大规模和超大规模集成电路

半导体应用的方面很多,但是最主要的,对国民经济影响最大的是单块集成电路,或简称集成电路.集成电路的集成度(每块芯片上的元件数)从最初的每片十几个发展到现在每片可以有几十万个.一片典型的大规模集成电路16KMOS动态随机存贮器,就是在大约20平方毫米的硅片上,做上37000个MOS     

十年来的中国物理学

物理学是各种科学技术的基础。本世纪以来,物理学的巨大发展不仅极其有力地推动了其他各种科学,而且为生产技术带来了完全崭新的面貌,从而使人们的生活起了崭新的变革。但在旧中国,由于政府极其腐败,生产极为落后,直至三十年代左右,物理学的研究在我国才略有开始。当时,工作人员甚少,设备不全,所研究的范围也很有限。几年中,     

平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡

为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面Gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅可以比Gunn振荡大得多,而频率比Gunn振荡小几倍,并且受外电路参数影响很大,在负载匹配好的情况下,粗略地测得总效率可达36％。     

電子顯微鏡

在三百多年以前,人們已經發現了光學顯微鏡。由於人們不斷的鑽研和改進,现在的光學顯微鏡已經能够把微小的物體放大到1000—2000倍了左右,它可以使我們觀察到大小在0.00002厘米左右的顆粒。我們在顯微鏡裏能够看見的最小微粒的大小,叫做顯微鏡的‘鑑別距離”。所以目前光學顯微鏡能够達到的鑑別距離大約是0.00002厘米或0.2微米。現在我們要問,我們是否可能使光學顯微鏡的鑑别距離再小一些,也就是使它的鑑别力再大一些呢?要回答這个问題,我們必須簡單的來談一下光的波動性質。大家都知道,當平行光線穿過狹縫的時候,如果縫是相當的狹,那末在缝后面屏幕上出現     

纪念王守竞先生

王守竞先生1984年6月19日在美国去世,至今已整整一年.王守竞先生对我国早期物理学事业的发展作出过重要的贡献,很值得我们回顾和纪念. 王守竞于1904年农历11月 18日生于苏州,幼年受启蒙教育于苏州私立彭氏小学,1918年进苏州工业专科学校学习,1922年毕业后考取清华学校(留美预备学校,是1925年成立的清华大学的前身),1924年赴美留学(同年赴美留学的有周培源先生),1926年获哈佛大学理科硕士学位,1928年获哥伦比亚大学哲学博士学位,旋即获得美国全国研究委员会研究资助. 王守竞聪明过人.他的洋溢才华早在青年时期就表现出来.他在清华学校甲子(19…     

双稳激光器的不稳定性本质研究

本文从非线性方程稳定性理论出发,给出了双稳激光器速率方程的稳定性三条件,指出了其中两个条件分别是产生双稳和自脉动的不稳定性条件,证明了双稳与光功率曲线出现负斜率的区域相对应,这时小信号分析方程有单调上升解,自脉动则与无稳定解的区域相对应,这时小信号分析方程有振荡上升解。另外两者都属于“三次”非线性现象,但是要在g达到一定的非线性时才可能产生自脉动。 关键词：     

大规模集成电路和短沟道效应

自从1960年仙童公司首次宣布制成单块集成电路以来,集成电路技术得到了迅速发展.集成度由最初的每片十几个元件发展到现在的每片数百万元件以上,如图1(a)所示,1975年前集成度平均每年翻一番,1975年后逐步下降为每两年翻一番,同时出现了超大规模集成电路(>10万元件/片).随集成度的增加,单个元件的尺寸必然不断减小,最细线宽也由最初几+μm下降到1μm,如图1(b)所示,平均每年下降13%.实验室现在最细线宽可做到20-30nm,集成电路的价格也逐年下降,如图2所示,存贮器每位价格平均每两年下降50%.七十年代中期1K存贮器每位约1美分,现在256K存贮器价…     

半导体的电子生伏打效应的理论

一.引言 以高速电子注射到具有阻挡层的半导体光电池上,其效果和光線相类似,使光电池的两极间产生电动势。这种效应可称为电子生伏打效应。这效应首先在1937年由Becker和Kruppke研究过,以后Ehrenberg,蓝继熹和West做了更有系统的测量。他们的测量结果表明,当电子注的能量逐渐增加时,光电池的电动势(以下简称次级电动势)最初很快地增加,达到一个极大值后又逐渐减少。相当于最大次级电动势     

纪念Α.Φ.约飞院士

苏联杰出的物理学家,苏联科学院院士A.Ф.约飞,于1960年10月14日逝世了。这不仅是苏联物理学界,而且是全世界科学技术界的重大损失。A.Ф.约飞生于1880年10月29日,他的科学活动开始于二十世纪初。当时,物理学的发展史上正出现了一系列     

砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性

砷化镓p-n结的受激发射光谱是注入型光激射器的重要性能之一。本文报导了砷化镓激射器的发射光谱的精细结构,讨论了注入电流及热效应对器件工作状态的影响。 p-n结是由锌扩散入n型掺碲的砷化镓所制成的。谐振腔的两反射面用解理方法得到。器件在脉冲状态下产生受激发射。脉冲重复频率在2至200周/秒内可变脉冲波形为2微秒宽的矩形。在液氮温度下,器件的阈电流密度在2600安/厘米~2至6000安/厘米~2之间变化。