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以巯基乙酸为稳定剂,采用成核掺杂的方法在水溶液中一步制备得到具有核壳结构的ZnS:Mn/ZnS量子点.研究了荧光、室温磷光产生的机理.基于DNA对量子点发光的增强效应,以ZnS:Mn/ZnS量子点作为标记探针建立了测定DNA的荧光、室温磷光的分析方法.考察了量子点浓度、EDC/NHS用量和反应时间等条件对DNA测定的影响.结果表明,在最佳测定条件下,荧光、室温磷光两种分析方法测定小牛胸腺DNA的线性区间均为50 ~600 μg/L,检出限分别为39.6、28.5 μg/L,回收率分别为98% ~ 104%、99%~101%,25次重复测定300 μg/L ctDNA的相对标准偏差分别为3.1%、2.3%.该方法简单、安全、灵敏度高. 相似文献
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以M oS2粉末为原料,以氩气为携载气体,在400~600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的M oS2薄膜.利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了M oS2薄膜的结构和表面形貌,发现M oS2薄膜由多晶M oS2粒子组成,颗粒均匀,平均纳米颗粒尺寸约为60 nm .利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性,发现样品在720 nm附近有很强的吸收.应用霍尔效应和伏安法研究了M oS2/Si样品的接触特性和电子的运输特性,发现该异质结具有良好的整流特性,即正向电压下电流随电压呈指数增长,而在反向偏压下漏电流很小,电子迁移率可达到6.730×102 cm2/(V · s).实验结果表明MoS2薄膜具有良好的电学特性,可用来制备晶体管和集成电路等器件. 相似文献
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本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下,对硅衬底应用Fe^3+催化剂处理后,呈纳米线状结构生长,而无Fe催化剂涂覆情况下,基本呈纳米晶体状生长,说明催化剂对si纳米线的生成起了重要的促进生长作用。通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理,发现它们以气-液-固(VLS)机制生长。 相似文献
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研究了利用层-层自组织生长法制备的磺化聚苯胺-CdS纳米晶体复合膜的光学特性.研究发现,随样品中CdS 纳米晶体尺寸的减小,量子尺寸效应明显增强;在紫外吸收谱中表现为吸收边出现了明显蓝移;在光致发光谱中,不仅激子直接复合产生的带边发射产生了蓝移,而且陷阱态复合产生的宽带发射也发生了蓝移.还发现样品经低温退火处理后,激子复合产生的带边发射显著增强,发射带宽随纳米尺寸的减小而变窄.这说明退火后CdS 纳米晶粒的有序性和均匀度显著增加.
关键词:
CdS 纳米晶体
SPAn
吸收
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以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的表面形貌、伏安特性及其他电学特性.发现镍铬过渡层具有显著的催化作用,可有效降低石墨烯的生长温度.随着生长温度的升高,样品中电子迁移率随之增大,伏安特性的线性度也越好.对纯硅片上生长的石墨烯,发现高温有利于甲烷有效分解和成核,可有效提高表面电子浓度和电子迁移率,其迁移率可达到2.52×104 cm2/V. 相似文献