交流偏置的高T_cdcSQUID的1／f噪声

我们把交流偏置反转技术应用于ｄｃＳＱＵＩＤｓ，观察了各级波形，测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下ＹＢＣＯ双品结ｄｃＳＱＵＩＤｓ磁通噪声功率谱密度曲线．交流偏置使１／ｆ噪声显著降低，在ＳＨｚ下的磁通噪声功率谱密度由１×１０－６Φ２０／Ｈｚ降到了３×１０－８Φ２０／Ｈｚ．     

YBa2Cu3O7膜1／f噪声的测量

建立了一套测量样品电压涨落噪声的频谱分析系统，用此系统观察到超导ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７取向模在正常态下反常大的１／ｆ噪声，并发现不同结构形貌的样品噪声水平有明显差异。     

高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

金属-绝缘层-铁磁/超导结的隧道谱与散粒噪声

通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)的理论,计算了金属-绝缘层-铁磁／超导态(N／L／FS)结的微分电导、平均电流和散粒噪声功率．研究表明：铁磁超导态中的磁交换能能使微分电导峰产生Zeeman劈裂,劈裂峰的能量问隔为2Eh,结界面势垒散射抑制隧道结的微分电导、平均电流和散粒噪声功率．     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．     

用质谱和光电子能谱研究飞秒强场中的电离动力学

报导了用自制飞秒激光器通过飞秒多光子电离质谱和光电子能谱对飞秒强激光场与分子（氨、苯）相互作用的研究,飞秒激光脉宽约１００ｆｓ,二倍频中心波长４０７．５ｎｍ,聚焦后脉冲功率密度达到１０＾１２Ｗ／ｃｍ＾２,氨的光电子能谱显示了（２＋２）ＲＥＭＰＩ和（２＋２）＋１ＡＴＩ、（２＋２）＋２ＡＴＩ三组电子峰,每组峰又包括伸缩振动ｖ１的带系,ＡＴＩ峰的振动布居出现反转,随着光强增加,谱峰加宽而且振动能级出现平     

HgBCO和PrBCO的正常态的1/f噪声研究

在１００ ～３００Ｋ温度范围内测量了Ｈｇ１２１２ 相块材和薄膜样品的正常态的１／ｆ 噪声,结果显示高质量薄膜的噪声水平为１０４ 量级,已和ＹＢＣＯ 外延膜及单晶相近．还测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ － δ（ＰｒＢＣＯ） 微桥样品１／ｆ 噪声的尺寸依赖性,发现在ａｂ 面上,存在着与涨落相关的特征尺度,约为１０２μｍ 的量级．样品宽度降到该尺寸以下时,噪声水平急剧下降．在两个体系中,实验结果均和ＤｕｔｔａＨｏｒｎ 热激活模型进行了比较．     

铁磁-超导隧道结中粗糙界面散射对直流Josephson电流的影响

通过求解Bogoliubov—de Gennes(BdG)方程得到铁磁超导共存态(FS)的自洽方程，在考虑结界面的粗糙情形下，由推广的Furusaki—Tsukada(FT)的电流公式计算了铁磁超导态／绝缘层／s波超导体(FS／I／S)结的直流Josephson电流，讨论了FS/I／S结的直流Josephson临界电流随磁交换能、温度的变化情况．研究表明：铁磁超导态中磁交换能和结界面的粗糙势垒散射均对FS／I／S结的直流Josephson电流有抑制作用．     

本征Josephson单结的电流-电压特性

采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结，并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ～Ⅴ特征曲线．结果表明，临界电流几乎保持不变，但返回电流随温度增加而增大；与此同时，Mccumber参数βc随着温度增加而减小．临界温度附近，跳跃电压△V明显偏离BCS理论．     

无序二维约瑟夫森结阵列中磁场引起的涡旋玻璃态相变

采用电阻阻错结的无序二维约瑟夫森结阵列模型,数值研究超导薄膜中垂直磁场引起的涡旋运动.通过分析磁场激发产生的涡旋度Ne及低频电压噪声S₀的变化特性,得到如下结论：在无序超导体中固定温度不变,随着磁场的减弱涡旋液态经过准有序的布拉格相,涡旋玻璃相重新进入到低磁场下的钉扎稀磁液相. 由于在涡旋玻璃相中,电流驱动下的噪声值表现出一个峰,表明系统处于无序与有序相互竞争的亚稳态,并且临界电流应有峰值效应. 计算得到噪声值的变化与Okuma等得到的无序超导Mo_xSi_1-x膜实验现象一致,并能解释磁场降低引起的重新进入钉扎的稀磁液相行为. 关键词： 约瑟夫森结阵列 磁通玻璃 重新进入 峰值效应     

电子束曝光制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)纳米级桥宽双晶结

传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa_2Cu_3O_(7-δ)双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻R_N、超导临界电流I_c、特征电压I_cR_N的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.     

