图案化基底上液滴的挥发行为

采用液滴形状分析仪, 在线跟踪了液滴在图案化基底上的挥发过程. 结果表明, 与平滑基底结果相比, 图案化基底上的挥发过程明显不同. 首先, 接触角减小; 另外, 由于发生了Cassie态到Wenzel态转变, 所得接触直径在减小过程中产生了一个突然变大的阶段. 在该挥发过程中, 突起部分的面积分数扮演了十分重要的角色.     

精氨酸的溶剂浮选分离技术及其分离机制

以表面活性剂十二烷基苯磺酸为捕收剂(DBSA),二(2-乙基己基)磷酸酯(P204)为萃取剂,正庚烷为有机溶剂,采用溶剂浮选法对水溶液中精氨酸进行分离富集,并与气浮络合萃取法、泡沫浮选法和溶剂萃取法进行了比较.结果表明,在常温下,0.09 g/L精氨酸水溶液250 mL、初始pH 7.0,DBSA浓度0.15 g/L,正庚烷体积10 mL, P204体积4.5 mL,气体流量200 mL/min,溶剂浮选法分离水溶液中精氨酸的富集比为16.2,回收率为97.2%.溶剂浮选法分离精氨酸的动力学实验结果表明,精氨酸的溶剂浮选过程阶段性明显,大致可分为3个阶段,第一阶段和第二阶段都符合一级动力学方程,第三阶段符合零级动力学方程,探索了溶剂浮选法分离精氨酸的分离机制.     

Lead zirconate titanate behaviors in an LDMOS

The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current-gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system.     

����״̬������Markov�л����ʱ��ϵͳ�ľ���ָ���ȶ���

考察一类Markov切换时变时滞随机系统的均方指数稳定性. 利用基于Liapunov函数和线性矩阵不等式的方法, 给出了使状态反馈控制系统能克服不确定性和随机干扰, 在均方意义下达到指数稳定的充分条件. 当Markov链遍历所有模态时, 给出了一个独立于Markov链模态集的增益矩阵, 使得状态反馈控制系统均方指数稳定     

真伪“光压风车”之辨析

通过对"光压风车"的剖析,理清热辐射计与光压现象两者的关系,纠正误解.     

抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%-15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%-20%. 关键词： 双极n-p-n晶体管 辐射效应 电流增益 抗辐射     

关于s-拟正规嵌人与c-可补子群的一个注记(英文)

In this paper the influence of s-quasinormally embedded and c-supplemented subgroups on the p-nilpotency of finite groups is investigate and some recent results are generalized.     

基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究

在商用0.35 μm互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(t_ox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor, 简记为NMOS) 晶体管, 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示, 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于t_ox为11 nm的低压NMOS晶体管, 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于t_ox为26 nm的高压NMOS晶体管, 通过环栅或半环栅的加固方式, 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下, 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式, 环形栅和半环形栅对同一t_ox的NMOS器件加固效果类似, 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果, 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因. 关键词： 环形栅 半环形栅 总剂量 辐射效应     

薄膜三重价态锰氧化物的制备与性能

应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+, Mn4+, Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3. 这种薄膜具有钙钛矿结构, A位拥有La3＋, Ca2＋和K＋三种离子, 对应的B位为Mn3＋, Mn4＋和Mn5＋三重价态离子共存. 通过18 kW高能X射线衍射仪和D8 X射线面探衍射仪检测证实制备的薄膜为取向多晶薄膜. 原子力扫描图像显示薄膜表面平整, 且随薄膜厚度增加表面平整度起伏增大. 表面光电压测试显示, 该薄膜具有明显的光生电压信号.     

离子交换树脂分离发酵液中乳链菌肽工艺

用阳离子交换树脂D113吸附发酵液中乳链菌肽,单位体积D113的吸附量为120000IU/mL,加入90mL 5%KCl溶液,8h时解吸率达到最大值,最终解吸率为48%.在25℃,40℃和50℃下D113的吸附等温线符合Langmuir吸附等温方程.通过对控制机理的判断,25℃时F与t呈线性关系,为液膜扩散控制(FDC);40℃、50℃时[1-3(F)<2/3 2(1-F)]～t曲线呈良好的线性关系,为颗粒扩散控制(PDC).