基态分子波函数对N2分子在强激光场中产生高次谐波的影响

在强场近似下,利用简单的近似波函数作为分子基态最高占据轨道的波函数,研究了N2分子在强激光场中产生高次谐波的特性,并将结果与用精确的分子波函数作为基态波函数得到的结果进行了比较.结果表明.采用这两种不同的分子基态波函数得到的高次谐波在分子轴与激光偏振方向间的夹角较小时符合得很好,而在夹角较大的情况下,两者的结果差异较大.通过分析不同波函数所给出的电子密度分布,给出了产生这种差异的原因.     

强激光场中N2分子高次谐波的干涉效应

在强场近似下,利用Lewenstein模型研究了N2分子在强激光场中发射高次谐波的干涉效应,通过对N2分子产生的高次谐波和分子中单个原子产生高次谐波的比较,表明了干涉效应的存在. 得出随着高次谐波阶数的增加,干涉极小值会随着分子轴与激光偏振方向间夹角的增加而减小,在角度接近900附近时干涉效应消失,与两中心干涉模型预测的趋势一致. 通过分析高次谐波产生的机制和相位随取向角的变化,给出了干涉产生的原因.     

对称分子H2+在强短波激光场中高次谐波椭偏率性质的研究

通过数值计算,研究了强短波(400—600 nm)激光场中H₂⁺分子高次谐波辐射的椭偏率性质.研究表明,H₂⁺分子在不同激光强度、不同激光波长、不同核间距及不同取向角下高次谐波的椭偏率性质是不同的;特别是在两中心干涉区,激发态在高次谐波产生中起着重要作用,但在不同取向角下,激发态对谐波椭偏率的影响不同;分析表明,这些不同的影响源于沿平行和垂直于激光偏振方向辐射的高次谐波的相对产量,以及激发态对平行和垂直谐波产量的影响;此外,椭偏率的测量检验了强场近似和平面波近似在强短波激光场中是成立的,并对强短波激光场中分子动力学做了更充分的研究.     

不同核轴取向的O2的高次谐波

分子的高次谐波是强场超快物理的重要研究课题. 采用建立在形式散射理论基础上的频域方法计算了O₂在线偏振激光场下的高次谐波, 探讨了核轴被准直在与激光传输方向垂直的平面内时, 高次谐波随核轴与光电场偏振方向所成夹角θ₀的依赖关系. 结果表明: 各次谐波都是在θ₀约为45°时强度最大, 并有较宽的峰值宽度; 当偏离此角度, 高次谐波的强度变小; 到达平行或垂直取向时, 降到最低. 分析表明, 这是由于高次谐波的强度取决于分子基态的电子在动量空间中的电场方向的布居. 针对核轴被准直在激光传输方向与电场偏振方向所确定的平面内的情况, 计算了高次谐波随θ₀的依赖关系, 结果与前一种情况基本相同. 分析发现, 当核轴被准直固定后, 分子绕核轴旋转的角度ψ没有固定, 所以最后的高次谐波强度需要对不同的ψ 时的高次谐波的贡献求和平均. 平均后相当于波函数相对于核轴旋转对称, 从而导致O₂的高次谐波仅与θ₀有关, 而与核轴被准直在哪个面上无关.     

脉冲激光偏振方向对氮分子高次谐波的影响－－基于含时密度泛函理论的模拟

采用含时密度泛函方法，结合赝势模型和电子交换相关作用的广义梯度近似，模拟了氮分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象，并研究了激光脉冲偏振方向对氮分子高次谐波的影响.结果表明氮分子的高次谐波谱具有典型原子谐波谱的特征；谐波谱强度随着θ(激光偏振方向与分子轴向夹角)的增大而减小.这与J.Itatanl在Nature上报道的实验结果基本一致. 关键词： 含时密度泛函理论 激光偏振方向 高次谐波 氮分子     

脉冲激光偏振方向对氮分子高次谐波的影响——基于含时密度泛函理论的模拟

采用含时密度泛函方法,结合赝势模型和电子交换相关作用的广义梯度近似,模拟了氮分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象,并研究了激光脉冲偏振方向对氮分子高次谐波的影响.结果表明氮分子的高次谐波谱具有典型原子谐波谱的特征;谐波谱强度随着θ(激光偏振方向与分子轴向夹角)的增大而减小.这与J.Itatanl在Nature上报道的实验结果基本一致.     

