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GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合
引用本文:陈张海,胡灿明,刘普霖,史国良,沈学础.GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合[J].物理学报,1998,47(3):494-501.
作者姓名:陈张海  胡灿明  刘普霖  史国良  沈学础
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
摘    要:采用栅压比谱技术,在相对较低的磁场下,观察到GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气第零子能带的N=1 Landau能级与高达第五子能带的N=0 Landau能级的共振耦合现象,由此精确测量了各子能带能量间距,并与自洽的理论计算结果相比较.同时,讨论了共振子能带-Landau能级耦合所引起的Landau能级分裂大小与子能带量子数的关系.


RESONANT SUBBAND-LANDAU-LEVEL COUPLING FOR HIGH-LYING SUBBANDS OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN GaAs/AlGaAs HETEROJUNCTION
CHEN ZHANG-HAI,HU CAN-MING,LIU PU-LIN,SHI GUO-LIANG and SHEN XUE-CHU.RESONANT SUBBAND-LANDAU-LEVEL COUPLING FOR HIGH-LYING SUBBANDS OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN GaAs/AlGaAs HETEROJUNCTION[J].Acta Physica Sinica,1998,47(3):494-501.
Authors:CHEN ZHANG-HAI  HU CAN-MING  LIU PU-LIN  SHI GUO-LIANG and SHEN XUE-CHU
Abstract:
Keywords:
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