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<正>统筹学是研究如何在实现整体目标的全过程中施行统筹管理的有关理论、模型、方法和手段.说的通俗一点,就是系统化的用最有效、最简洁、最低成本来实现目标.统筹是人类社会十分宝贵的精神财富,只要是具有鲜明成就感或明确目的的活动想要取得切实合理和有效的好结果,几乎是都离不开统筹的实践.很多人也许对"统筹"这一名词还有些陌生,但对于古代的田忌赛马却耳熟能详,更有出名的电话服务"排队问题"及"开水泡茶问题"等都属于这一领域. 相似文献
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设计精彩开场白引导物理兴趣心 总被引:1,自引:0,他引:1
物理课堂的开场白是一项非常重要的教学艺术,精彩、高超、新颖、别致的开场白,必然能够唤起学生的学习兴趣,收到先声夺人、一举成功的效果.直观、趣味的开场白,诱导学生变枯燥抽象的原理学习为生动活泼的规律探索,造就学生的知识饥饿感,促其产生强烈的求知欲.积极、和谐的开场白,影响着学生 相似文献
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Pd/TiO2上乙烯选择氧化的催化作用机理 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Pd/TiO_2催化剂上乙烯低温选择氧化生成乙醛的催化性能和催化作用机理。用X射线衍射、XPS、氢氧滴定等表征了不同催化剂的特性。结果表明,Pd/TiO_2上乙烯氧化的催化循环是通过钯和氧化钛的协同作用实现的。催化剂的制备方法和氢预处理条件都明显地影响催化乙烯氧化的活性。较低温度氢处理能使催化剂活性中心逐步形成,300℃处理的样品有最高的催化乙烯氧化活性。而高温氢处理导致金属和载体相互作用过强,改变了催化剂的物理化学状态,反而不利于实现催化环链的电子传递过程,使催化乙烯氧化活性明显降低。 相似文献
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Ternary transition metal nitrides, Fe3 W3N, Coa W3N, and Nia WaN~ are studied by the use of interatomic potentials acquired from lattice inversion. The study indicates that Fe3 WaN would be more stable than the other compounds in the family of intermetallic tungsten nitrides. The investigation of phonon density of states indi- cates that the lower frequency modes are mostly excited by the metal atoms, and the higher frequency modes are mostly excited by the nitrogen atoms. A qualitative analysis is carried out with the relevant potentials for the phase stability and vibrational modes. 相似文献
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RFe2Zn20(R代表稀土元素)型稀土金属间化合物因其低稀土含量和良好的铁磁性,已成为铁磁材料的研究热点之一.添加第四组元对该系列化合物的晶体结构和材料性能会产生一定影响.利用晶格反演方法获得了一系列有效的原子间相互作用势,对三元RFe2Zn20和四元RFe2Zn20-xInx化合物进行原子级模拟计算.研究表明,随着稀土元素原子量的增加,三元体系的晶格参数和体积呈线性下降,第四组元引入与否对该线性关系无直接影响.第四组元In替代Zn时,择优占据16c晶位,占满16c后选择占据96g晶位,始终不占据48f晶位.择优占位的结论符合实验观测,并与晶格反演势分析的结果一致.
关键词:
原子间相互作用势
择优占位
晶体结构 相似文献
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Negative bias-induced threshold voltage instability and zener/interface trapping mechanism in GaN-based MIS-HEMTs 下载免费PDF全文
We investigate the instability of threshold voltage in D-mode MIS-HEMT with in-situ SiN as gate dielectric under different negative gate stresses.The complex non-monotonic evolution of threshold voltage under the negative stress and during the recovery process is induced by the combination effect of two mechanisms.The effect of trapping behavior of interface state at SiN/AlGaN interface and the effect of zener traps in AlGaN barrier layer on the threshold voltage instability are opposite to each other.The threshold voltage shifts negatively under the negative stress due to the detrapping of the electrons at SiN/AlGaN interface,and shifts positively due to zener trapping in AlGaN barrier layer.As the stress is removed,the threshold voltage shifts positively for the retrapping of interface states and negatively for the thermal detrapping in AlGaN.However,it is the trapping behavior in the AlGaN rather than the interface state that results in the change of transconductance in the D-mode MIS-HEMT. 相似文献
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基于分子印迹技术,以硫酸链霉素(STR)为模板分子,邻苯二胺(OPD)为功能单体,通过循环伏安电聚合在玻碳电极表面构建出对STR具有选择特异性的电化学传感器,且制备过程中STR无需衍生处理。以K3[Fe(CN)6]为探针的方波伏安(SWV)分析,模板分子与单体的摩尔配比为1∶4、洗脱溶剂为70%乙醇溶液,在此条件下制备的传感器性能良好。传感器得到的方波伏安峰电流变化值与硫酸链霉素浓度在2.5×10!8~1.2×10!6mol/L范围内线性关系较好,检出限为1.2×10!8mol/L,基于蜂蜜样品的测定中链霉素回收率介于102.1%~119.2%之间。 相似文献