非晶CS/RB纳米薄膜的荧光性质

采用低真空物理气相沉积法制备单组份氰基对称二苯代乙烯(CS)纳米薄膜和罗丹明B(RB)纳米薄膜以及CS/RB叠层纳米薄膜。使用荧光分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征薄膜样品的荧光性质、结构和表面形貌。与粉末晶态样品相比,薄膜样品的荧光发射峰数量变多,发射波长范围拓宽到120 nm。有机小分子的非晶聚集态和纳米叠层结构的的纳米效应导致了样品的荧光性质的变化。     

多层纳米Au/DPO薄膜的荧光特性

在低压直流溅射沉积的纳米Au薄膜表面喷涂有机固体晶体2,5-二苯基恶唑（DPO）,制成具有（Au+DPO）单元结构的多层纳米薄膜。利用XRD表征多层纳米薄膜的晶体结构,通过SEM表征各层薄膜的表面形貌,并测试了多层纳米薄膜的紫外荧光特性。与纯DPO薄膜相比,多层纳米薄膜的紫外荧光峰出现了5 nm的蓝移,而且DPO荧光峰形貌发生改变。在多层膜中,DPO薄膜的荧光强度与薄膜层数成反比关系,而纳米Au膜的荧光强度与薄膜层数成正比关系。SEM与XRD测试结果表明,多层薄膜中的DPO薄膜随着薄膜层数的增加逐渐成为无定型结构。DPO薄膜与纳米Au膜相互作用,导致其晶体结构异于单层薄膜,进而改变了其荧光特性。     

Bi系超导体制备工艺与其物性之间关系的研究

本叙述了Ｂｉ系高温超导体的制备工艺对其超导性能的影响，以及对样品进行电击穿实验等。结果表明，高温烧结，液氮淬火，低温退火，缓慢降温有利于生成高温超导体相；超导样品是由一些颗粒连接而成，样品Ｔｃｄ越高其击穿电压越低，而其伏安特性曲告诉我们在超导样品中有一类似半导体结存在。     

湿法制备Ba-Y-Cu氧化物的超导电性及其稳定性

用溶液共沉淀法(湿法)制备了Y_(0.6)Ba_(0.8)CuO_x超导体,其中点转变温度为94.1K,转变宽度为1.2K,对样品在二周时间内进行20次从液氮温度到室温、从液氮环境到空气环境的冷热循环,发现在1—3次冷热循环后,超导转变温度略有下降,然后稳定在91.5K左右。在正常态(室温)及超导态(77K)进行X射线分析,表明样品为两相的多晶体,有超导性的主相为正交缺氧的钙钛矿超结构。正常态与超导态的晶格结构没有变化。     

铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究

通过低温化学方法在多孔硅柱状阵列(NSPA)衬底上制备得到铕掺杂ZnO(ZnO∶Eu)纳米棒阵列结构。实验方法简单、条件温和,有效地实现了ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移,丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光。X射线衍射以及X射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中。室温荧光光谱测试结果表明:ZnO∶Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝-绿光的宽谱带发射,其中发光中心位于～380 nm的紫外光源于ZnO的带边发射,位于450～570 nm的蓝-绿光源于ZnO的本征缺陷发光,而位于～615 nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构。同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析。     

纳米铝/金对纳米二,五-二苯基噁唑薄膜荧光特性的调制

以直流溅射方法和真空蒸镀方法结合制备了单组份纳米铝薄膜、纳米金薄膜、纳米二,五-二苯基噁唑(DPO)薄膜和双组份纳米Al/DPO、Au/DPO复合叠层薄膜。利用双势垒伏安特性曲线模拟计算、荧光分光光度计和扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜样品的电学性质、荧光性质和表面形貌。固态荧光光谱观察到500nm膜厚的Au/DPO、Al/DPO叠层结构复合纳米薄膜样品的荧光主峰发生了明显红移。Au/DPO叠层结构复合薄膜样品与单组份DPO纳米薄膜样品的荧光发射光谱相比较,叠层薄膜内相互作用较弱,而Al/DPO叠层结构复合纳米薄膜样品相互作用较强、谱线峰型变化较大,Al的谱线的半高全宽明显增大,推测颗粒内部存在离散的能级结构。     

铁矿石、还原及焙烧铁矿产物中金属铁和全铁的测定——碘量法

本文详细试验了碘量法测定铁矿石、还原及焙烧铁矿产物中金属铁和全铁的条件,并应用于生产、从而使测定金属铁和全铁的方法统一起来,既不使用汞盐,又为工作带来方便。试验共分三个部分:(1)碘量法测定铁的基本条件;(2)金属铁的测定;(3)全铁的测定。 (1)碘量法测定铁的基本条件: 2Fe~(2+)+(?)2Fe~(2+)I_2从反应式可知,可用硫代硫酸钠标准溶液滴定碘来间接测定铁,实验确定了下述适宜条件;介质为0.3—2.0N盐酸,选用0.7N;温度50—60℃;碘化钾用量1—3克,选用2克;加入碘化钾析出     

女大学生对体育课厌学的行为原因分析与研究

通过调查女大学生厌学体育课自我归因的内容及结构,以及比较女大学生厌学和非厌学体育课的学生的不同特点,从中了解一些带有代表性和有规律的因素,找出影响女大学生厌学体育课行为的主要归因,为高校女生体育教学改革提供一些理论依据。     

Rees矩阵半群的GK-维数（英文）

主要探讨Rees矩阵半群的GK-维数问题.首先刻画Rees矩阵半群的性质,含有零元的一类Rees矩阵半群S的GK-维数等于S的任意非零极大幺半群M的GK-维数.然后利用这些性质,证明一类Rees矩阵半群S有多项式增长当且仅当S的所有的子幺半群有多项式增长,推广了本原富足半群里的相关结果.