热氧化法制备ZnO纳米晶体、纳米线

以高纯Zn块为源材料,通过热氧化法制备了纳米ZnO薄膜。在950℃的温度和一定的压力条件下,通过改变生长时间,分别制备了ZnO纳米晶体、纳米纤维和纳米线。应用扫描电镜观察发现,在恒温生长条件下,纳米ZnO具有定向生长的趋势。随生长时间的延长,纳米晶体定向生长为纳米纤维,最后生长为超长的纳米线。     

硅纳米线的PEOVD生长研究

本文以硅烷（SiH4）为反应气体,利用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在硅（100）衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下,对硅衬底应用Fe^3＋催化剂处理后,呈纳米线状结构生长,而无Fe催化剂涂覆情况下,基本呈纳米晶体状生长,说明催化剂对si纳米线的生成起了重要的促进生长作用。通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理,发现它们以气-液-固（VLS）机制生长。