用TDMA法计算谐振子在强激光脉冲下的高次谐波

用含时薛定谔方程的多态展开(TDMA)方法求解含时薛定谔方程.该方法将含时波函数以基函数展开,通过求解展开系数的一阶微分方程组得到任意时刻的波函数.并将这一方法用于强激光场中谐振子的高次谐波的计算,以HCl分子为例,计算了在脉冲激光作用下高次谐波的产生和对应的激光强度、波长和脉冲宽度.     

不同取向角下CO2分子波长依赖的垂直谐波效率

通过数值计算, 研究了强激光场中CO₂ 分子在不同波长和取向角下产生的高次谐波辐射的效率. 发现CO₂ 分子的垂直谐波效率在较小的和中间的取向角时倾向于与平行谐波效率可比或更高, 而在较大的取向角时, 垂直谐波效率远低于平行谐波效率. 进一步的分析表明, CO₂ 分子的结构对其垂直谐波效率有重要的影响, 且该影响与波长有关. 建议对于较复杂的分子, 应该在分子的轨道成像实验中考虑垂直谐波的贡献.     

原子在红外激光场中产生高次谐波及阿秒脉冲随波长的变化规律

利用强场近似理论,研究了在长波红外激光场(波长800—2000 nm)驱动下氢原子产生的高次谐波,分析了在截止位置附近高次谐波的转换效率随激光波长的变化规律.发现在截止位置附近原子发射高次谐波的转换效率比平台区域的转换效率低,但获得的阿秒脉冲的宽度会随波长的增大而缩短. 关键词： 强场近似 高次谐波 阿秒脉冲     

理论研究激光强度对H2+分子高次谐波产生的影响

本文通过求解非波恩-奥本海默近似条件下的一维含时薛定谔方程来研究脉冲强度对H₂⁺分子高次谐波的影响.由于干涉相消,在啁啾激光场的条件下在谐波谱中出现了干涉最小值.我们用全量子方法计算的时频分布图分析了分子高次谐波产生中的微观机制.此外,数值计算结果显示随着脉冲强度的增加电子的有质动力势随之增加,同时干涉最小值的位置移向谐波的高阶部分.     

关于p-n合金结中少数载流者的注射理论

本文用一维模型计算了p-n合金结中少数载流者的一般注射理论。这里假设复合率是与注入载流者的密度成正比。首先,我们讨论了大注射和小注射的两种极端情况,这样得到的结果被用作零级近似解来计算p-n结中注入少数载流者的分布情况。用逐步近似的方法我们得到了注射效率和注射强度(即注入少数载流者的密度与原有多数载流者的密度之比)间的解析关系。在同样的基础上也得到了通过结的总电流密度和注射强度间的类似关系。这理论的结果表明;对一个平常的合金结晶体三极管来说,当发射极电流增加时,发射极的注射效率逐渐下降。在很大的注射强度下,注射效率趋近于极限值1/(1+b),其中b是电子迁移率与空穴迁移率之比。对一个具有很低注射效率的p-n合金结来说,在注射电流小的时候,注射效率是正比于通过结的总电流;当往射电流很大时,注射效率趋近于极限值1/(1+b)。理论结果还表明,在小注射情下,通过p-n合金结的总电流是正比于注射强度;而在大注射情况下,它是正比于注射强度的平方。     

GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

注入电流对绿光高压LED光电特性的影响

设计并制备了12 V 的GaN基绿光高压发光二极管（LED）,并对其进行了变电流测试。研究了绿光高压LED的正向电压、峰值波长、光功率以及光效等重要参数随注入电流的变化关系,电流变化范围为3~50 mA,测试温度为25 ℃。实验结果表明：电流对绿光高压LED的光电特性有很大影响。在驱动电流为20 mA时,对应电压为14 V。随着注入电流的增大,峰值波长蓝移了2 nm。随着电流的增大,光功率近似于线性增加。在注入电流从3 mA增大到20 mA的过程中,光效降低了约61%;在注入电流从20 mA增大到50 mA的过程中,光效降低了约39%。这说明高压LED在大电流驱动时,光效降低的幅度比较缓慢。上述结果对 GaN基绿光高压 LED 的改进优化具有一定的参考价值。     

kA级脉冲电流注入环的电路建模与分析北大核心CSCD

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数值。频域和时域的验证实验表明,仿真结果和实验结果具有较好的一致性,验证了该电路模型的可靠性和正确性。对注入环的实际应用场景进行了仿真分析,结果表明该电流注入环可满足实际应用中kA级脉冲电流注入的需求。     

