Co-SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co-SiO2颗粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO2)65(体积百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率-温度关系曲线分析,在铁磁金属-非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外,可能还存在其他的导电机制.     

退火对Co35(SiO2)65颗粒膜巨磁电阻效应的影响

采用多靶离子束溅射镀膜机制备了一系列不同退火温度的Co₃₅(SiO₂)₆₅（体积百分数）颗粒膜样品,发现样品的巨磁电阻效应随着退火温度T_a的升高而单调下降.应用磁力显微镜对样品的磁结构进行了观测,发现随着退火温度的升高,近邻的Co颗粒的磁矩倾向于平行排列,形成磁畴结构,从而导致Co₃₅(SiO₂)₆₅颗粒膜巨磁电阻效应单调下降. 关键词：     

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应

利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制.     

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效 应

利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Co_x-C_1-x颗粒膜，并研 究了其正磁电阻 效应.实验结果表明，样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应；Co _0.02-C_0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应，在外加磁场B=1T时 ，其磁电阻 率MR=22%；随着Co含量的增加，Co_x-C_1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈 减小趋势.样品 的MR-B的曲线与传统的多 关键词： 正磁电阻效应 x-C_1-x颗粒膜')" href="#">Co_x-C_1-x颗粒膜 脉冲激光沉积     

金属颗粒薄膜巨磁电阻效应的影响因素

研究金属颗粒薄膜的颗粒尺寸、磁性组分等对巨磁电阻效应的影响.在自由电子模型和自旋相关散射理论的基础上，计算了金属颗粒膜体系的电子平均散射势.在计算过程中将自旋相关项与宏观量相联系，得到了巨磁电阻效应与磁性成分比例、颗粒尺寸的关系.磁电阻效应的模拟曲线表明，增加磁性成分比例和减小磁性颗粒尺寸可增强颗粒膜的巨磁电阻效应. 关键词：     

不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜（DMIM） .经研究发现：对［SiO2(2.4 nm)/Co(t)］20体系，在Co层厚度小于2.5 nm时，Co层由连续变为不连续；Co层不连续时，其导电机理为热激发的电子隧穿导电，lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻（TMR）在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM 的性质 不仅与磁性金属层厚度密切相关，而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为 1.9 nm的情况下，研究了TMR随SiO2层厚度的变化 关键词： 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应     

Co/Cu92Mn8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

对三明治结构的Co/Cu/Co和Co/Cu₉₂Mn₈/Co系列的巨磁电阻效应进行了研究,发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡,但是接近反相.作为与Co/Cu/Co系统的比较,发现若在Cu基中稀释Mn原子,巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变,同时饱和场或开关场也有较大的下降,这意味着有可能为Co/Cu金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路. 关键词：     

(CoFe)_(1-x)Ag_x颗粒巨磁电阻薄膜的磁折射效应研究

在线非接触测试巨磁电阻效应对磁电子器件的工业化生产具有重要的意义 .用红外光谱研究了 (CoFe) 1 -xAgx颗粒薄膜的磁折射效应 ,研究表明在红外波段 ,一级近似可以认为巨磁电阻比值与磁折射变化率成正比 ,可以利用磁折射效应作为在线非接触工具测量与自旋散射相关的巨磁电阻效应 .     

Sr2Fe1-xCoxMoO6体系中Co的元素替代效应

在成功制备具有双钙钛矿结构Sr2Fe1-xCoxMoO6系列样品的基础上,对其结构、输运性质和磁性质进行了系统研究.结果发现,随着Co替代浓度x值的增加,样品的电阻率-温度关系由半金属行为转变为半导体行为,其室温电阻率从3.9×10-5Ω·cm增大到6.0×10-1Ω·cm;样品由亚铁磁体转变成反铁磁体,其磁相变温度TN值也随之下降;Co对Fe的部分替代使其磁电阻效应受到抑制.基于对其电子结构的分析,其磁电阻效应的起源以及Co的元素替代效应也在文中进行了讨论.     

磁电阻效应的研究进展

介绍了磁电阻效应的研究状况和进展,总结了铁磁金属的磁电阻效应、磁性多层膜和颗粒膜的巨磁阻效应、磁隧道电阻效应及氧化物铁磁体的超大磁阻效应的理论模型,并简要分析了磁电阻效应的物理机制。     