高临界电流密度NbN约瑟夫森结的制备和特性表征

我们开展了高临界电流密度的NbN约瑟夫森结的制备和特性研究.利用直流磁控溅射方法在单晶MgO(100)衬底上外延生长NbN/AlN/NbN三层膜,并使用微加工工艺制备了NbN约瑟夫森隧道结,在液氦温度下对NbN约瑟夫森结的电流-电压特性进行了测量,实验结果表明,NbN约瑟夫森结具有良好的隧穿特性,其临界电流密度J_c为10 kA/cm^2,质量因子大于10,能隙是5.7 mV,这些实验结果为基于NbN结的超导数字电路研究奠定了坚实的基础.     

Tl2Ba2CaCu2O8薄膜直流超导量子干涉器的噪声特性

本给出了Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８薄膜双晶结直流超导量子干涉器噪声测量的实验结果。与至今最好的ＹＢＣＯ薄膜器件噪声测量结果相比，铊器件１／ｆ特性低频噪声的起始频率要低二个数量级。本还详细介绍了器件在闭环工作模式时，其噪声频谱的测量方法。     

两个铅约瑟夫逊隧道结相互作用的实验观察

在4.2K下对两个相距几千埃的铅约瑟夫逊隧道结的相互作用进行了初步的实验观察.发现,在一定条件下,注入结(低阻结)的工作状态对检测结(高阻结)两膜能隙之和以及检测结的临界电流(或只是对临界电流)有明显的影响.当检测结能隙变化不显著时,在检测结临界电流的变化中观察到关于注入结电流方向的反对称成分,可用准粒子扩散来进行解释.     

1kA级铋系高温超导模型电缆的研制

我们研制了一根１０００Ａ级铋系高温超导模型电缆。电缆由不锈钢波纹管骨架、导体层、层间绝缘和外绝缘绑扎带组成。电缆的导体层由６层共１７１根Ｂｉ－２２２３／Ａｇ多芯带材绕制而成，电缆外径为４５．２ｍｍ，长度为１ｍ。在液氮下的通电实验表明，电缆的临界电流超过１１８０Ａ（１μＶ／ｃｍ判据），接头总电阻小于０．０６μΩ，均超过设计指标。经两次热循环实验，电缆的临界电流仅退化２．７％，在半小时传输电流１ｋＡ的     

PN结正向伏安特性曲线随温度的变化

介绍了在不同温度下，PN结正向伏安特性曲线的自动测量方法。讨论了PN结伏安特性与温度的关系．由于正向结电压小于内建电势差，温度升高或正向结电压增加，正向结电流将增大，温度升高反向结电流也相应增加．当温度趋向OK时。正向结电压趋向内建电势差。     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ膜I／f噪声的研究

我们在８０－３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的Ｉ／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响。我们还将实验结果与Ｄｕｔｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较。     

含有两个约瑟夫森结的射频SQUID的本征磁通噪声

我们研究了双结射频超导量子干涉器件（rf SQUID）的含时特性，给出了总磁通的动力学方程，并分析了在回滞模式和非回滞模式下的本征磁通噪声。结果显示：两个结的临界电流差别越大则越有助于获得小的本征噪声，在这种情况下，双结rf SQUID的本征磁通噪声会比单结rf SQUID的噪声稍大，但不超过一个数量级。     

银基Bi系2223相带材临界电流比对循环测试（RRT）的实验结果和分析

在国家超导中心主持下，国内六个实验室成功的开展了银基Ｂｉ系２２２３相带材临界电流循环比对测试实验。有２４个样品在各实验室间进行了并联循环测试，４个样品进行了串联循环测试。在零磁场，液氮温度和１μＶ／ｃｍ判据下，样品临界电流Ｉｃ测量的最大变化系数小于２．５％。液氮温度是影响ＩＣ测但值     

光频辐射下高温超导薄膜响应行为

本报道了ＹＢＣＯ／ＳｒＴｉＯ３外延膜样品对波长λ＝０．６３μｍ ＨＥ－Ｎｅ激光照射下的光响应测量结果。实验表明，当温度在Ｔｃ附近时，光响应∞＾ΔＲ／ΔＴ以及∞（１／ｆ）＾１／２，其行为表现为辐射热效应。当温度较低时，其行为难以用辐射热效应解释，从而表现出非平衡光响应性质，基于一维热传导膜及光致准粒子激发观点，分别对上述不同性质的光响应进行了讨论。