KTiOPO_4单晶的偏振喇曼散射谱

我们测量了KTiOPO_4单晶在300K和210K下的偏振喇曼散射谱(10～4000cm~(-1)范围)和该晶体粉末样品的红外吸收谱(200～4000cm~(-1)范围).利用群分析对谱线作分类指定,对所得结果作了分析讨论.     

c向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO_3单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO_3单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生oe光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。     

α-LiIO3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射

激光束通过加c向直流电压的α-LiIO₃单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起 关键词：     

光通过LiKSO_4单晶产生的衍射现象

观察光通过LiKSO_4单晶产生的衍射图像随温度的变化,结合偏光显微镜的观察,确定文献观察到的衍射现象是晶体内左右旋孪生畴排列成空间光栅状结构引起的,衍射图案在435℃、673℃、-71℃和-84℃发生突然变化,这是由于在相应温度处发生结构相变。     

INFLUENCE OF γ-RADIATION ON THE DIELECTRIC CHARACTERISTICS IN Rb2ZnCl4 SINGLE CRYSTALS AT INCOMMENSURATE-COMMENSURATE PHASE TRANSITION

In this paper the influence of γ-radiation on the dielectric constants of Rb₂ZnCl₄ crystal at incommensurate-commensurate phase transition (hereafter abbreviated as INC-C transition) are studied. The thermal hysteresis occurs upon both cooling and heating runs, irrespective of whether the samples have been treated with γ-radiation or not. For the γ-irradiated sample, its transition point, T_c, between the INC and C phases is not changed, but the peak value of the dielectric constant at T_c increases abruptly, compared with that before γ-irradiation, When this sample is annealed at 40℃, the peak value restores to the incipient value for the sample free from γ-irradiation. The origin of the phenomenon of the thermal hysteresis of the dielectric constant may be due to the pinning effect of dejects or impurities in the samples.     

喇曼散射研究LiKSO_4的低温相变

本文报道一组更为完整的LiKSO_4晶体在210K和203K下的喇曼谱,仔细分析它们的变化,并考虑到空间对称群的相关性,我们证实LiKSO_4晶体冷却时,在～203K处发生一结构相变:C_6~6→C_(3v)~4。相变过程是与单胞中二近邻的SO_4四面体的重新排列相关联的。     

静电场对a_碘酸锂单晶喇曼光谱的影响

本文报道了静电场作用下a-碘酸狸单晶喇曼光谱的变化. 观察到由于静电场作用, 瑞利散射强度显著增强. 对于喇曼散射, 观察到“串线” 现象, 即通常的一阶喇曼散射光谱的选择定则遭到破坏. 我们还观察到, 在y(xz)x实验配置下, “串线”, V1=790 (1/cm)(对应于碘酸根内部振动对称伸张模)的强度在施加同号电压下, 有显著增强现象, 并且其谱线强度随时间变化存在弛豫现象. 在y(zz)x 配置下, 施加异号电压时, 四条谱线强度都发生明显变化. 关键词：     

c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO₃单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO₃单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生o←→e光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。 关键词：     

LiKSO_4单晶体内体位相光栅引起的光衍射现象

本文报道光通过LiKSO_4单晶体产生的有规律性的衍射现象,衍射环和衍射带。观察了不同实验条件对衍射现象的影响,可以肯定这些现象是波矢k垂直于c轴的体位相光栅所产生。伴随衍射环内外各出现副环的来源尚未能理解。     

α-LiIO_3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射

激光束通过加c向直流电压的α-LiIO_3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起了介电张量的涨落,使得在晶体主轴坐标系中出现非对角元,对角无数值也随空间和时间涨落,从而引起这三种散射。