首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1017篇
  免费   611篇
  国内免费   568篇
化学   489篇
晶体学   26篇
力学   38篇
综合类   17篇
数学   16篇
物理学   1610篇
  2024年   2篇
  2023年   19篇
  2022年   36篇
  2021年   29篇
  2020年   26篇
  2019年   26篇
  2018年   30篇
  2017年   24篇
  2016年   26篇
  2015年   54篇
  2014年   102篇
  2013年   77篇
  2012年   70篇
  2011年   87篇
  2010年   88篇
  2009年   92篇
  2008年   97篇
  2007年   75篇
  2006年   102篇
  2005年   99篇
  2004年   109篇
  2003年   110篇
  2002年   67篇
  2001年   91篇
  2000年   76篇
  1999年   64篇
  1998年   60篇
  1997年   74篇
  1996年   60篇
  1995年   61篇
  1994年   53篇
  1993年   40篇
  1992年   41篇
  1991年   39篇
  1990年   28篇
  1989年   36篇
  1988年   8篇
  1987年   6篇
  1986年   2篇
  1985年   5篇
  1983年   1篇
  1982年   3篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有2196条查询结果,搜索用时 343 毫秒
1.
硒是动植物及人体生长必需的十五种微量元素之一,具有清除体内自由基、抗氧化、增强免疫力等功能,但其安全剂量的范围却很窄。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对湿法球磨制备的硫铁矿形貌进行了表征。SEM观测发现加乙醇助磨后的硫铁矿为粒径大小较均匀的球形颗粒团聚体,粒径范围在17~200 nm之间,平均粒径138 nm。XRD衍射图谱中的特征峰与FeS2衍射图谱中各峰位置基本一致,因此判定硫铁矿中主要化学组分为FeS2,且图谱中基本没有杂峰,表明制备过程中并未混入杂质,样品纯度较高。实验结果表明,该法制备的硫铁矿具有颗粒粒径小、比表面积大、反应活性高等优点。研究中利用X射线光电子能谱仪(XPS)对硫铁矿去除水体中SeO2-3的机理进行了研究。研究结果表明, (1)在较为广泛的实验pH范围(pH 2.2~11.5),硫铁矿均能有效去除水体中SeO2-3,去除效率(除pH值7.8以外)均达到90%以上;(2)硫铁矿与SeO2-3发生反应后,其主要组成元素的XPS特征峰结合能有所减小,表明硫铁矿表面发生了一定化学变化;(3)酸碱环境下硫铁矿去除SeO2-3的机理不完全相同,酸性环境下,硫铁矿对SeO2-3的去除是单纯的氧化还原过程,即硫铁矿中被酸活化的S2-2将SeO2-3还原为单质Se(0),并且酸性越强,SeO2-3去除效果越好;碱性环境下,SeO2-3的去除过程中氧化还原与络合反应并存,硫铁矿表面有络合态Fe(OH)SeO3和单质Se(0)两种存在形态,且碱性越强,络合态Fe(OH)SeO3含量越高。以上研究结果为硫铁矿去除固定水体和土壤中以SeO2-3为代表的可变价金属阴离子提供重要理论依据和应用基础。  相似文献   
2.
孙福革  PJ.  Sarr 《化学物理学报》1997,10(4):289-294
根据在喷嘴出口附近电子枪来电离产生离子种子,在射流中形成连续,高密度的团簇离子束的设计思想,建造了连续的团簇离子束源,探索并优化了影响团簇离子束质量的因素,如电子枪的位置,滤束器的结构,滤束器与喷嘴间的距离等,初步研究了进气配对比氮氩团簇离子形成的影响,以氩气作为载体,适量的氮气,有助于Ar-N^+2的形成。  相似文献   
3.
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温下O2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2  相似文献   
4.
姚焜  康士秀  孙霞  吴自勤  黄宇营  巨新  冼鼎昌 《物理》2002,31(2):105-112
比较了同步辐射(SR)X射线荧光(XRF),电子和质子激发的X射线谱,介绍了XRF谱的采集方法及数据处理方法(主要是能谱方法),智能方法的无标样(基本参数法)定量分析原理,以及近期在植物微量元素分析中得到的结果。  相似文献   
5.
