| 热沉积法制备纳米二硫化钼薄膜及其光电特性研究 |
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| 引用本文： | 何杰,陈康烨,林拉,张国瑞,顾伟霞,马锡英.热沉积法制备纳米二硫化钼薄膜及其光电特性研究[J].物理实验,2013(9). |
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| 作者姓名： | 何杰 陈康烨 林拉 张国瑞 顾伟霞 马锡英 |
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| 作者单位： | 苏州科技学院数理学院,江苏苏州,215011 |
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| 基金项目： | 苏州市科技计划项目资助(No ．SYG201121)；江苏省大学生科技创新项目资助 |
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| 摘 要： | 以M oS2粉末为原料，以氩气为携载气体，在400～600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的M oS2薄膜．利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了M oS2薄膜的结构和表面形貌，发现M oS2薄膜由多晶M oS2粒子组成，颗粒均匀，平均纳米颗粒尺寸约为60 nm ．利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性，发现样品在720 nm附近有很强的吸收．应用霍尔效应和伏安法研究了M oS2/Si样品的接触特性和电子的运输特性，发现该异质结具有良好的整流特性，即正向电压下电流随电压呈指数增长，而在反向偏压下漏电流很小，电子迁移率可达到6．730×102 cm2/（V · s）．实验结果表明MoS2薄膜具有良好的电学特性，可用来制备晶体管和集成电路等器件．
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| 关 键 词： | 二硫化钼 纳米薄膜 热蒸发沉积 |
Electrical properties of nano MoS 2 thin film prepared by thermal evaporation deposition |
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| HE Jie
,
CHEN Kang-ye
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LIN La
,
ZHANG Guo-rui
,
GU Wei-xia
,
MA Xi-ying.Electrical properties of nano MoS 2 thin film prepared by thermal evaporation deposition[J].Physics Experimentation,2013(9). |
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| Authors: | HE Jie CHEN Kang-ye LIN La ZHANG Guo-rui GU Wei-xia MA Xi-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MoS2 nanometer films thermal evaporation deposition |
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