硫化处理的Ni基带上制备的CeO₂薄膜取向较差,而在RABiTS Ni上制备的CeO₂薄膜完全呈c轴取向,表面平整致密.反射高能电子衍射图显示,RABiTS Ni具有的c(2×2)的S超结构对CeO₂薄膜的取向生长起到了很重要的作用. 关键词： 涂层导体 金属基带 超结构 过渡层     

α-LiIO_3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO_3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。     

α-碘酸锂的介电和导电行为

在沿c轴方向(以下简称c向)加静电场的作用下,测试频率为1OkHz时,测量了α-碘酸钾的表观介电系数ε′_c和ε′_a随同号电压V₊和异号电压V_-变化的特征曲线,确定了晶体中不存在类似于半导体的肖脱基阻挡层。当静电场加在c向上后,ε′_c变化的弛豫过程,与静电场作用下中子衍射强度增加的弛豫过程相似。实验观察到,这一晶体导电的载体主要是锂离子,并近似地具有在c向上一维电导性的特点。测出了c向电阻率ρ_c与V₊和V_-的特征曲线。     

掺铁铌酸锂(LiNbO3:Fe)的光致损伤

本文研究了LiNbO₃:Fe的可见激光表面损伤;光伤迹线(位错滑移带与微裂纹)与针状微畸伴生。它们位于光斑边缘的正P_s端;微畴起于光伤迹线与晶体表面的圆柱形沟道。我们发现LN:Fe中的这些损伤缺陷能够为光生伏特效应下的空间电荷所缀饰;它们在正交偏光镜下明晰可见。本文讨论了由晶体缺陷所致的自增强衍射光,富集于缺陷的空间电荷所致的空洞场,以及由此场导致的发生在畴界上的静电斥力对此损伤所起的作用。 关键词：     

人工水晶的缺陷与品质

对人工水晶缺陷和质量的研究有过不少报道[1-4],一般认为水晶中缺陷是由螺位错、刃位错和混合位错构成的[5-7].本文作者认为水晶中缺陷主要是沿着三方偏方面体单形锥面发育的面缺陷.下面从缺陷形成的机理与OH-之间的关系来讨论缺陷对水晶品质的影响. 一、缺陷的检查1.X射线形貌照相 形貌照相所揭露的水晶缺陷与晶体表面结构形态的方位特征是一致的.底面c上三方结构(三方丘或三棱锥)提由三方偏方面体锥面组成的[8].从三棱锥结构的晶体上切取(0001)和(1101)样片,在形貌图中所显示的缺陷形态、方位特征与晶体的左右形相对应(见图1,2).取(1010…     

α-碘酸锂的电流弛豫和偏压场作用下表观介电常数弛豫行为

本工作较为详细地测定了静电场作用下α-碘酸锂的电流弛豫行为:在撤去c轴方向上的静电场后,从我们所用测量电流仪器的响应时间到某一t_k的区间内,放电电流服从(t/t₀)^-α的负幂次方律;而在t>t_k,其规律近似地为:(t/t₀)^{(-α′ln(t/t₀))}。相关的弛豫参数α,α′和t_k在有限的范围内,依赖于温度和施加电压的大小,也因样品不同而有差异。对将近十个样品进行了测试,结果表明,大多数晶体在尽可能小的电压下0.43≤α≤0.7,0.07<α′<0.09;上述的电流弛豫表达式与α-碘酸锂在偏压场作用下观察到的其它物理现象的弛豫行为,与在中子衍射加强和表观介电常数中的表现如出一辙;可以初步肯定各种现象的弛豫行为具有相同的物理根源。 关键词：     

高压下TiO2纳米线晶粒和晶界性质及电输运行为

采用水热合成法制备了锐钛矿相TiO₂纳米线,并通过原位高压阻抗谱测量技术研究了TiO₂纳米线晶粒和晶界性质及电输运行为随压力的变化关系.研究结果表明:在0—34.0 GPa压力区间,锐钛矿TiO₂纳米线的传导机制为电子电导.TiO₂纳米线晶粒和晶界电阻以及弛豫频率在8.2—11.2 GPa压力区间均出现了不连续变化行为,此压力区域对应着由锐钛矿相到斜锆石相的结构转变,并且相变从晶粒表面逐渐延伸到晶粒内部.晶粒激活能和晶界激活能均随压力的增加而减小,说明压力对样品电导率的贡献为正.在所测压力范围内,空间电荷势始终为正值,表明在空间电荷区阴离子缺陷更易形成,氧缺陷是TiO₂纳米线相变的主要诱因.     

D+离子束轰击时间对氘钛靶特性的影响

利用ZF-300keV中子发生器,采用伴随粒子法研究了氘钛靶的中子产额随D⁺离子束轰击时间的变化特性;利用慢正电子湮没技术和扫描电镜分别研究了D⁺离子束轰击前后靶辐射损伤特性和表面形貌特征.结果表明,束流轰击引起氘钛靶缺陷结构和表面形貌的改变 ,但轰击时间的不同并未引起氘钛靶的中子产额、缺陷结构和表面形貌有明显差异;数值模拟了D⁺离子束在氘钛靶的辐射损伤特性和能量损失规律并与实验结果进行了比照分析和讨论. 关键词： 中子发生器 氘钛靶 伴随粒子法 慢正电子湮没技术     

静电场对α-LiIO3单晶透射光的影响

沿α-LiIO₃单晶z轴向施加静电场。当沿z轴方向通光时,几乎观察不出晶体透射像的变化;当偏离z轴方向通光时,透射像上显现出一些花纹。本文还作了空间频谱分析,显微观察和光衍射。 关键词：     

静电场作用下α-LiIO3单晶的光衍射增强现象的弛豫行为和“低温冻结”

在以前工作的基础上,利用在频率平面上进行空间滤波的方法,研究了α-LiIO₃单晶在静电场作用下,空间电荷分布引起的衍射光强变化的弛豫行为。得出了弛豫过程的唯象表达式,发现其中的弛豫参数依赖于温度和电压的大小以及所加电压为同号或异号电压,且随样品的不同而变化。在低温下,衍射会被“冻结”:即在“冻结”温度(～-25℃)以下加电压,衍射增强不显著;在“冻结”温度以上加电压,然后降至“冻结”温度以下,衍射光强度仍保持高温时增强后的数值;撤去电压,因加电压所增加的衍射并不消失。 关键词：     

电泳法制备ZnO/YBCO异质结及电学性质研究

采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的六方晶粒。通过对ZnO/YBCO异质结的电学性质进行测试,结果显示整流特性。     

磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y₂O₃-TiO₂氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y₂O_{3关键词： 2}O₃-TiO₂薄膜')" href="#">Y₂O₃-TiO₂薄膜 表面形貌 原子力显微镜 磁控溅射