Growth of Silicon Nanowires by Heating Si substrate

Amorphous silicon nanowires were prepared by heating an Si substrate at high temperatures using an Ni (or Au) catalyst.The nanowires have a diameter of 10-40nm and a length of up to several tens of micrometres.Unlike the well-known vapour-liquid-solid mechanism,a solid-liquid-solid mechanism appeared to control the nanowire growth.The heating process had a strong influence on the growth of silicon nanowires.It was found that ambient gas was necessary to grow nanowires.This method can be used to prepare other kinds of nanowires.     

多孔硅尺寸的理论研究

研究了球形纳米硅的振动特性及Raman谱，建立了Raman移动与尺寸的对应关系．用球形纳米硅来模拟多孔硅，发现多孔硅的尺寸比通常认为的尺度要小得多 关键词：     

多孔硅实验方法

多孔硅实验方法王兰芳，邓家干（陕西工学院汉中７２３００３）（广西农业大学南宁５３０００５）前言多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎＬａｇｅｒ，简称ＰＳＬ）是一种把单晶硅作为材料，通过各种方法使硅表面形成一层由大量垂直于表面的微孔（孔径为１—１００ｎｍ）...     

硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途

由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．     

含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光

用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得蓝色的交流薄膜电致发光，通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关。     

多孔硅结构与发光机理的非线性光学研究

最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎被保留;此外,较强的激光激发导致的红外上转换荧光信号衰减过程被归结为与多孔硅表面氢的脱附有关.     

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

对于Au/富Si-SiO₂/p-Si和Au/富Si-SiO₂／n⁺-Si这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于4V时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于3.5V时发射红光．着重讨论了Au/富Si-SiO₂/n⁺-Si的电致发光机制 关键词：     

制备多孔硅的一种新方法

自从Canham观察到多孔硅(PS)的可见光致发光后,由于其可望成为可与Ⅲ—Ⅴ族半导体材料相媲美的新型光电子材料而引起了科学界极大的兴趣.目前,制备多孔硅一般都采用电化学腐蚀方法.     

多孔硅的光学非线性效应

自从1990年英国皇家信号与雷达研究所的Canham发现了多孔硅的可见光发射现象以后[1],在国际上掀起了一股多孔硅发光研究的热潮.继光致发光以后,有好几个研究组已观察到多孔硅的固态电致发光[2],这是向多孔硅在光电子器件的应用方向迈出的一大步.对于多孔硅的发光机理,虽然多数人倾向于认为这是一种量子线或量子点结构的限制效应,但也有一些与之相矛盾的实验结果,以致提出了一些其他的可能机理,如 SiH2或Si6O2H5聚合物,a-St,应变和杂质的作用等.所以要最终确定多孔硅的发光究竟是否是一种量子限制效应,还有待于提供进一步的实验事实. 另一…     

硅集成电路亮起来了

硅集成电路亮起来了这是英国《自然》杂志１９９６年１１月第３８４卷上斯坦福大学Ｍｉｌｅｒ教授一篇专文的题目［１］．事情还是从多孔硅（ＰＳ）发光所引起的．多孔硅在室温下高效率发射可见光是Ｃａｎｈａｍ［２］于１９９０年发现的，很快在科学界引起了一个研究热潮...     

新型电光强度调制器的研究

在全硅和GeSi电光强度调制器研究的基础上，提出了一种新型的电光强度调制器结构，目的在于减小调制电流和提高调制频率。     

多孔硅——一种新形态的硅材料

多孔硅（ｐｏｒｏｕｓ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）是指通过对氢氟酸溶液中的晶体硅片进行阳极氧化，在硅衬底上形成的多孔态的硅材料．本文介绍了多孔硅的形成规律和结构形貌，并对其光学性质和形成机制仆行了简要的评介，最后以多孔硅在大规模集成电路中的应用为主讨论了它的技术应用．     

非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算

本文采用改进的CNDO/2(Semi Empirical Hartree-Focu of Complete Neglect of Diffe-rential Overlap)分子轨道方法计算了非晶Si和非晶Si基合金半导体的顺磁共振朗德劈裂因数(g值),讨论了晶格弛豫对g值的影响。计算结果与实验符合。 关键词：     

分子动力学模拟研究熔态硅的局部结构

采用Tersoff势,修正试用不同的粒子间相互作用距离R,S的取值,进行了液态硅的分子动力学模拟.模拟的结果表明,修正Tersoff势下得到的径向分布函数能与X射线衍射、中子散射实验相一致.模拟得到在液态硅中,Si的配位数为6.9,键长为0.254nm.分子动力学模拟表明,液态硅中Si原子间联接成一种网络状结构,但大多数Si原子与其近邻Si原子仍保持近似于正四面体的局部构型.键角概率分布出现两个峰值~57°和~102°.通过键序参量分析,得到在液态硅近邻结构中,正四面体构型约占82%,键取向波动方差为5. 关键词：