钙钛矿锰氧化物La0.7Sr0.3MxMn1-xO3(M=Cr,Fe)的巨磁电阻效应与磁性

研究了溶胶-凝胶法制备氧化物巨磁电阻材料的工艺,制备了La_0.7Sr_{0.3< /sub>CrxMn1-xO3(x=0,0.10,0.15)和La0.7Sr0.3FexMn1-xO3(x=0.05,0.10,0.16)两 系列的单相钙钛矿锰氧化物多晶样品,并研究了Cr,Fe替代La0.7Sr0.3MnO3中部分Mn后对其结构、磁性和巨磁电阻性质的影响.观察到La0.7 Sr0.3Cr0.15Mn0.85O3和La0. 7Sr0.3Fe0.05Mn0.95O3两个样品的 电阻-温度曲线都出现了双峰.定性讨论了可能产生双峰的机制.随Cr(或Fe)替代量的增加, 材料的居里温度很快下降,铁磁性减弱,导电性降低,巨磁电阻效应增强.但与Fe掺杂相比 ,相同数量的Cr掺杂对材料的影响要小. 关键词： 巨磁电阻效应 溶胶-凝胶工艺 电阻-温度曲线 金属绝缘体转变}     

(110)取向La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜的结构和磁电阻效应研究

采用直流磁控溅射法在(110)LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜,系统地研究了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响.将LSMO/(110)系列样品与LSMO/(001)系列样品的电阻率对比之后,发现基片的不同取向对该系列样品的电输运性质有很大的影响.原因是在不同取向时,氧原子进入薄膜的几率不同,导致Mn+3/Mn+4的比率不同,使得晶格常数、Mn+3和Mn+4与O-2之间的相互作用和原子磁矩的取向发生了变化,从而引起了金属到半导体的转变温度Tp移向高温区域和电阻率明显下降.     

磁电子学讲座 第四讲 纳米微粒系统中的巨磁电阻效应

重点介绍含有铁磁纳米微颗粒系统中的巨磁电阻效应，例如颗粒膜、快淬纳米复相固体等巨磁电阻效应与铁磁组成、颗粒尺寸、形状的依赖性．     

（110）取向La0.067Sr0.33—MnO3—δ外延膜的结构和磁电阻效应研究

采用直流磁控溅射法在（１１０）ＬａＡｌＯ３单晶基片上制备了Ｌａ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３－δ外延膜,系统地了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响。     

Fe-Al2O3颗粒膜的隧道巨磁电阻效应

对射频共溅射法制备的Fe-Al₂O₃颗粒膜的隧道巨磁电阻效应进行了研究.当Fe体积百分比为45%时,样品的室温磁电阻的变化率(MR)在1T的平行膜面的磁场下可达4.4%.磁测量表明在室温时样品呈超顺磁态.另外,从MR随温度的变化关系曲线可以看出,当温度低于50K时,MR随着温度的下降而显著增加,MR在20K时达到14.9%,4.2K时可达26%,大大超过理论的预期值,这可能与低温下由库仑抑制效应引起的自旋相关隧穿的高阶效应有关.     

Sr2Fe1－xCoxMoO6体系中Co的元素替代效应

在成功制备具有双钙钛矿结构Sr₂Fe_1-xCo_xMoO₆系列样品的基础上，对其结构、输运性质和磁性质进行了系统研究.结果发现，随着Co替代浓度x值的增加，样品的电阻率-温度关系由半金属行为转变为半导体行为，其室温电阻率从3.9×10^-5Ω·cm增大到6.0×10^-1Ω·cm；样品由亚铁磁体转变成反铁磁体，其磁相变温度T_N值也随之下降; Co对Fe的部分替代使其磁电阻效应受到抑制.基于对其电子结构的分析，其磁电阻效应的起源以及Co的元素替代效应也在文中进行了讨论. 关键词： 双钙钛矿结构 2FeMoO₆')" href="#">Sr₂FeMoO₆ 磁电阻     

纳米微粒系统中的巨磁电阻效应

重点介绍含有铁磁纳米微颗粒系统中的巨磁电阻效应，例如颗粒膜，快淬纳米复相固体居磁电阻效应与铁磁组成，颗粒尺寸，形状的依赖性。     

纳米材料中的巨磁电阻效应

纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为１—１００ｎｍ,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。     

纳米材料中的巨磁电阻效应

纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料，通常为１—１００ｎｍ，如纳米微粒，纳米线、管，纳米薄膜或其组合材料，近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐，本文将重点介绍颗粒膜，颗粒合金薄带，非连续多层膜，颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。     

Fe-Ag金属颗粒膜的巨磁电阻

采用量子唯象模型研究金属颗粒膜巨磁电阻的特性．在计算散射截面时，考虑了颗粒内各杂质原子之间的相位相干性．依据实验报告提供的颗粒尺寸分布的数据，推导了巨磁电阻依赖于颗粒尺寸及其分布和外磁场的函数表示式．对样品Fe-Ag的计算结果表明，其磁电阻随外磁场的变化和颗粒尺寸的分布有关；在某个颗粒尺寸标度D₀，磁电阻出现极大值，尺寸标度D₀的大小与外加磁场、样品材料和制备条件有关 关键词：