c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO₃单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO₃单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生o←→e光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。 关键词：     

静电场对a_碘酸锂单晶喇曼光谱的影响

本文报道了静电场作用下a-碘酸狸单晶喇曼光谱的变化. 观察到由于静电场作用, 瑞利散射强度显著增强. 对于喇曼散射, 观察到“串线” 现象, 即通常的一阶喇曼散射光谱的选择定则遭到破坏. 我们还观察到, 在y(xz)x实验配置下, “串线”, V1=790 (1/cm)(对应于碘酸根内部振动对称伸张模)的强度在施加同号电压下, 有显著增强现象, 并且其谱线强度随时间变化存在弛豫现象. 在y(zz)x 配置下, 施加异号电压时, 四条谱线强度都发生明显变化. 关键词：     

BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的高温喇曼散射研究

从室温至180℃测量了BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的偏振喇曼谱,在X(ZZ)Y几何配置下发现了三条频率分别为986,1204和1480cm~(-1)的新谱线.根据喇曼散射截面的温度依赖关系,确认这些新谱线对应二阶喇曼散射,而A_1(TO)谱中位于275和514cm~(-1)处的非对称宽峰则属于一阶喇曼散射.在此基础上,对立方相BaTiO_3的喇曼谱和结构相变机制进行了讨论.通过比较BaTiO_3与Ce:BaTiO_3喇曼谱随温度的变化,发现掺Ce降低了BaTiO_3晶体的Curie温度,与介电系数的测量结果相符.     

BaTiO3和Ce:BaTiO3单晶的高温喇曼散射研究

从室温至180℃测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃单晶的偏振喇曼谱,在X(ZZ)Y几何配置下发现了三条频率分别为986,1204和1480cm^-1的新谱线.根据喇曼散射截面的温度依赖关系,确认这些新谱线对应二阶喇曼散射,而A₁(TO)谱中位于275和514cm^-1处的非对称宽峰则属于一阶喇曼散射.在此基础上,对立方相BaTiO₃的喇曼谱和结构相变机制进行了讨论.通过比较B     

LDS751染料的受激喇曼散射

报道了用532nm激光抽运LDS751染料产生720—780nm可调谐染料激光输出的同时,观察到喇曼频移为102和45cm-1的反斯托克斯线,前者谱线较强,后者较弱.与这两条强线对应的斯托克斯线未能观察到.另外,还观察到喇曼频移为34cm-1的一级和二级斯托克斯线与反斯托克斯线 关键词： LDS751染料 受激喇曼散射 喇曼位移 斯托克斯线 反斯托克斯线     

离子导体在离子输运状态下的物理特性

1974年杨桢等发现α-LiIO_3单晶在直流电场作用下,中子衍射强度显著增强现象后,引起了中国物理学家们的强烈兴趣。特别是中国科学院物理研究所的物理学家们研究了离子导体在静电场作用下的介电行为,X射线形貌图,光衍射,喇曼散射,超声衰减等等,观察到了许多新现象,并对这些现象的机制作了理论解释,本文将对这些实验和理论结果作一评述。     

离子导体在离子输运状态下的物理特性

1974年杨桢等发现α-LiIO_3单晶在直流电场作用下,中子衍射强度显著增强现象后,引起了中国物理学家们的强烈兴趣。特别是中国科学院物理研究所的物理学家们研究了离子导体在静电场作用下的介电行为,X射线形貌图,光衍射,喇曼散射,超声衰减等等,观察到了许多新现象,并对这些现象的机制作了理论解释,本文将对这些实验和理论结果作一评述。     

KTiOPO＿4晶体纵横模劈裂的喇曼谱

在室温下测量了ＫＴｉＯＰＯ＿４单晶的偏振喇曼散射谱，应用９０°散射及背散射得到了各模的峰位值，其中Ｂ＿１（ＬＯ）模、Ｂ＿２（ＬＯ）模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据ＬＯ－ＴＯ劈裂的实验结果，计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。     

静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO_3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO_3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO_3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO_3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。     

