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| 静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释 | |
| 引用本文： | 许政一,李铁城,顾本源.静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释[J].物理学报,1979(5). |
| 作者姓名： | 许政一 李铁城 顾本源 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (许政一，李铁城)，中国科学院物理研究所(顾本源) |
| 摘 要： | 本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO_3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO_3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO_3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO_3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献4—6]中观察到的各种现象。 |
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