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1.
Starting from the free energy of a moving vortex, we obtain the extended power law form of longitudinal resistivity pxx and the analytical form of Hall resistivity pxy.Based on them, we obtain a scaling relation which agrees well with the experimental data of different kinds of high-temperature superconductors. Furthermore, the theoretical results well fit the scaling results.  相似文献   
2.
本文叙述对Nb_3Sn扩散薄膜的一项包括高场临界电流机制,合金元素作用机制等内容在内的综合性实验研究。  相似文献   
3.
用背面防护漂浮减薄法制备了扩散Nb_3Sn超导薄膜的大面积(平方毫米量级)IEM样品。给出了用TEM-200cx电子显微镜观察的典型电子显微象。结果表明,这种新颖的制样方法对于大面积检视和高分辨率的细致研究都是适用的。它将有助于揭示超导材料中的微观机制。  相似文献   
4.
我们测量了Bi1.8Pb-.2Sr2Ca2Cu3O高温超导体在磁场下不同温度的等温I-V曲线.观测到在等温lgI-lgV曲线上会同时存在正曲率和负曲率.这是通常的Anderson-Kim磁通蠕动模型和涡旋玻璃态的标度理论V∞exp[-(J-/J)H]所不能解释的.我们在蠕动模型的基础上,考虑到磁通运动时的耗散对激活能会有一个动力学的贡献,对上述现象进行了解释,并与实验进行了对比.  相似文献   
5.
本文按计量式Y_(0.334)Ba_(0.666)CuO_(3-y)制备和得到了题目超导物相的样品。实验中使用柠檬酸为复合剂显著改善了金属氧化物的分散性和超导物相的均匀性。我们发现制备所得样品中,偏离四方晶格愈甚者,其超导性能愈佳。由X射线粉晶衍射数据测定了晶体结构,确认了金属离子的化学计量比和给出了氧原子的位置。正交或假四方晶胞的晶胞参数为a=3.893,b=3.813和c=11.867。晶胞由铜原子占据顶点位置的三个钙钛矿型立方体所组成,二个钡原子居于上层和底层的两个体心位置,而钇原子则占据居中立方体的体心位置。氧原子均占据诸立方体的稜心位置,但001/2处为空位,而01/20处的空位则导致晶格对称性由四方畸变为正交,这一畸变对超导相有深远的影响。钇和钡原子的配位多面体系由立方-八面体所派生的八配位和十配位的多面体,两者分别与移去晶胞中001/2和01/20处的氧原子后的氧多面体相对应。根据键价理论,以Y—O,Ba—O和Cu—O键长为基础,我们合理地论述了,即使在001/2及01/20处氧缺位的情况下,1/200处氧原子的占有率亦将低于1,与晶胞对应的该物相化学式为YBa_2Cu_bO_(7-d),0.2相似文献   
6.
采用“Nb管富Sn法”研究了Mg添加到Cu-Sn母体中后,Nb_3Sn在固相扩散形成过程中的生长特性、微组织结构变化与其超导性能的关系。研究结果表明:Mg能形成Mg-Nb-O化合物沉淀相粒子并弥散分布在Nb_3Sn层靠母体一例的晶粒中,细化了这部分晶粒,提高了临界电流密度;Mg的作用主要是通过改变Nb_3Sn层的微组织结构来影响其超导性能。  相似文献   
7.
我们根据一个推广的热激活磁通运动模型,得到钉扎力Fp的具体形式,并由此给出了混和态下霍尔电阻率ρ(xy)随磁场变化的表化.我们的结果,定性地解释了有关实验现象.  相似文献   
8.
通过在超薄金属层上蒸镀C_(68)时的电阻原位测量,发现在平均厚度约一个C_(68)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,主要表现为电导增强,电阻变化的程度与金属层厚度有关,最多近一个数量级。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(68)-金属界面相互作用,从而对常规喇曼谱和各种电子谱测量的结果给出旁证和补充。 关键词:  相似文献   
9.
基于推广的磁通热激发模型,我们提出了评估超导体中钉轧力的一个新方法,该方法用于一个统一的形式表达了温度,磁场以及电流密度对作用于磁通线上钉的扎力的影响,它解释了超导体混合态的电阻行为,并很好地拟合了Bi-2223外延膜钉扎力的标度行为。  相似文献   
10.
富勒烯(C60和C70)薄膜可外延生长在新鲜解理的云母(001)平面.以这富勒烯层为衬底,将金属薄膜蒸镀在其上,便构成典型的二维渗流系统.蒸镀过程在超高真空系统中完成,并同时对样品的电阻特性进行原位测量.随着外加电压的增加,观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象.在渗流阈值附近,击穿电流Ib与样品电阻R之间表现出幂指数关系:Ib~R-α.指数α比前人实验给出的数值和Nodes-Links-Blobs模型的预期值小得多,而且随着衬底材料的不同而不同.基于金属和富勒烯界面相互作用的理论,对这些现象作了解释 关键词:  相似文献   
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