关于导体同绝缘体的相互转变

凝聚态物理学中的一个热门问题是 :导体如何变成绝缘体的 ,而绝缘体又是如何变回去成为导体的 ?这个问题对理论和实用都是极有意义的 .最近 ,美国的科学家报道了他们的实验 :他们用紫外光闪烁照射稀土元素钇和镧的氢化物 ,从而使绝缘体钇和镧的氢化物变成了光亮的导体 .五年前 ,丹麦科学家曾通过加压氢 ,使金属变成绝缘体 ,这些丹麦科学家为了寻找新的超导体 ,研究了金属氢化物ＹＨ2 ,可是没有发现超导性 ,但是却发现了在高压氢的处理下 ,光亮的金属ＹＨ2 薄膜转变成透光的绝缘体ＹＨ3 .最近丹麦科学家参与了美国科学家的工作 ,他们把用钯封…     

从表观结构来研究不同温度下的预形变对铝单晶体范性形变的影响

用光学显微镜和电子显微镜研究了:在某一温度(-180℃,-80℃,20℃)下的预先拉伸对铝(纯度为99.99％)单晶体以后继续在另一温度(80℃,20℃,-80℃,-180℃)下拉伸时形变结构变化的影响。预形变量为10％,后来的形变量为1％,10％,40％。形变速度约为1％/秒。将得到的一些结果,在它们彼此间以及与形变过程中温度不改变的情形(20℃,-80℃,-180℃)作了比较。此外,并用在每拉伸0.3％后即照一次光学显微镜相的方法,研究了单晶体表面形变结构变化的动态过程。结果的分析指出,形变单晶体的结构也和流变应力一样,不是形变瞬时温度的单值函数,而是和预形变温度有关的。以预先的形变中和后来的形变中的硬化及回复过程的效果,对所观察到的单晶体形变表观结构的特点作了解释。     

透射电子显微镜样品的电解抛光制备方法

在电解抛光过程中用透射和反射光作显微镜观察,借以监视抛光样品,使获得最佳抛光条件。电路中采用了间歇电流装置,使抛光条件更易于控制。样品制备的成功率和重复性有所提高。制备了一些超导材料和非晶质材料的透射电子显微镜样品,拍摄了透射电子显微镜和选区电子衍射照片。 关键词：     

A15Nb_3Ge超导薄膜的电子显微镜观察

在透射电子显微镜(TEM)下观察了五个溅射的NbGe超导薄膜样品.结果表明,在高温(1000℃)时薄膜沉积.其显微结构是大的同轴向的A15晶粒,在晶粒边界上有一些“片状”结构。T_c很高(≥22K)薄膜其显微结构是形状不规则的,带有缺陷的A15晶粒以及有严格花样的“杆状”晶粒.虽然我们不能从电子衍射中辨别(T)Nb_5Ge_3相,但却发现了(六角)Nb_5Ge_3.由此得到,高T_cA15亚稳相是与(T)以及(六角)Nb_5Ge相共存的.     

连续热压

加压烧结是一种新工艺.目前,工业和实验室采用的压力因受模具抗张强度的限制,大约是200公斤/厘米2左右.进一步提高压力有助于降低烧结温度,缩短烧结时间,获得接近理论密度的烧结体.菲利浦公司建立过一种连续热压装置,压力可达1000公斤/厘米2,它是靠六个油缸支持一个六棱柱形的氧化铝模筒承受高医,虽然设备比较复杂,但由于具有压力高及连续烧结的特点,受到了高压研究工作者的重视. 我们采用叶腊石受热膨胀产生的支撑力,使高温氧化铝陶瓷模筒可在1200℃承受2000公斤/厘米2的压力,并以可移动的上、下压杆实现连续加压烧结. 模具结构如图1所示.…     

离子轰击减薄装置及其应用

对材料作显微观察分析时,需要对材料表面腐蚀或将材料减簿.因为腐蚀之后所显示的腐蚀图象,在一定程度上反应材料的组织和结构.在用透射电子显微镜观察材料内部组织和结构时,需要将材料减薄,制成数千埃至数万埃厚度的薄样品.近年来常用离子轰击方法腐蚀或减薄样品,离子轰击减薄方法能减薄其它方法难以减薄的材料,如多相材料、硬的脆的材料、烧结多孔材料,以及橡胶、高分子、生物等.离子轰击方法也可用于制备电子显微镜复型、投影[1]和高分辨电子显微术[2]. 我们参考了霍耶尔(Heuer)等人的工作[3],制作了一台冷阴极辉光放电型离子轰击装置,进…     

铝单晶体滑移的电子显微镜观察(三)

在前文中曾提及,在铝单晶的滑移带之外发现到处有平行于滑移带的类似滑移的直线痕迹,在本文图1中的纯铝单晶体的滑移电子显微镜照相中更为明显。图中除若干极为明显的滑移带之外,晶体上满布着这类平行于滑移带的极为细微的直线痕迹。不难证明,这些细微的直线痕迹也是滑移的类型。这些细滑移线的主要特点是:     

Ce1+εFe4B4一维成分无公度结构的研究

本文用X射线粉末衍射和电子衍射的方法,研究了Ce-Fe-B合金中的富B相Ce_1+εFe₄B₄的晶体结构,发现该化合物具有一种罕见的晶体结构——烟囱-梯子型的一维成分无公度结构,是由两套亚结构即Fe-B亚结构和Ce亚结构所组成,两套亚结构都具有四方对称性,其点阵常数α值相同。Ce_1+εFe₄B₄在室温的点阵常数α=0.7068 nm,c_Fe-B=0.3902 nm,c_Ce=0.3440 nm。在950℃粉末淬炼后的点阵常数α=0.7065nm,c_Fe-B=0.3887 nm,c_Ce=0.3563 nm。Fe-B亚结构的空间群为P4₂/ncm,Ce亚结构的空间群为I4/mmm。     

Ce1+εFe4B4合金一维无公度调制结构的透射电子显微镜研究

用电子衍射和高分辨电子显微术研究了永磁合金Ce₁₅Fe(77)B₀中富硼相Ce_1+εFe₄B₄(ε≈0.1)的晶体结构,确定了Ce_1+εFe₄B₄合金具有烟囱-梯子型一维无公度调制结构,它由Ce原子和Fe-B原子团分别组成的两套亚结构相互嵌套形成。Ce亚结构晶胞参数为a=7.08?,c_Ce=3.51—3.60? 关键词：     

聚酞菁锗氧烷的电子辐照损伤及高分辨电子显微学研究

利用选区电子衍射观察了聚酞菁锗氧烷晶体的电子辐照损伤规律,结果表明,各晶面损伤次序既与所对应衍射班点的衍射级数有关,又与晶面间距有关。同时用选区电子衍射测量该聚合物晶体的耐电子辐照能力,对比不同加速电压对耐电子辐照能力的影响,讨论了获取晶面间距小于1nm的晶面的晶格像的可能性。最后利用高分辨电子显微技术拍摄了该聚合物的间距为0.66nm的晶格像和二维晶格像。