低温下低掺杂硅P—N结正向伏安特性的异常现象

实验观察到低温下低掺杂硅 P-N 结的异常现象.在14—25K 的温区里,出现正向伏安特性曲线交叉、击穿电压峰以及当正向注入电流恒定时正向电压随温度变化特性呈现非单调性.对异常现象作了讨论,提出低温下“热”载流子的存在引起杂质碰撞电离可能是产生这些现象的原因.     

Y-Ba-Cu和Y-Gd-Ba-Cu氧化物超导电性的压力研究

在0—12kbar的压力下,在77—300K的温区里,研究了Y_1-Ba_2-Cu_3和Y_1-Gd_1-Ba_1-CU_3氧化物超导转变温度的压力效应。电阻测量采取标准直流四线方法。采用液体介质传压的Be-Cu自锁式压力装置。压力能提高这二种样品的偏离线性温度Tci 和零电阻温度Tcf。Y-Ba-Cu氧化物的Tcf平均增加率为0.71K/kbar,Y-Gd-Ba-Cu氧化物为0.27K/kbar。在Tci处的电阻率Pci随压力P增加而下降。