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在以前工作的基础上,利用在频率平面上进行空间滤波的方法,研究了α-LiIO_3单晶在静电场作用下,空间电荷分布引起的衍射光强变化的弛豫行为。得出了弛豫过程的唯象表达式,发现其中的弛豫参数依赖于温度和电压的大小以及所加电压为同号或异号电压,且随样品的不同而变化。在低温下,衍射会被“冻结”:即在“冻结”温度(~—25℃)以下加电压,衍射增强不显著;在“冻结”温度以上加电压,然后降至“冻结”温度以下,衍射光强度仍保持高温时增强后的数值;撤去电压,因加电压所增加的衍射并不消失。 相似文献
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锁相放大器具有灵敏度高、抗干扰性强的优点,已成为微弱信号检测的有力工具.它不仅同一般交流电压表一样可以测量信号电压的振幅,而且可以测量信号电压相对于参考电压的相位.也就是说,锁相放大器可以测量矢量电压.我们将锁相放大器的这一特点用于测定介质样品的复阻抗,进而确定样品的损耗、等效电阻、等效电容和介电常数. 与电桥相比,用锁相放大器测量样品的复阻抗有如下优点:1.抗干扰能力强,异于信号频率的杂散信号不容易干扰被测系统;2.大多数电桥只有一个或两个固定的测量频率,而锁相放大器一般都可以在较宽的频率范围内应用.例如,我们用… 相似文献
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能隙中态密度的分布状况对晶态或非晶态半导体的电学和光学性质影响很大[1].研究半导体材料能隙中态密度分布的最直接和最简单的方法是测定它们的吸收光谱.但是,当光子能量低于吸收边以后,样品的吸收系数变得很小.加上大多数非晶态半导体材料样品的厚度为微米量级,它们对光的吸收量就更小了,用通常的测量方法很难测出它们的吸收谱[2].我们利用低温量热原理在波长为 0.4—5.2μm的范围内直接测定了a-SiHx的吸收谱,研究了氢含量对非晶态硅能隙中态密度的影响[3]. 一、高灵敏度的低温量热原理 一个质量为m、比热为c的样品吸收了能量Q后产生的… 相似文献
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在以前工作的基础上,利用在频率平面上进行空间滤波的方法,研究了α-LiIO3单晶在静电场作用下,空间电荷分布引起的衍射光强变化的弛豫行为。得出了弛豫过程的唯象表达式,发现其中的弛豫参数依赖于温度和电压的大小以及所加电压为同号或异号电压,且随样品的不同而变化。在低温下,衍射会被“冻结”:即在“冻结”温度(~-25℃)以下加电压,衍射增强不显著;在“冻结”温度以上加电压,然后降至“冻结”温度以下,衍射光强度仍保持高温时增强后的数值;撤去电压,因加电压所增加的衍射并不消失。
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为研究物质在低温下的光学性质,我们在G.H.Lesch等人[1]设计的低温光学实验用恒温器的基础上作了改进,设计了一具光学和电学实验用低温恒温器(图 1).既保持了[1]中恒温器的结构简单的优点,又提高了恒温精度,还使样品能在光路中作适当调节. 样品架由整块黄铜做成(图2).它具有较大的热容和较好的导热性,当样品需要加电压时,可在样品架与样品(例如晶体)间用厚0.06mm的聚四氟乙烯薄膜作电的绝缘,又能保持较好的热接触,以保证样品加热均匀. 引出口的外管是黄铜管.所有导线引出之前,在一个类似于绕线轴的黄铜轮上绕一圈,此黄铜轮与黄铜外管大面… 相似文献
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表1列出测量薄膜样品吸收系数的几种方法.对于1μm左右的非晶硅,当吸收系数 a<10-2cm-1时,透射法因受到测量精度的限制不再适用.由于非晶硅是良好的光电导体,用光电导分析法延长其低吸收区.是一种简便方法. 一、用恒定光电导法测低 吸收区吸收系数的原理 当光电导体吸收了一定能量的光子后,产生非平衡的电子-空穴对,这种光生载流子提供给回路的电流就是光电流.所以,当吸收的光子数与光电流成正比时,就可以通过光电导测量得到材料的吸收系数.具有欧姆接触的光电导率可写为其中分别为光生电子,空穴浓度,μn和μp分别为电子和空穴的扩展态迁移… 相似文献
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