低温下低掺杂硅P—N结正向伏安特性的异常现象

实验观察到低温下低掺杂硅 P-N 结的异常现象.在14—25K 的温区里,出现正向伏安特性曲线交叉、击穿电压峰以及当正向注入电流恒定时正向电压随温度变化特性呈现非单调性.对异常现象作了讨论,提出低温下“热”载流子的存在引起杂质碰撞电离可能是产生这些现象的原因.     

高温超导体Josephson阵列在磁场中的微波响应与磁通涡旋激发

本文从分析相变电阻率 ρP 和磁通蠕动电阻率 ρF 出发 ,指出当T小于某一温度T0 时 ,ρF>ρP,而当T >T0 时 ,ρF 远小于 ρP,并进一步分析了 ρF 与 ρP 随温度的变化率分布图 ,得出磁通蠕动电阻率 ρF 随温度的变化率分布图跟微波响应曲线具有相似的分布特征 ,结果表明 :高温超导体的非平衡微波响应机制可能与磁通涡旋的激发有关 .     

Y-Ba-Cu和Y-Gd-Ba-Cu氧化物超导电性的压力研究

在0—12kbar的压力下,在77—300K的温区里,研究了Y_1-Ba_2-Cu_3和Y_1-Gd_1-Ba_1-CU_3氧化物超导转变温度的压力效应。电阻测量采取标准直流四线方法。采用液体介质传压的Be-Cu自锁式压力装置。压力能提高这二种样品的偏离线性温度Tci 和零电阻温度Tcf。Y-Ba-Cu氧化物的Tcf平均增加率为0.71K/kbar,Y-Gd-Ba-Cu氧化物为0.27K/kbar。在Tci处的电阻率Pci随压力P增加而下降。     

低温下Ⅲ-Ⅴ族半导体P-N结的V_F-T特性

在4—300K的温区里,对正向恒定电流为10μA的几种GaAs、GaAsP、GaP二极管,进行了正向电压降V_F温度特性的测量.结果表明,低温下这类二极管可用作宽温区的测温探头.D_2管的性能优于其它的二极管.本文对实验结果作了讨论.     

低温下P-N结的V_F-T特性

本文讨论了低温下P-N结的正向电压降V_F随温度T变化的特性。对几种硅与砷化镓二极管的V_F-T特性,在4—300K的温区进行了测量。实验与分析表明国产二极管可用作低温宽温区测温探头。对其应用的可能性进行了分析。