关于电感耦合等离子体辐射和温度的研究

一、概述电感耦合等离子体(ICP)又称高频感应等离子炬。其工作特点是:(1)用通过感应线圈的高频(约几十兆赫)振荡放电激励;(2)能量按感应耦合的方式自感应线圈传递给等离子体;(3)用高速气流轴向通过感应线圈中心,以获得等离子体射流;同时用沿线圈内侧切向流动的漩涡气流使之稳定。这种等离子炬最早出现在60年代初,在70年代后期得到完善和广泛的应用。为了得到高温的发光等离子体射流,先在高速气流中触发小的电火花,产生带电粒子(电子和离子);     

电感耦合高频等离子光源的参数选择与分析应用

电感耦合高频等离子体作为一种新的激发源(简称ICP)引入光谱分析以来,正日益以其灵敏度高,稳定性好,能同时进行多元素测定的优越性,成为溶液分析的一种强有力手段。本文报导以自由振荡型ICP光源与1米光栅摄谱仪组合的分析装置,装备有去溶与不去溶进样系统,设计了方便的炬管调节装置,改进了高频电磁场的屏蔽措施,对等离子体多种参数进行了实验选择,测定出折衷工作条件下两种进样系统的元素分析下限与精     

聚四氟乙烯表面的等离子体处理

聚烯烃类聚合物粘结与印染性能均较差,以往都是用氧化剂法改善其表面性能,近年来采用等离子体表面处理的方法,不仅能改变表面的润湿性,而且无污染、效率高,完全有可能取代传统的表面处理方法。 本文报道我们在自制的装置上,用空气等离子体,对     

感耦等离子体光源的研究

由Reed首先提出并被Greenfield等及Fassel等首先用于光谱分析的常压流动气体中的感耦等离子体(ICP)放电,近年来已发展成为一种广泛使用的激发光源,在我国也已经有许多单位在研究和应用这种光源。本文将介绍我们在一套已改装过的高频加热装置为电源的ICP光源上进行的关于几个主要参数对光谱性能的影响,酸类及基体影响等的实验结果以及一些应用的例子。一、实验 1.装置及工作条件:所用装置及经实验选定的多元素同时测定的工作条件列于表1。在本文所述实验中均以这套条件为基础。     

乙烯和丙烯的等离子体聚合及聚合物结构的研究

<正> 文献[1—3]曾报导过应用等离子体聚合方法制备有机聚合物薄膜,为掌握等离子体聚合物的性能,进而扩展其用途,对其结构进行研究具有一定的意义。Kobayashi等研究了用内部电极等离子体装置制备的聚乙烯的结构,并指出其为交联结构,他们用同样装置研究了单体流量对丙烯聚合膜淀积速率的影响。我们用较简单的外部电容耦合式聚合装置,研究了在辉光区中乙烯和丙烯的聚合规律,并应用元素分析、红外光谱和X射线衍射法研究了聚合物的结构。     

用同轴表面波激励器和微波等离子体炬获得的微波等离子体的性能研究

同轴表面波激励器和微波等离子体炬是两种获得微波等离子体(MWP)的装置,本文比较了用这两种装置获得的MWP作原子发射光谱法光源时的分析性能,结果表明这两种装置各有优点,但微波等离子体炬效果更好。     

新型色谱用微波等离子体离子化检测器的研究

自1965年McCormark提出微波等离子体应用于气相色谱法以来,人们相继研制出多种类型色谱用微波等离子体检测器,并在环保、医药、卫生等部门得到应用。在近几年研究工作的基础上,本文提出了我们新近研制的一种色谱用微波等离子体离子化检测器(MPID),并对检测器的一些分析特性进行了考察。 MPID的结构和工作原理 微波等离子体离子化检测器是我们自己设计和加工组装的,结构示意图见图1。     

用同轴表面波激励器和微波等离子体炬获得的微波等离子体的…

同轴表面波激励器和微波等离子体炬是两种获得微波等离子体的装置，本文比较了用这两种装置获得的ＭＷＰ作原子发射光谱法光源时的分析性能，结果表明这两种装置各有优点，但微波等离子体炬效果更好。     

乙烯基三甲基硅烷等离子体聚合物膜的结构与性能

采用外部电极电容耦合高频等离子体装置对乙烯基三甲基硅烷(VTMS)进行等离子体聚合。用IR、XPS、PGC/MS、X-ray、ESR和元素分析等方法对聚合物结构进行表征,并推断聚合反应历程。应用TG研究聚合物的热性能。通过X-ray证实聚合物为非晶结构。在无添加气体存在时聚合,XPS测试结果表明产物中有氧嵌入,且聚合物的C/Si比总的说来比单体的C/Si比低。TG的测试结果表明聚合物膜具有优良的热稳定性。     

感应耦合高频等离子体发射光谱分析的研究与应用

感应耦合高频等离子体(ICP)最初是Reed于1961年开始研究的,他在研究大气压力下维持电离气体(等离子体)的新方法时,根据感应加热的原理使等离子体感应产生高频涡流.1964年Greenfield等把等离子体作为激发光源首先应用于发射光谱分析.不久Wendt和Fassel也报道了他们的研究情况.高频等离子体光源的出现,由于它具有无可比拟的优点,使发射光谱的发展获得了新生,被广泛应用于化工、地质、冶金、材料以及环保分析中.     