应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较,此外还根据计算得到的低能激发能对SiN-阴离子的光电子能谱进行了理论指认.研究表明,SiN-阴离子的基态为1Σ态,而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于1Σ→2Σ和1Σ→2Π的跃迁.研究结果还表明,用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的. 关键词: 团簇 光电子能谱 基态 激发态  相似文献   
6.
吴迪  宫野  刘金远  王晓钢  刘悦  马腾才 《物理学报》2006,55(7):3501-3505
利用拟合实测的TEMP Ⅱ型加速器磁绝缘二极管(MID)电压波形及其焦点附近束流密度曲线,建立了Gaussian分布模型,据此计算了与靶作用的离子的能量及数量,采用Monte Carlo(MC)方法计算了沉积在靶内的能量.并以此作为热源,与流体动力学(HD)模型相结合,对不同的靶状态采用相应的状态方程,模拟计算了靶内压力演化情况; 同时对烧蚀产生的等离子体采用理想气体状态方程, 结合HD方程组, 模拟计算了喷发过程中压力的空间演化过程. 关键词: 强流脉冲离子束 Gaussian模型 HD方程 数值研究  相似文献   
7.
周先荣  郭璐  孟杰  赵恩广 《中国物理 C》2002,26(11):1125-1133
用粒子–转子模型和推转壳模型研究了6个粒子分别填充在单j壳和双j壳上的混沌行为.分析了单j壳和双j壳情况下能谱的最近邻能级间距分布和谱刚度随自旋及推转频率的变化,结果表明,当组态空间大小不变时,系统在双j壳(g7/2+d5/2)情况下比在单j壳(i13/2)情况下更规则,而当组态空间从单j壳(i13/2)扩大到双j壳(i13/2+g9/2)时,系统的混沌程度变化不大.同时比较了将6个粒子的两体相互作用分别取为δ力和对力时的系统的混沌行为  相似文献   
8.
束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景   总被引:18,自引:0,他引:18  
本文系统论述涉及强流加速器等强流离子束装置中产生的束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景。强流离子束在核材料生产与增殖、洁净核能、放射性废物嬗变、放射性药物生产、重离子聚变、高能物理、核科学与工程、国防与民用工业和医疗等许多方面都有极其重要的应用潜力和诱人的发展前景。尤其是,近年来强流加速器驱动的放射性洁净核能系统是国内外关注的热门课题,因为它比常规核电更安全、更干净、更便宜。但是,强流离子束形成的束晕-混沌的复杂性现象已引起了国内外广泛关注,需要加以抑制、控制和消除这类现象,解决这一难题已经成为强流离子束应用中的关键问题之一。目前不仅必须深入研究这类束晕-混沌的复杂特性及其产生的物理机制,而且需要研究如何实现对束晕-混沌的有效控制,并寻求和发展其新理论、新方法和新技术。这就向强流离子束物理和非线性-复杂性科学及其技术提出了一系列极富挑战性的新课题。本文结合国内外的研究概况,根据我们多年来的研究成果,特别是我们首创性地提出了一些束晕-混沌的有效控制方法,它们包括:非线性反馈控制法,小波反馈控制法,变结构控制法,延迟反馈控制法,参数自适应控制法等,进行重点的介绍。对上述课题当前的主要进展及相关问题进行系统的总结和比较全面综述的评论。最后,指出该领域今后的研究方向,以推动这个崭新领域的深入研究和应用发展。  相似文献   
9.
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。  相似文献   
10.
为阐述放射性9C束流应用于治癌的物理基础, 运用一个球形生物组织等效正比计数器测量了9C束流不同贯穿深度上的线能谱, 得到了沿束流贯穿深度上的剂量平均线能分布. 将实验测量得到的线能谱转换成为不同传能线密度在吸收剂量中所占份额的分布, 得到了该9C束流在不同贯穿深度上的剂量平均传能线密度分布. 将生物组织等效正比计数器测量得到的与先前通过平行板正比计数器测量得到的该9C束流的剂量平均传能线密度分布进行比较, 发现: 在束流入射通道上, 两者测量数据符合很好, 而在束流Bragg峰附近9C离子的沉积区域, 由组织等效正比计数器测量得到的剂量平均传能线密度值大于由平行板正比计数器测量得到的值.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号