A grating-coupled external cavity InAs/InP quantum dot laser with 85-nm tuning range

The optical performance of a grating-coupled external Continuous tuning from 1391 nm to 1468 nm is realized at cavity laser based on InAs/InP quantum dots is investigated. an injection current of 1900 mA. With the injection current increasing to 2300 mA, the tuning is blue shifted to some extent to the range from 1383 nm to 1461 nm. By combining the effect of the injection current with the grating tuning, the total tuning bandwidth of the external cavity quantum-dot laser can reach up to 85 nm. The dependence of the threshold current on the tuning wavelength is also presented.     

1550nm-VCSELs在偏振保持光反馈和正交光注入下的偏振转换特性

基于自旋反转模型,研究了1550 nm垂直腔面发射激光器(1550 nm-VCSELs)在偏振保持光反馈和正交光注入下的偏振转换特性.结果表明:正交光注入下的从激光器会随着注入强度的增加产生偏振转换.在归一化注入电流较小时,改变反馈强度,会使从激光器发生偏振转换的注入强度出现规律不同的变化;改变频率失谐,会使从激光器发生偏振转换的注入强度出现规律相同的变化.     

大功率高线性度的电流注入探头性能分析及研制

针对大电流注入探头应用于大电流注入等效强场电磁辐射试验时阻抗容易发生非线性变化的问题,通过分析大电流注入的方式,对现有的商品化电流探头进行了线性度测试。测试结果表明,注入功率增大,不同频点的线性误差也随之增大。提出了研制大功率高线性度电流探头的方案,进行研制并通过了测试。自行研制的电流注入探头最大耐受功率可达500 W,插入损耗随注入功率变化具备良好的线性度0.3 dB @ 1?500 W,可以满足开展大电流注入等效强场电磁辐射效应试验的技术需求。     

用半导体环形激光器产生混沌信号

提出了一种由一个分布式反馈激光器为主激光器和一个半导体环形激光器为从激光器组成的主从式激光混沌系统方案,主激光器产生的光单向注入到从激光器中,通过调整注入系数、主从激光器的失谐频率和从激光器的偏置电流,使从激光器工作在混沌状态,输出混沌信号。从基于光注入条件下的环形激光器的速率方程组入手,数值模拟了主从激光器的失谐频率、注入系数和从激光器的偏置电流3个工作参量对从激光器输出动态的影响。研究表明:外光注入条件下,半导体环形激光器可以产生混沌信号。通过分析得出:当失谐频率为3.9 GHz、注入系数为0.07、偏置电流为81 mA时,环形激光器可以产生功率谱平坦、带宽较宽的高质量混沌信号。     

Correlation of Radiation with Operating Parameters during PLT Neutral Injection

Changes in impurity radiation during injection of neutral beams into the Princeton Large Torus (PLT) tokamak have been studied using both a soft X-ray detector and a scanning bolometer. The direction of injection with respect to the plasma current is found to be the most consistently significant factor. Injection counter to the plasma current gives rise to more central radiation than either injection parallel to the current or simultaneous injection parallel and antiparallel to the current. In addition, injection into ungettered discharges increases the soft X-ray impurity radiation more than does injection into gettered discharges. At least for coinjection, the change in soft X-ray impurity radiation tends to be less at higher preinjection electron densities than at lower ones.     

虚阴极振荡器中微波产生的解析理论

 用解析方法研究了虚阴极振荡器中微波产生的机理, 给出了小信号增益公式和饱和功率的标度。由此得到的结论是: 虚阴极振荡器的辐射一般情况下是由相位受到RF场调制的从虚阴极反射的电子束流产生的, 当注入电流稍大于第一临界电流时，有最高辐射增益区，但反射电流较小；当注入电流稍大于第二临界电流时，有较高辐射增益区，反射电流也较大。