La2CuO4+δ和La2-xSrxCuO4系统中的电子输运性质

 本文解释了La₂CuO_4+δ（0≤δ≤0.09）和La_2-xSr_xCuO₄（0≤x≤0.3）两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系，在室温以上，一氧大气压下的La₂CuO_4+δ系统趋于失氧；在500 K以上，超导样品显示出失氧的一级相变，并且恢复到反铁磁相。在转变温度T₁≈300 K以下，对0<δ<0.05成份的样品，相分离成反铁磁相和超导相；而在T_cρ≈100 K的温度范围内，超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内，T_c处的电阻陡降出现了台阶；我们认为，它反映了电子成对的起伏。在La_2-xSr_xCuO₄系统中，对于成分为01≈300 K以上，空穴的运动是弥散的，但是ΔH_m=0；而对于x≥0.22的样品，经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围（其中空穴继续以弥散方式运动）是亚稳的，但是，在T_cρ≤150 K范围，出现了电荷起伏。当样品冷却通过T₁时，对于成份为0.15≤x≤0.2的样品，经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变；在T_c处，从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中，不寻常的电子-晶格相互作用，可以归结为在CuO₂面上从更离子性的到共价性的Cu:3d_x²-r²─O:P_σ键合的转变；通过这种转变，轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。     

高压下块状Pd40Ni40P20非晶合金的晶化

 本文研究了Pd₄₀Ni₄₀P₂₀块状非晶在4 GPa及常压下的晶化过程。得到了时间-温度转变图。结果表明：高压下样品的晶化温度明显升高，压力对原子的长程扩散及相分离熔体的粘性流动均有抑制作用。在接近熔点进行高压退火时，获得了单相过饱和固溶体。其晶体结构为面心立方。     

静高压下Al80Mn14Si6合金准晶相形成的研究

 本文首次研究了Al₈₀Mn₁₄Si₆合金在静高压下准晶相得形成。利用静高压熔态淬火方法，在压力2.8和3.1 GPa下得到淬火的Al-Mn-Si样品。电子和X射线衍射实验表明，高压淬火样品中含有准晶二十面体相和非晶相。X射线衍射实验还表明，高压淬火样品经350 ℃退火一小时基本上没有发生变化；而经过500 ℃退火一小时后，准晶相晶化为α-Al₇₃Si₁₀Mn₁₇相。另外，电子衍射实验表明，高压淬火后样品中还存在其它中间亚稳相。本文还讨论了静高压熔态淬火方法的适用性。     

高温高压下SrB4O7：Eu2+玻璃的晶化

 利用X射线衍射和Eu²⁺发射光谱方法研究了非晶玻璃SrB₄O₇在高温高压下的晶化。结果表明：在5.0 GPa压力下，200 ℃仍为玻璃态，只有几个强度极低的小峰，表明有晶化的迹象；600 ℃时已基本晶化，但为SrB₄O₇正交相与SrB₄O₇高压立方相二相共存；当温度提高到1 000 ℃时，晶化成了近单相的与常压SrB₄O₇粉末晶体相同的正交结构。伴随晶化度的加强，Eu²⁺发射强度增强，与Ｘ射线衍射结果相一致。     

一种含SiO2氧化物玻璃的晶化温度-压力依赖关系

 本文应用DTA及X射线衍射法在常压及高压下对一种含SiO₂的锂离子导体玻璃0.3Li₂O-0.67SiO₂-0.03V₂O₅加热时的晶化行为进行了研究。该氧化物玻璃的晶化过程分两个阶段。在常压下，第一晶化过程发生在560 ℃附近，析出相为Li₂O·2SiO₂。对应的晶化温度T_x1随压力的升高发生了急剧的变化。从常压到0.3 GPa，T_x1从560 ℃升高到620 ℃；继续升压时T_x1突然下降，并在0.4 GPa处跌到528 ℃，呈现一个陡峭的峰值。0.4 GPa以上，T_x1随压力的变化则呈常规行为，比较平稳地，大致线性地升高，一直到最高测定压力2 GPa。 本文最后对这些行为的可能原因进行了讨论。     

压力对TlPbxBaCa3Cu3O超导电性的影响

 在零电阻温度T_c0达到120 K的TlBaCa₃Cu₃O_y超导体中，掺入不同含量的Pb后，超导电性受到抑制，点阵常数减小。加压时，T_c先随压力p的增加而上升，样品1（x_Pb=0.05）的dT_c0/dp=1.7 K/GPa，样品2（x_Pb=0.5）的dT_c0/dp=2.2 K/GPa。T_c的峰值随Pb的增加而减小。加压时，对由于Pb的加入引起的Cu—O层的精细结构变化起到调制作用。     

