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| 添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响 | |
| 引用本文： | 何牧,宫世明,胡素辉,黄桐凯,潘金彪,胡善荣,赵惠玲,胡永祥,朱萍,李传义,高瑞芬,朱泽智.添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响[J].低温物理学报,1984(4). |
| 作者姓名： | 何牧 宫世明 胡素辉 黄桐凯 潘金彪 胡善荣 赵惠玲 胡永祥 朱萍 李传义 高瑞芬 朱泽智 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，北京大学，中国科学技术大学，中国科学技术大学 上海科技大学物理系82届毕业生，上海科技大学物理系82届毕业生，合肥，合肥 |
| 摘 要： | 本文主要报道添加元素In、Ga对Nb管富Sn法Nb_3Sn反应扩散热处理过程和超导临界特性的影响的初步结果。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |