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物理学   3篇
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1.
Co0.04 Ti0.96O2 powders are fabricated by sol-gel method. The structure and magnetic properties are investigated under different annealing conditions systematically with emphasis on the influence of oxygen pressure. Pure anatase structure was acquired for all the samples annealed at 450℃ for one hour. The samples annealed in air exhibit evident room-temperature ferromagnetism (RTFM) with a small magnetic moment of 0.029μB per Co atom and coercivity Hc of 26 Oe, while the samples annealed in vacuum have strong RTFM with a larger magnetic moment of 1.18μB per Co atom and Hc of 430 Oe. The zero-field spin echo nuclear magnetic resonance spectrum of ^59Co is obtained to prove the existence of Co dusters in the latter samples, implying that the Co dusters are responsible for the strong RTFM in the samples annealed in vacuum. No Co cluster could be observed using both XPS and NMR techniques in the samples annealed in air, implying that the RTFM found in these sample sis intrinsic.  相似文献   
2.
用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜(DMIM) .经研究发现:对[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20体系,在Co层厚度小于2.5 nm时,Co层由连续变为不连续;Co层不连续时,其导电机理为热激发的电子隧穿导电,lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻(TMR)在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM 的性质 不仅与磁性金属层厚度密切相关,而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为 1.9 nm的情况下,研究了TMR随SiO2层厚度的变化 关键词: 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应  相似文献   
3.
用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) ,认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果  相似文献   
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