高压对高温超导体La1.85Sr0.15CuO4电子结构的影响

 采用Recursion方法计算了常压和1 GPa、4 GPa、8 GPa高压下La_1.85Sr_0.15CuO₄的电子结构，给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明：高压下T_c的变化可能源于CuO₂面上氧空穴和铜空穴数目的改变，且氧空穴数目的增加有利于超导性。     

T1系单相超导材料的高氧压合成及压力对超导性的影响

 系统地研究了在0~3 MPa氧压下T1系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明：0.25~0.90 MPa氧压下所制备的样品为纯2223相，T_c0最高可达125.3 K；1.45~3.00 MPa氧压下样品为纯2212相，T_c0在95~100 K之间；0.90~1.45 MPa氧压下样品为2223及2212两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明，2223相样品比2212相样品有着较强的压力效应，在0~0.52 GPa压力下分别为4.0 K/GPa及2.0 K/GPa。     

压力对HgBa2Ca2Cu3O8+y超导转变温度的影响

 利用低温超高压装置，测量了Hg系样品HgBa₂Ca₂Cu₃O_8+y（Hg-1223）超导转变温度T_c在压力作用下的增强效应。压力最高达7.8 GPa，超导起始转变温度常压下为130 K，加压到5.4 GPa时获得最高温度为140 K。在5.4 GPa以下获得dT_c/dp为1.85 K/GPa。用压力作用下氧原子位置的改变使载流子浓度提高和CuO₂面间的耦合作用来解释高温超导的压力效应。     

名义成分为La1.0Ca2.0Mn2O7锰氧化物的压阻效应

 利用低温高压电阻原位测量装置（自箝铍青铜活塞-圆筒式压砧），在0~1.05 GPa静水压力范围内，对以层状钙钛矿结构为主相、名义成分为La_1.0Ca_2.0Mn₂O₇的锰氧化物样品进行了压阻效应研究。实验观测到异常的压阻效应。在低温5~150 K范围内，压力为0.55 GPa时，样品呈现出高达40%的压阻效应，而且，金属-绝缘体相变温度在低压范围内随压力的增加而增加，但随着压力的进一步增加而减小。     

低温高压及高温高压对La80Al20非晶态结构及超导性的影响

用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La₈₀Al₂₀合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_cr为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压 关键词：     

与Al发生扩散反应的非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶化

 高压下与Al发生扩散反应的非晶(Fe_0.99Mo_0.01)₇₈Si₉B₁₃（FMSB）的晶化产物与纯FMSB的不同。与Al反应的FMSB非晶在3.0~5.0 GPa、780~900 K热处理时,晶化为α-Fe(Al)和次亚稳非晶合金;在这一压力范围以外,720~900 K热处理时,晶化为α-Fe(Si)、Fe₃B或Fe₂B。与Al发生反应的FMSB非晶可能通过与Al的扩散反应在Al/FMSB界面开始晶化。压力和温度对晶化过程的影响主要是由于α-Fe固溶体的Gibbs自由能随压力、温度和Al含量的变化。     

Formation of near stoichiometric A15Nb3Si from annealing an amorphous alloy under high pressure

The A15Nb₃Si with a composition closed to stoichiometric compound has been synthesized under high pressure from a starting material of Nb₇₇Si₂₃ amorphous alloys. High pressure annealing was carried out in Bridgman anvils apparatus. The amorphous alloy would decompose into A15Nb₃Si, bcc Nb solid solution and hexagonal phase when it was annealed under a pressure lower or a temperature higher than that for forming single phase A15Nb₃Si. The yielded A15Nb₃Si exhibited a superconducting transition temperatureT _c of 19.1 K, and has been indexed unambiguously with a lattice parameter ofa=0.5093 nm. Moreover, a nonlinear relationship betweenT _c anda has been constructed from our experimental data, and aT _c of 27 K for stoichiometric A15Nb₃Si can be expected.     

