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1.
基于三探针方法开展了脉冲放电等离子体特性研究,实现了单次脉冲放电等离子体参数的时变特性诊断。采用金属罩屏蔽、示波器锂电池供电等方法降低了电磁信号干扰,利用Labview编制了特定的程序进行三探针诊断数据处理。根据脉冲放电等离子体具有多电荷态离子成分、离子超声速运动等特点,对三探针理论进行相应修正。诊断结果表明,整个放电脉冲内高压引出界面电子温度Te处于2~4eV之间,离子密度ni处于1017~1018 m-3量级之间,与Langmuir单探针诊断结果吻合。  相似文献   
2.
刘恒  余海军  向伟 《物理学报》2012,61(18):180503-180503
研究了带有未知外部扰动的不同多涡卷混沌系统修正函数时滞投影同步问题. 基于Lyapunov稳定性理论, 采用模糊自适应控制的方法设计自适应同步控制器及参数的更新规则. 该控制器在实现混沌系统修正函数时滞投影同步的同时对外界扰动的变化能保持较好的稳定性. 数值仿真的结果进一步验证了该方法的有效性.  相似文献   
3.
场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。  相似文献   
4.
聚吡咯/多壁碳纳米管修饰电极对多巴胺的测定   总被引:8,自引:3,他引:5  
制备了聚吡咯/多壁碳纳米管(PPy/MWNT)复合膜修饰电极。研究了神经递质多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为。实验表明,PPy/MWNT复合膜修饰电极对DA的电催化作用优于PPy修饰电极。在pH=4.10的0.2mol/L醋酸-醋酸钠缓冲溶液中,DA在该修饰电极上的CV曲线于0.31V和0.28V处出现一对灵敏的氧化还原峰,峰电位差△Ep比裸玻碳电极降低58mV,比PPy修饰电极降低28mV,峰电流显著增加。氧化峰电流ipa与DA浓度在1.0×10-4~7.8×10-8mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip(μA)=0.2512 1.2300C(×10-5mol/L),相关系数r=0.9992,检出限为3.9×10-8mol/L。常见物质对DA的检测无干扰,DA注射液样品检测回收率为94%~104%。  相似文献   
5.
制备了多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWNT/GCE),研究了维生素B2、B6、B12和维生素C共存时在该电极上的电化学行为.实验发现,在HAc-NaAc缓冲溶液中,该电极可同时测定以上四种维生素,线性范围分别为1.0×10-6~1.0×10-4 mol/L、5.0×10-5~2.0×10-3 mol/L、5.0×10-5~7.5×10-4 mol/L和5.0×10-5~2.0×10-3 mol/L,其检出限分别为7.0×10-7 mol/L、1.0×10-5 mol/L、2.5×10-5 mol/L和5.0×10-6 mol/L.样品分析的RSD分别为1.66%、1.71%、2.26%和1.46%.方法简便快捷,可用于四种维生素同时分析测定.  相似文献   
6.
高镍LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_2正极材料因诸多优势,广泛应用于锂离子动力电池。进一步抑制材料不可逆相变,提升结构稳定性和电化学性能是材料大规模应用的关键。本文采用LaF_3包覆改性材料。测试结果表明,LaF_3包覆在材料表面形成了均匀的包覆层,且未改变材料的形貌和晶体结构。随包覆比例越大,包覆层越厚。LaF_3包覆材料具有较好的循环和倍率性能,这是由于LaF_3包覆层减少了脱锂态下材料对电解液的氧化,抑制了惰性层的形成,从而降低了循环过程中的阻抗。包覆比例为1. 0 wt%的材料性能较优,在3. 0~4. 3V电压范围、5. 0 C倍率下放电比容量为114. 3 mAh·g~(-1),较原材料(90. 5 mAh·g~(-1))提升显著;在3. 0~4. 6 V电压范围、1. 0 C倍率下循环100周之后,容量保持率可达84. 7%。  相似文献   
7.
李宁  刘恒  向伟 《物理学报》2012,61(23):95-102
针对带有非线性输入和控制增益矩阵扰动的未知时变时滞混沌系统,提出了一种自适应模糊变结构控制方法.设计的控制器可以保证跟踪误差收敛到原点的可调邻域内,并且闭环系统所有信号有界.该方法对系统扰动的变化能保持较好的鲁棒性.最后以多卷波混沌系统为例的仿真实验进一步验证了该方法的有效性.  相似文献   
8.
The GaSb-based laser shows its superiority in the 3-4 ~tm wavelength range. However, for a quantum well (QW) laser structure of InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well (MQW) grown on GaSb, uniform content and high com- pressive strain in InGaAsSb/A1GaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth tempera- ture and compressive strain on the photoluminescence (PL) property of a 3.0μm lnGaAsSb/A1GaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the Ino.485GaAso.184Sb/Alo.3Gao.45Ino.25Aso.22Sbo.78 MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 ~C posseses the op- timum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters.  相似文献   
9.
The GaSb-based laser shows its superiority in the 3–4 μm wavelength range. However, for a quantum well(QW) laser structure of InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well(MQW) grown on GaSb, uniform content and high compressive strain in InGaAsSb/AlGaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth temperature and compressive strain on the photoluminescence(PL) property of a 3.0-μm InGaAsSb/AlGaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the In0.485GaAs0.184Sb/Al0.3Ga0.45In0.25As0.22Sb0.78MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 C posseses the optimum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters.  相似文献   
10.
采用碳酸盐共沉淀-高温固相法制备了一系列表面碳包覆改性(w=1.0%,2.0%,3.0%)的LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料,借助X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、电化学阻抗谱(EIS)和恒电流充放电测试等表征手段对材料的晶体结构、微观形貌和电化学性能进行了较系统的研究。结果表明,碳成功地包覆在了材料颗粒的表面,碳包覆改性后的材料具有良好的α-NaFeO2结构(空间群为R3m),且随着包碳量的增加,一次颗粒平均尺寸逐渐增大(从177 nm增至209 nm)。表面的无定形碳层可以提高材料的电子导电率,减少电极材料与电解液的副反应,故而碳包覆材料的电化学性能都有了一定程度提升。包覆碳量为2.0%的样品高倍率和长循环性能最好,在2.7~4.3 V,1C下循环100次后,容量保持率为93%;在0.1C、0.2C、0.5C、1C、3C、5C、10C和20C时的放电比容量分别为:155、148、145、138、127、116、104和96 mAh·g-1。在超高倍率50C(9 A·g-1)时,其放电比容量还能达到62 mAh·g-1(原始LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料仅为30 mAh·g-1),倍率性能十分优异。  相似文献   
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