玻色-爱因斯坦凝聚态的结构理论研究系列之一:玻色-爱因斯坦凝聚态的复合表示理论

针对近零温度下玻色-爱因斯坦凝聚态的特点,建立了复合原子表示模型.提出了复合原子的概念,研究发现复合原子具有一定的零点半径与结合能,得出了相应的表达式.认为该物态作为一个宏观量子态的说法具有相对性,应该据研究角度而定.同时,给出了二个分离的玻色-爱因斯坦凝聚态之间产生1/R型作用势的几种情况,为同类实验提供了理论依据.     

InP在两种化学腐蚀系统中的腐蚀特性

本文研究了各种浓度的Br2:CH3OH和Br2:HBr:H2O两种腐蚀系统分别对用负性KPP和正性AZ1350J光致光刻胶直接掩蔽[001]InP的腐蚀特性。分别给出了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀深度与时间的关系曲线。同时从结晶学角度定性解释了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀方向与腐蚀图形的依赖关系。     

玻色-爱因斯坦凝聚态的临界温度移动

从平均场理论出发,针对有限温度下的玻色-爱因斯坦凝聚态的特点,从正则系综的自由能函数变化的角度,推演并得出了临界温度移动的表达式。为同类实验提供了理论依据.     

GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

1.3μmInGaAsP/InP DCC结构半导体激光器

用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T0和阈值电流的影响。     

半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

内量子效率和微分外量子效率是半导体激光器的主要物理参数。H. S. Sommer(1978)曾提出一新的测量方法。     

一种测量GaAs-GaAlAs行波激光放大器增益特性的实验方法

本文报导了一种测量光耦合效率η的新实验方法。这个方法是建立于p-n结短路光电流原理上的。本文推导出适合于行波激光放大器的光耦合效率的公式。短路光电流用一检流计测量,利用公式获得光耦合效率的实验值。利用实验所测光耦合效率,测量了行波激光放大器的增益随注入电流变化的规律,其结果和实验符合。另外本文还介绍了在脉冲注入电流条件下测行波半导体激光放大器增益的实验方法。