气相色谱-Surfatron微波等离子体发射光谱联用技术的研究

本文建立了一种简单的气相色谱法-常压微波等离子体发射光谱法联用实验装置。等离子体用自制的Surfatron获得。研究了等离子体操作参数对该装置分析特性的影响,证明该装置可用于某些含磷有机化合物的C/P比值的测定。     

激光作用磷化铟所产生的负离子质谱及其分析

以激光蒸发结合超声分子束膨胀,近年来已成为产生与研究原子簇的一种重要手段。在以这一方式产生的Ga_xAs_y的光电离质谱中,发现含奇数个原子的簇离子的信号强度相对较高。最近我们在自制的装置上,于高真空中直接以脉冲激光作用于GaAs、GaP、InP等多种半导体材料,在所记录的负离子质谱中也都观察到类似的奇强偶弱的现象,其中尤以In_xP_y~-最为显著。实验用的激光离子源飞行时间质谱计的构造已有另文详细介绍。该装置通过朝相反方向分别加速正负离子而可同时记录激光等离子体的正负离子质谱。实验采用Nd~(3+):YAG激光器的调Q倍频输出(532nm),聚焦后作用于样品表面的激光功率密度约为10~8W·cm~(-2)。质谱计的加速电压1kV,正负离子的无场漂移长度约1.15m,数据的模数转换速度为2×10~7s~(-1)。实验所用的磷化铟是片状的高纯度半     

等离子体聚丁醛和聚丙醛晶体结构

迄今为止,文献上报道的各种等离子体聚合物都被认为是完全无定形的交联结构。我们最近聚合等离子体聚丁醛和聚丙醛时发现,这两个等离子体聚合物不仅有部分结晶而且有单晶体的存在。这种新的发现对研究等离子体聚合物具有重要的意义。     

微波等离子体光谱法测定碲的研究

微波等离子体原子发射光谱法(MIPAES)测定碲,前人已作过一些工作。本文利用我们建立的微量进样系统与MIPAES联用,对碲的测定进行了研究。实验中发现,加入适量的SnCl_2可降低检出限约一个数量级,Te_(214.3nm)的检出限为5 ng/mL,同时还研究了碱金属卤化物对碲的测定的影响。     

帕金森氏病与血清中微量元素关系的研究

以人血清为材料，探讨了帕金森氏病与微量元素的关系。采集了６２例患者血清和３３例健康人血清，用电感耦合高频等离子体发射光谱仪进行测定，结果发现，患者组血清锌明显低于对照组、铜、锰低于对照组，还发现患者组轻、中、重分型病人血清铅有明显差异，上述结果提示微量元素可能在帕金森氏病的发生、发展和转归中起着重要的作用。     

氧等离子体低温灰化法测定生物样品灰分中易挥发元素

本文介绍了氧等离子体低温灰化法及我们设计研制的氧等离子体低温灰化装置在多种样品处理中的应用。结果表明;本法对样品中含有的易挥发元素可取得良好的回收率,仪器具有较好的适用性、可靠性。     

等离子体聚四氟乙烯的ESCA表征

<正> 研究碳氟化合物的等离子体聚合膜结构,对开拓新的应用领域及等离子体化学的基础研究均有实际意义。Pender和Nakajima用内极装置合成了全氟化合物的等离子体聚合膜,但在C_(15)区的ESCA谱的归属方面存在分歧。本文采用外部电容耦合式装置合成了等离子体聚四氟乙烯(PPTFE)膜,应用ESCA表征了PPTFE的结构,并运用模型化合物的理论计算结果,总结出计算结合能位移的经验式,为C_(15)区的ESCA谱的归     

低温等离子体对高分子材料表面的改性

低温等离子体是以低气压放电(辉光、电晕、高频、微波)产生的电离气体,其中蕴含着丰富的活性粒子,可以引起种种化学反应。处于非平衡态的低温等离子体,其电子温度 T_e>>离子温度 T_i 和气体温度 T_g。如辉光放电或射频放电产生的低温等离子体,其 T_e≈10~4K, T_g则略低二个数量级。在低温等离子体条件下进     

电热蒸发进样低功率MPT—AES测定铜,锌,镉的研究

微波等离子体炬(MPT)是一种具有类似ICP炬管结构的新型等离子体光源,该光源的基本性质已进行了详细的研究。本文采用自制的低功率MPT为激发光源,以氧为工作气体,用微型电热蒸发装置进样,测得铜、锌和镉的检出限分别为3.3、1.4和1.7ng/mL。考察了碱金属元素对铜、锌和镉发射信号的影响,该方法应用于钢样中铜的测定,结果较好。     

NafionTM膜表面改性用等离子体聚合方法提高膜的阳离子选择性

采用辉光放电等离子体聚合方法 ,以 C2 H4 和 NH3 为单体 ,在 Nafion TM膜表面沉积一层含氨基及酰氨基的类聚乙烯阴离子交换膜 ,提高了 Nafion TM膜对阳离子的选择性 ,同时不显著增加膜电阻 .由 SEM确定该等离子体聚合膜厚约 0 .5μm,用红外光谱及 X光电子能谱表征膜结构 .采用四电极法测量膜电阻 ,膜对质子的选择性由 Cu2 + 的迁移数 t Cu表征 ,用二室隔膜装置 (0 .2 5mol/L Cu Cl2 -0 .5mol/L HCl|等离子体处理膜 |1 mol/L HCl)测量 t Cu. O2 等离子体预处理 Nafion TM膜有利于沉积膜在 Nafion TM膜上的沉积并与 Nafion TM膜紧密结合 .经改性后的 Nafion TM膜电阻值仍然很小 ,在 1 mol/L HCl溶液中电阻小于 0 .5Ω· cm2