若丹明B荧光增强二硫化碳高阶受激喇曼散射

 利用若丹明B乙醇溶液的荧光改变了二硫化碳的一至三阶Stokes喇曼谱线的强度分布,选择性地增强了三阶Stokes喇曼谱线。在泵浦功率密度为~560MW^.cm^-2时,对染料摩尔浓度分别为~10^-5、cm^-5散射池和~10^-4、1cm散射池进行实验,观察到二硫化碳的三阶Stokes喇曼谱线与染料激光形成的共振增强现象及、二阶Stokes喇曼谱线的部分或完全耗尽。     

KTiOPO_4单晶的偏振喇曼散射谱

我们测量了KTiOPO_4单晶在300K和210K下的偏振喇曼散射谱(10～4000cm~(-1)范围)和该晶体粉末样品的红外吸收谱(200～4000cm~(-1)范围).利用群分析对谱线作分类指定,对所得结果作了分析讨论.     

KTiOPO4晶体纵横模劈裂的喇曼谱

在室温下测量了ＫＴｉＯＰＯ₄单晶的偏振喇曼散射谱，应用９０°散射及背散射得到了各模的峰位值，其中Ｂ₁（ＬＯ）模、Ｂ₂（ＬＯ）模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据ＬＯ－ＴＯ劈裂的实验结果，计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。 关键词：     

K_2H(IO_3)_2Cl单晶的喇曼光谱研究

本文报道了水溶液生长的K_2H(IO_3)_2Cl单晶室温下喇曼光谱,有几条谱线的喇曼散射效率很高,说明该晶体可能作为喇曼频移器的材料,谱图中包含有氢键(O一H—O)的特征振动频率,在90°散射几何配置y(xx)z和z(yy)x下,观测到的A_1(TO+LO)表示的谱图明显地不相同,晶体易遭受到光损伤。     

交叉极化—α-LiIO_3单晶~7Li NMR线形的一种快速测量方法(英文)

非常纯净的α-LiIO_3单晶具有很长的自旋-晶格弛豫时间.本文讨论了外磁场下α-LiIO_3单晶的~7Li和~(127)I核能级,提出了利用交叉极化技术实现α-LiIO_3单晶~7LiNMR线形快速测量的一种方法,使测量时间缩短了三个数量级.     

杜仲胶的高压喇曼散射光谱研究

测定了常压到5.45GPa压力范围内杜仲胶(反式聚异成二烯)的激光喇曼散射光谱,讨论了相关碳骨架原子团喇曼振动模式随压力线性变化的规律。从聚合物分子链的化学结构、化学键性质分析了产生不同压力效应的原因。同时,对高压下喇曼谱带强度的变化和某些弱谱带的出现进行了讨论。     

高阶相干喇曼散射光谱研究

本文报道了利用YAG激光系统CARS装置研究方解石的高阶相干喇曼散射(CRS)的实验结果,观察到1—6阶相干反斯托克斯喇曼散射谱(CARS)和1—2阶的相干斯托克斯喇曼散射谱(CSRS),讨论了影响高阶CRS产生的因素及有关的问题。 关键词：     

稀土配合物的喇曼散射和超喇曼散射效应

以可见光为激发光,观测了稀土配合物的喇曼散射和超瑞利、超喇曼散射光谱,简单论述了超瑞利和超喇曼散射的理论,对实验测出的谱线进行了认证与分析     

低温下ZnSe-ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了2K下,在GaAs(100)衬底上用MOCVD方法生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱.用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别.     

超声空化对丙酮激光喇曼光谱的影响

本研究设计了一种可吸入超声的喇曼光谱样品池,对丙酮的激光喇光曼谱的检测表明,超声空化降低了喇曼光谱的强度,我们认为,超声空化减少了激光光路上参与散射的丙酮分子数是光谱强度降低的主要原因。     

氢和甲烷混合气体的受激喇曼散射

使用调Q Nd~(3+):YAG激光的二次谐波(532nm)作为泵浦源,探讨了氢和甲烷混合气体的受激喇曼散射效应。利用光学光谱分析仪(OSA)监测,在不同比例的混合气体中,观测到氢和甲烷各自的SRS谱线以及两种气体的联合谱线,[m,n,=0,|±1,±2,…];观察到斯托克斯和反斯托克斯的谱线频移。实验表明两种气体的混合使得氢和甲烷的受激喇曼散射过程发生了竞争和耦合。