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纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为1—100nm,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。 相似文献
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重点介绍含有铁磁纳米微颗粒系统中的巨磁电阻效应,例如颗粒膜、快淬纳米复相固体等巨磁电阻效应与铁磁组成、颗粒尺寸、形状的依赖性. 相似文献
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在线非接触测试巨磁电阻效应对磁电子器件的工业化生产具有重要的意义 .用红外光谱研究了 (CoFe) 1 -xAgx颗粒薄膜的磁折射效应 ,研究表明在红外波段 ,一级近似可以认为巨磁电阻比值与磁折射变化率成正比 ,可以利用磁折射效应作为在线非接触工具测量与自旋散射相关的巨磁电阻效应 . 相似文献
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磁性薄膜研究的现状和未来 总被引:14,自引:0,他引:14
概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有:钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。 相似文献
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金属磁性多层膜的新颖特性──巨磁电阻效应 总被引:4,自引:0,他引:4
磁性和非磁性层交替重构成的金属磁性多层膜常具有巨磁电阻效应,其中每层膜约几个纳米厚。出现巨磁电阻效应的基本条件是:在外磁场下相邻磁层磁化强度取向发生对变化。巨磁电阻效应的物理起源是,其自旋与局域磁化强度平行和反平行的电子受到的散射不同,散射的不同既要嗵来自获射中收的特性,又可能源于两种自旋电子的能态密度的差异。由于信息存储技术中磁电阻“读出”磁头有巨大的应用前景,巨磁电阻效应引起了人们的极大兴趣。 相似文献
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利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研 究了其正磁电阻 效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co 0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时 ,其磁电阻 率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈 减小趋势.样品 的MR-B的曲线与传统的多
关键词:
正磁电阻效应
x-C1-x颗粒膜')" href="#">Cox-C1-x颗粒膜
脉冲激光沉积 相似文献
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利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制. 相似文献
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简要回顾了利用量子隧道效应测定铁磁金属传导电子自旋极化率的研究历史,综述了自旋极化电子隧穿产应导致的“铁磁金属/非磁绝缘体/铁磁金属”三层平面型隧道结中的巨磁电阻效应以及“铁磁金属/非磁绝缘体”颗粒膜系统中的隧穿类型巨磁电阻效应的研究进展。 相似文献
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自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一 总被引:15,自引:1,他引:14
介绍磁性纳米结构和锰氧化物中电子的自旋极化输运和巨磁电阻效应,它们是新近发展的自旋电子学的物理基础之一.着重讨论的是以下三方面的基本物理图像:磁多层结构的巨磁电阻,铁磁隧道结的隧穿磁电阻,掺杂锰氧化物的庞磁电阻效应. 相似文献
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高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 相似文献
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颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 相似文献
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磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:6,自引:0,他引:6
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠构成,出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变。该效应的物理是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射,层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在,自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景。 相似文献
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磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成.出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变.该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射.层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在.自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景. 相似文献