静高压下非晶(Fe0.99,Mo0.01)78Si9B13合金晶化过程的热力学研究

 在600~930 K，常压到7 GPa的范围内，对非晶(Fe_0.99,Mo_0.01)₇₈Si₉B₁₃合金等温等压退火30 min。实验表明：其晶化产物α-Fe(Mo, Si)、Fe₃B和Fe₂B相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶(Fe_0.99,Mo_0.01)₇₈Si₉B₁₃合金的晶化温度和亚稳Fe₃B相的析出温度下降，在一定的压力和温度下，亚稳Fe₃B相将向稳定Fe₂B相转变，其转变温度随压力而变化。还对非晶(Fe_0.99,Mo_0.01)₇₈Si₉B₁₃合金的晶化和亚稳Fe₃B到稳定Fe₂B转变的热力学机制进行了讨论，并给出Fe₃B向Fe₂B的相转变方程。     

A Comparison of GaN Epilayers with Multiple Buffer Layers and with a Single Buffer Layer Grown on Si（111） Studied by HRXRD and RBS/Channeling

Two hexagonal GaN epilayers （samples A and B） with multiple buffer layers and single buffer layer are grown on Si （111） by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE）. From the results of Rutherford backscattering （RBS）/channeling and high resolution x-ray diffraction （HRXRD）, we obtain the lattice constant （a and c） of two GaN epilayers （aA = 0.3190 nm, cA = 0.5184 nm and aB = 0.3192 nm, CB = 0.5179 nm）, the crystal quality of two GaN epilayers （ ХminA=4.87%, ХminB =7.35% along 〈1-↑213〉 axis） and the tetragonal distortion eT of the two samples along depth （sample A is nearly fully relaxed, sample B is not relaxed enough）. Comparing the results with the two samples, it is indicated that sample A with multiple buffer layers have better crystal quality than sample B with a single buffer layer, and it is a good way to grow GaN epilayer on Si （111） substrates using multiple buffer layers to improve crystal quality and to reduce lattice mismatch.     

六角相硼碳氮化合物的合成研究

 以三聚氰胺和氧化硼为原料，利用真空热处理和高温高压技术，对BCN化合物的形成及结构进行了研究。在真空条件下，原料经1 100 K热处理得到非晶BCN的前驱物，将前驱物在5.0 GPa、1 500 K条件下高温高压热处理30 min，合成出了单相的六角BCN晶体。采用Materials Studio软件的Reflex模块对样品的X射线衍射图谱进行分析，结果表明，得到的样品为纯的六角相，晶格常数为a=0.250 5 nm，c=0.665 9 nm。对样品进行了透射电镜（TEM）分析，得到了样品的形貌和电子衍射，同样证实了样品为六角BCN晶体，晶粒尺寸约200 nm。对样品进行了XPS表征，确定了样品中存在C—C、C—N、C—B、N—B键，表明B、C、N三元素之间达到了原子级化合，样品的组分含量通过EDX进行标定。     

冷压与热压处理对YBa2Cu3O7-δ的结构相变和超导电性的影响

 本文研究了冷压（2.2~5.2 GPa）与热压（2.2 GPa,2.50~950 ℃）对YBa₂Cu₃O_7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T_0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率（<<10² ℃/s）,或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高T_c的YBa₂Cu₃O_7-δ超导体。     

Crystallization Behavior of Amorphous Poly(l-Lactide)

Amorphous poly(l-lactide) (PLLA) was annealed in two different ways: amorphous samples were heated at a given temperature to induce crystallization (one-step annealing); and amorphous samples were first crystallized at a low temperature and subsequently annealed at a higher temperature than the crystallization temperature. Samples thus prepared were measured by DSC. The original amorphous sample exhibited an exothermic peak at about 100°C (exothermic peak I), an exothermic peak just below the melting point (exothermic peak II), and an endothermic peak when it was melted. Exothermic peak I was caused by cold crystallization. When the melting points of PLLA samples, heat-treated in various ways, were plotted as a function of annealing temperature, there was discontinuity at about 120°C. From analyses of wide-angle X-ray diffraction patterns, it was found that when amorphous PLLA was crystallized at a temperature below 120°C, crystallites of the β-form formed, and when annealed at a temperature above 120°C, crystallites of the α-form grew. Thus, exothermic peak I was attributed to cold crystallization of the β-form, and peak II was caused by the phase transition of the β-form to a more stable form.     

铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间，是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上，通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散，实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明，外加电场，退火温度为400℃，退火时间为60min时，薄膜的晶化率大于60％；退火温度为450℃退火时间为30min时，薄膜已经呈现明显的晶化现象；退火温度为500℃退火时间为15min时，薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3—4倍. 关键词： 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 外加电场