| 用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜及其电学性能研究 |
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| 引用本文： | 张浩,董洁文,吕孝鹏,王鑫,许元鲜,邵雪峰,王珊珊,邓雅丽,陈康烨,马锡英.用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜及其电学性能研究[J].物理实验,2013(6):44-48. |
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| 作者姓名： | 张浩 董洁文 吕孝鹏 王鑫 许元鲜 邵雪峰 王珊珊 邓雅丽 陈康烨 马锡英 |
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| 作者单位： | 苏州科技学院数理学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60976071);苏州市科技计划项目(No.SYG201121) |
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| 摘 要： | 以甲烷作为反应气体、利用高温化学气相沉积法分别在纯硅片和镀镍镉过渡层硅片上沉积石墨烯薄膜,应用金相显微镜和电学特性测试分析了700,900,950℃温度下生长的石墨烯薄膜的表面形貌、伏安特性及其他电学特性.发现镍铬过渡层具有显著的催化作用,可有效降低石墨烯的生长温度.随着生长温度的升高,样品中电子迁移率随之增大,伏安特性的线性度也越好.对纯硅片上生长的石墨烯,发现高温有利于甲烷有效分解和成核,可有效提高表面电子浓度和电子迁移率,其迁移率可达到2.52×104 cm2/V.
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| 关 键 词： | 石墨烯 化学气相沉积法 金相显微镜 电学性质 |
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