SnO2-TiO2复合颗粒的形态结构及其光催化活性

在气溶胶反应器中，利用ＴｉＣｌ４高温氧化反应制备超细ＴｉＯ２，采用均匀沉淀法在ＴｉＯ２表面沉积ＳｎＯ２制备ＳｎＯ２－ＴｉＯ２复合颗粒，应用ＴＥＭ、ＥＥＤＳ、ＳＲＤ、ＢＥＴ比表面积测试等手段对粒子进行表征。以活性艳红Ｘ－３Ｂ复合颗粒，应用ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面积测试等手段对粒子进行表征。以活性艳红Ｘ－３Ｂ溶液为处理对象考察复合颗粒的光催化活性。结果表明ＳｎＯ２－ＴｉＯ２复合颗粒的光催化     

电子束蒸镀ＭＣＰ超薄防离子反馈膜及膜层特性分析

为了进行ＭＣＰ超薄防离子反馈膜的性能评价研究,并使这种膜层具有良好离子阻挡能力,利用电子束蒸发方法,在微通道板（ＭＣＰ）输入面上制备一种超薄Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜,其膜层厚度为２ ｎｍ时仍连续致密。通过对Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出２ ｎｍ及４ ｎｍ厚防离子反馈膜对应的死区电压分别约为１５０ Ｖ及２００ Ｖ;利用Ｍｏｎｔｅ-Ｃａｒｌｏ法模拟分析了Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的离子阻挡特性,２ ｎｍ及４ ｎｍ厚Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜对碳离子等的阻挡率分别高于４０％及８６％,另外对有无膜的ＭＣＰ电特性进行测试,可以看出镀２ ｎｍ及４ ｎｍ厚的膜后,ＭＣＰ电子增益分别降低了５１％及８１％。     

掺杂SnO2气敏特性的量子化学研究

本文用ＣＮＤＯ／２方法讨论了经Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ掺杂杂后的ＳｎＯ２对ＣＯ，Ｈ２，ＣＨ４的可能吸附方式，并讨论了ＳｎＯ２的表面吸附以及掺杂剂对气敏电子输运过程的作用，表明Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ的作用在于提供或接收载流子，并以５Ｓ，５ｐ轨道为主要的输运通道。     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

P538萃取锰（Ⅱ）的研究

在２５±０．５℃，用Ｐ５３８的环己烷溶液从ＮａＣｌＯ４－ＨＣｌＯ４介质中萃取Ｍｎ（Ⅱ）的反应机理为离子交换机理，萃取焓△Ｈ＝－１９６ｋＪ．ｍｏｌ＾－１并用Ｃｌ＾－离子水合作用和Ｍｎ＾２＋与Ｃｌ＾－形成配合物的竞争解释了萃取分配比与水相中ＮａＣｌ浓度的关系。     

直接激光气化法产生气相MnCl2团簇的研究

报道了５３２ｎｍ激光气化ＭｎＣｌ２．４Ｈ２Ｏ固体产生气相团簇，（ＭｎＣｌ２）ｎＭｎ＾＋，（ＭｎＣｌ２）ｎＭｎＣｌ＾＋（ＭｎＣｌ２）ｎＣｌ＾－（ｎ＝１～１２），以及溶剂化的团簇ＭｎＣｌ＾＋（ＭｎＣｌ２）ｎ（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｎ＝１～７，ｍ〈６）的机理，通过用飞行时间质谱考察团簇物尺寸大小与激光能量，激光与脉冲加速电场之间延迟的等关系，认为这些团簇是通过气相化学反应逐步生长的，并提出了正负团族离子产生的可能     

化学溶液法生长单晶薄膜

化学溶液法生长单晶薄膜据报道ＳａｎｔａＢａｒｂａｒａ加州大学材料系Ｆ．Ｆ．Ｌａｎｇｅ介绍了一种新颖的、经济的（不需要大型汽相沉积设备）生长无机单晶膜的方法．制备成的单晶膜有蓝宝石Ａｌ２Ｏ２（０００１）单晶上的ＬｉＮｂＯ３；中间有Ｆｅ２Ｏ３缓冲层的Ｌｉ...     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

三代微光管防离子反馈Ａｌ２Ｏ３ 膜电子轰击放气成分分析

为了解决防离子反馈Ａｌ２Ｏ３膜污染对三代微光管ＧａＡｓ光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板（ＭＣＰ）和带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ放出有对阴极光电发射有害的Ｃ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｈ２Ｏ２和ＣXＨY化合物,它们来源于Ａｌ２Ｏ３膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于２１０－９ Ｐａ且无ＣＸＨＹ化合物气体的Ａｌ２Ｏ３膜。     

YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相

通过在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体中加入各种含Ｓｎ氧化物,如ＳｎＯ２和Ｙ２Ｓｎ２Ｏ７等,生长织构样品,并通过粉末Ｘ射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Ｓｎ氧化物的稳定相。发现φ相（Ｂａ２Ｓｎ［Ｓｎ１／３－ｘＣｕｘＹ２／３］Ｏ６）可能是其中的一个稳定相,这与参考文献［３］的报道相符。但我们仍不能排除ＢａＳｎＯ３和Ｂａ２ＳｎＯ４作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Ｓｎ氧化物在织     

Ba,Sr,Ca在Co／γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制（II）

用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在７５０℃和９００℃焙烧的系列催化剂Ｃｏ－Ｍ／γ－Ａｌ２Ｏ３（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｏ３Ｏ４／Ａｌ２Ｏ３＝８ｗｔ％，Ｍ／Ｃｏ＝１５ｍｏｌ％）测定了ＣＯ氧化转化率，用ＢＥＴ表面，ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＤＴＡ和ＴＰＲ等手段研究了助剂Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ的作用，结果表明，加入助剂后，ＣＯ完全转化温度下降了２０～６０℃左右，助剂的作用顺序为Ｃａ＞Ｓｒ＞Ｂａ，实验表明，７５０℃和９     

在SrTiO3、LaAlO3和Y-ZrO2衬底上外延生长La1.85Sr0.15CuO4、La2CuO4和Nd1.85Ce0.15CuO4、Pr2CuO4薄膜

利用脉冲激光法研究了在（１００）ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）、（１００）ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）和（１００）Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）衬底上外延生长ＬａＣｕＯ４（ＬＣＯ）,Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４（ＬＳＣＯ）,Ｎｄ１．８５Ｃｅ０．１５ＣｕＯ４（ＮＣＣＯ）和Ｐｒ２ＣｕＯ４（ＰＣＯ）薄膜的工艺技术。利用Ｘ光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。Ｘ射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底     

钼（钨）─铜─硫─二烷基二硫代甲酸根原子簇化合物的核磁共振研究

用１Ｈ、１３Ｃ、９５ＭｏＮＭＲ技术研究了一系列Ｍｏ（Ｗ）—ＣＯ—Ｓ一ｄｔｃ原子簇化合物，并用动态９５ＭｏＮＭＲ技术跟踪了ＭｏＯｎＳ４（ｎ＝０，２），ＣｕＣｌ，Ｒ２ｄｔｃ（Ｒ２＝Ｍｅ２，Ｅｔ２）几个反应，在此基础上推导了该系列化合物的形成机理．     

三层膜中特殊的内磁场效应

本文用直流溅射法在（１００）ＬａＡｌＯ３单晶基片上制备了ＬＳＭＯ／ＰＣＭＯ／ＬＳＭＯ三层膜，并研究了三层膜的电，磁特性。在零磁下，三层膜的电阻率随中间层Ｐｒ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３＋δ厚度的增加而显著下降、转变温度向高温区移动。中间层ＰＣＭＯ的作用相当于提供了一个内磁场。     

电子回旋共振等离子分解CH19Si2N制备SICNB膜XPS分析

电子回旋共振等离子分解ＣＨ１９Ｓｉ２Ｎ－Ｎ２混合气体，采用溅射共混、气相液相共混沉积技术，制备四元素ＳｉＣＮＢ膜，由ＸＰＳ分析了膜的成份及生成的键结构，发现溅射共混、气液共混沉积过程中聚合成了Ｃ－Ｎ、Ｃ－Ｂ、Ｎ－Ｂ、Ｓｉ－Ｃ化合物。     

全色等离子体平板显示器用发光材料

本文介绍全色等离子体平板显示器目前水平，对真空紫外辐射激发荧光粉的要求，迄今使用的两种红色荧光粉ＢＯ：Ｅｕ和Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ，两种绿色荧光粉Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ和ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ，及蓝色荧光粉ＢａＭｇＡｌ１４Ｏ２３：Ｅｕ＾２－的晶体结构和发光特性。     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。     

掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光

采用等离子化学汽相溶积方法,改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ,用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯＸ,Ｃ ３００－９３５℃快速热退火。     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

氢吸附对掺杂SnO2薄膜电子结构的影响

应用ＸＰＳ技术研究了掺杂ＳｎＯ２薄膜吸附Ｈ２前后电子结构的变化，观测到掺杂到Ｓｂ和Ｐｄ化学状态明显改变，发现掺杂剂Ｓｂ对ＳｎＯ２薄膜Ｆｅｍｉ能级的影响；同时，分析了掺杂Ｓｂ和Ｐｄ对ＳｎＯ２薄膜气敏特性的影响机制。